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標(biāo)簽 > 格羅方德
格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司(Global Foundries)是一家總部位于美國(guó)加州硅谷桑尼維爾市的半導(dǎo)體晶圓代工廠商, 成立于2009年3月 。格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司由AMD拆分而來(lái)、與阿聯(lián)酋阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)和穆巴達(dá)拉發(fā)展公司(Mubadala)聯(lián)合投資成立的半導(dǎo)體制造企業(yè)。
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格羅方德半導(dǎo)體任命白農(nóng)(Wallace Pai)擔(dān)任中國(guó)總經(jīng)理,負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)發(fā)展
格羅方德公司今天宣布,任命白農(nóng)(Wallace Pai)先生擔(dān)任公司副總裁兼中國(guó)總經(jīng)理。他將引領(lǐng)公司在中國(guó)的戰(zhàn)略發(fā)展方向,推動(dòng)公司在中國(guó)市場(chǎng)業(yè)務(wù)與客戶群...
2016-07-25 標(biāo)簽:晶圓代工格羅方德GLOBALFOUNDRIES 2087 0
格羅方德推出性能增強(qiáng)型130nm硅鍺射頻技術(shù),以促進(jìn)下一代無(wú)線網(wǎng)絡(luò)通信發(fā)展
格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)于今日宣布針對(duì)硅鍺(SiGe)高性能技術(shù)組合,推出新一代射頻芯片解決方案。該項(xiàng)技術(shù)專(zhuān)為需要更優(yōu)性能解決方...
格羅方德半導(dǎo)體擬在重慶建立300毫米晶圓廠,擴(kuò)大在華業(yè)務(wù)
格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)今日宣布簽署了一份諒解備忘錄,以推動(dòng)公司在中國(guó)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)下一階段的增長(zhǎng)。格羅方德將與重慶市政府合資在中國(guó)建...
2016-06-01 標(biāo)簽:晶圓代工格羅方德GLOBALFOUNDRIES 1842 0
格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)5月31日宣布簽署了一份諒解備忘錄,以推動(dòng)公司在中國(guó)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)下一階段的增長(zhǎng)。格羅方德將與重慶市政府合資在...
三大晶圓廠搶進(jìn)7納米,誰(shuí)將領(lǐng)得先機(jī)?
在全球晶圓代工廠積極搶攻7 納米先進(jìn)制程,都想在7 納米制程領(lǐng)域搶下龍頭寶座的情況之下,三大陣營(yíng)臺(tái)積電(TSMC) 、三星、以及由IBM 提供協(xié)助的格羅...
格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)22nm FD-SOI工藝平臺(tái)
格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝,以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX?”平臺(tái)提供的性能和功耗媲...
2015-07-14 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI格羅方德 1991 0
半導(dǎo)體巨頭積極投入20nm 設(shè)備廠搶單大戰(zhàn)在即
隨著臺(tái)積電、英特爾、三星等半導(dǎo)體大廠將在明年微縮制程進(jìn)入20納米以下世代,設(shè)備廠也展開(kāi)新一波的搶單計(jì)劃。
瞄準(zhǔn)大陸IC設(shè)計(jì)市場(chǎng),臺(tái)積電與格羅方德激戰(zhàn)28nm制程
臺(tái)積電與格羅方德正積極搶攻中國(guó)大陸28納米(nm)市場(chǎng)商機(jī)。隨著28納米晶圓量產(chǎn)技術(shù)成熟且價(jià)格日益親民,中國(guó)大陸前五大IC設(shè)計(jì)業(yè)者正相繼在新一代處理器方...
2013-08-12 標(biāo)簽:臺(tái)積電IC設(shè)計(jì)瑞芯微 1087 0
蘋(píng)果自己生產(chǎn)A系列芯片?分析師不看好
蘋(píng)果的A系列處理器,在今年以前一直都是由三星代工,再加上閃存、屏幕等元件基本都是從三星采購(gòu),為了降低對(duì)三星的依賴,蘋(píng)果在這兩年一直都謀求另外的芯片代工廠...
格羅方德可望以28納米制程在中國(guó)大陸芯片市場(chǎng)打下一片天。對(duì)此,格羅方德透過(guò)先期研發(fā)合作及保證產(chǎn)能供應(yīng)等策略,積極拉攏中國(guó)大陸芯片商,并已成功搶下瑞芯微等客戶。
2013-06-24 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)HKMG28nm 1486 1
先進(jìn)制程布局各有打算,GF/聯(lián)電爭(zhēng)搶晶圓榜眼
先進(jìn)制程晶圓代工市場(chǎng)戰(zhàn)火愈演愈烈。繼臺(tái)積電宣布將分別于2015、2017年推出16和10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程后,格羅方德(GLOBALFO...
搶攻移動(dòng)商機(jī),格羅方德將于2015年推出10納米
格羅方德表示2015年推出10納米,此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年,也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。
2012年全球半導(dǎo)體TOP25 高通同比增長(zhǎng)34%
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) IC Insights 公布最新的 2012年全球前二十五大半導(dǎo)體(包括光電元件、感測(cè)器與離散元件)供應(yīng)商排行榜,其中 Globalfou...
全球前20晶圓代工廠2012排行榜,臺(tái)積電依處霸主地位
去年全球晶圓代工市場(chǎng)總產(chǎn)值達(dá)393.1億美元,較2011年的328.7億美元,大幅成長(zhǎng)約20%。前12大廠排名,臺(tái)積電仍穩(wěn)居龍頭大廠寶座,市占率 高達(dá)4...
ST計(jì)劃為格羅方德導(dǎo)入28nm FDSOI制程
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)正與Globalfoundries公司洽談轉(zhuǎn)移完全耗盡型絕緣上覆硅(FDSOI)制程技術(shù)的相關(guān)細(xì)節(jié),期...
2013-01-28 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體格羅方德 1979 0
全球晶圓廠加緊FinFET布局 制勝14/16nm市場(chǎng)利器
全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開(kāi)FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后,臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)...
緊咬臺(tái)積電不放 格羅方德后年量產(chǎn)14nm
為與臺(tái)積電爭(zhēng)搶下一波行動(dòng)裝置晶片制造商機(jī),格羅方德將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體(3D FinFET)架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中,預(yù)計(jì)明年客戶即可開(kāi)始投片,后年...
格羅方德推出優(yōu)化新世代行動(dòng)裝置的FinFET電晶體架構(gòu)
GLOBALFOUNDRIES推出專(zhuān)為成長(zhǎng)快速的行動(dòng)市場(chǎng)所設(shè)計(jì)的新技術(shù),加速其頂尖的發(fā)展藍(lán)圖。該公司推出的14nm-XM技術(shù),將為客戶提供3D「FinF...
格羅方德推出用于下一代移動(dòng)設(shè)備晶體管架構(gòu)
GLOBALFOUNDRIES 推出一項(xiàng)專(zhuān)為快速增長(zhǎng)的移動(dòng)市場(chǎng)的最新科技,進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路圖。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM...
2012-09-24 標(biāo)簽:移動(dòng)設(shè)備格羅方德晶體管架構(gòu) 728 0
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