筆記本氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別在哪

筆記本電腦是現(xiàn)代人生活中必不可少的電子設(shè)備之一，而電池的續(xù)航時(shí)間則直接關(guān)系到筆記本的使用體驗(yàn)。因此，選擇一款高效穩(wěn)定的充電器對(duì)于延長(zhǎng)筆記本電腦的使用時(shí)間...

2024-01-10 標(biāo)簽：筆記本充電器電子設(shè)備 3813 0

氮化鎵行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈全景圖分析

GaN產(chǎn)業(yè)鏈按環(huán)節(jié)分為Si襯底(或GaN單晶襯底、SiC、藍(lán)寶石)、GaN材料外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造、封測(cè)以及應(yīng)用。各個(gè)環(huán)節(jié)國(guó)內(nèi)均有企業(yè)涉足,如在射頻...

2022-09-07 標(biāo)簽：射頻氮化鎵GaN 3743 0

在氮化鎵外延結(jié)構(gòu)中首次實(shí)現(xiàn)了垂直溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

雖然晶體管沒(méi)有夾斷，但柵極電位確實(shí)調(diào)制了漏極電流（高達(dá)1.8倍，柵極為-10V，圖2）。根據(jù)模擬，夾斷發(fā)生在-112V左右。將其放在一位數(shù)范圍內(nèi)需要縮小...

2018-12-13 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 3742 0

銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用

作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。

2023-03-31 標(biāo)簽：IGBT氮化鎵功率模塊 3736 0

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開(kāi)關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵...

2023-08-24 標(biāo)簽：功率器件SiC氮化鎵 3701 0

基于GaN器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案

氮化鎵（GaN）器件具有類似硅的電性能，可以由硅MOSFET設(shè)計(jì)中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)。

2022-07-12 標(biāo)簽：MOSFET氮化鎵GaN 3666 0

氮化鎵外延片的工藝及分類介紹

通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長(zhǎng)的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。

2023-02-12 標(biāo)簽：LED芯片氮化鎵MOCVD 3626 0

氮化鎵芯片應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

相對(duì)于硅材料，使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質(zhì)量、體積以及生命周期成本，允許設(shè)備在更高的溫度、電...

2023-02-05 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 3625 0

氮化鎵工藝缺點(diǎn)有哪些

隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品、電動(dòng)車、家用電器等產(chǎn)品更新?lián)Q代，產(chǎn)品的性能也越來(lái)越受重視，尤其是在功率設(shè)計(jì)方面。如何提升電源轉(zhuǎn)換能效，提高功率密度水平，延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)...

2023-02-05 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 3558 0

通過(guò)100V增強(qiáng)型氮化鎵晶體管實(shí)現(xiàn)直直變換器設(shè)計(jì)方案

在當(dāng)今的架構(gòu)中，通過(guò)采用12V的背板，工業(yè)界能夠使用具有非常好的品質(zhì)因數(shù)特性的40V MOSFET 來(lái)滿足高開(kāi)關(guān)頻率，傳輸高效率以及高功率密度。

2021-03-23 標(biāo)簽：通信技術(shù)晶體管氮化鎵 3461 0