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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微十載征程,引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展
在功率半導(dǎo)體行業(yè),納微半導(dǎo)體以其對(duì)氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新,贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際,納微半導(dǎo)體回顧了其一路走來(lái)的輝煌歷...
2024-02-21 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 1094 0
最高額!芯片制造商格芯將獲美國(guó)15億美元補(bǔ)貼
2月20日消息,據(jù)外媒報(bào)道,當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一,美國(guó)政府表示,作為美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》的一部分,它打算向芯片制造商格芯提供15億美元資金,用于支持該公司擴(kuò)大...
韓國(guó)晶圓代工廠DB HiTek發(fā)放20%獎(jiǎng)金,繼續(xù)加大電力半導(dǎo)體技術(shù)投資力度
盡管東晶圓的2023年銷(xiāo)售與運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)雙雙大幅縮水,分別相較去年減少了31%和65%,但仍堅(jiān)持向員工發(fā)放高額獎(jiǎng)金,鼓勵(lì)團(tuán)隊(duì)士氣。在半導(dǎo)體領(lǐng)域高端人才爭(zhēng)奪日...
東科推出合封氮化鎵全鏈路解決方案,覆蓋QR、ACF、AHB等多種拓?fù)浼軜?gòu)
前言傳統(tǒng)的氮化鎵快充方案包括控制器+驅(qū)動(dòng)器+GaN功率器件等,電路設(shè)計(jì)復(fù)雜,成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片,一顆芯片即可實(shí)現(xiàn)原有數(shù)顆芯片的功能,不僅使...
納微半導(dǎo)體與欣銳科技聯(lián)合打造新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室
納微半導(dǎo)體,作為氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌。這一創(chuàng)新合作旨在推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)電源...
2024-01-30 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1232 0
瞄準(zhǔn)SiC MOS出貨量飆升,五大策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)挑戰(zhàn)
截至2023年,1200V碳化硅器件累計(jì)出貨超過(guò)了2400萬(wàn)顆,得到了新能源汽車(chē)、消費(fèi)電子以及工業(yè)市場(chǎng)的客戶好評(píng)。其中SiC MOSFET營(yíng)收迅速提升,...
美國(guó)一家GaN晶圓廠倒閉,總投資超過(guò)10億人民幣!
近日,美國(guó)一家GaN企業(yè)宣布破產(chǎn)倒閉,該企業(yè)還有一個(gè)晶圓廠,總投資超過(guò)10億人民幣,而且該企業(yè)此前還宣布他們的GaN器件即將上主驅(qū),倒閉原因是什么?
基于PI InnoSwitch3-AQ INN3949CQ 之 60W 于800Vdc Bus with 50-1000Vdc Input方案
PowerIntegrations(NASDAQ:POWI)這家節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的高壓積體電路(IC)的領(lǐng)導(dǎo)廠商今日宣布為該公司的InnoSwitch...
國(guó)產(chǎn)GaN迎來(lái)1700V突破!
該文獻(xiàn)進(jìn)一步透露,實(shí)現(xiàn)這一器件所采用的氮化鎵外延材料結(jié)構(gòu)包括:1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。
理論性能遠(yuǎn)超SiC?GaN功率二極管的發(fā)展歷程
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)氮化鎵功率器件的大規(guī)模應(yīng)用,是從2018年開(kāi)始的。自手機(jī)快充功能在市場(chǎng)上迅速普及,經(jīng)過(guò)數(shù)年的發(fā)展,氮化鎵HEMT器件早已被...
瑞薩電子收購(gòu)氮化鎵供應(yīng)商Transphorm
瑞薩電子近日宣布了一項(xiàng)重大收購(gòu),以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)美國(guó)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm。這次收購(gòu)總額為3.39億美元,相當(dāng)...
2024-01-23 標(biāo)簽:氮化鎵瑞薩電子功率半導(dǎo)體 1065 0
半導(dǎo)體硅片行業(yè)報(bào)告,國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速
第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)等,因其禁...
2024-01-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC氮化鎵 1349 0
基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目啟動(dòng)
據(jù)云塔科技消息,1月15日,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異...
大聯(lián)大推出基于InnoGaN產(chǎn)品的1KW DCDC電源模塊方案
2024年1月18日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布其旗下詮鼎推出基于英諾賽科(Innoscience)InnoGaN ...
高性能、小體積,GaN在智能家居中開(kāi)拓廣闊市場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)隨著智能家居的發(fā)展,高效高性能的小體積電源越來(lái)越被市場(chǎng)青睞。想要將電源體積做得更小,但同時(shí)能夠保證最好的性能,氮化鎵(Ga...
Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件
全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克:TGAN)今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝(T...
瑞薩電子與氮化鎵(GaN)器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布,雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)Trans...
GaN巨頭NexGen Power Systems破產(chǎn):垂直GaN市場(chǎng)面臨挑戰(zhàn)
NexGen認(rèn)為,將垂直氮化鎵逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)引入電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)可以幫助汽車(chē)制造商提高續(xù)航里程、減輕重量并提高系統(tǒng)可靠性。
2024-01-17 標(biāo)簽:逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)氮化鎵 1020 0
此次收購(gòu)將為瑞薩電子提供自主的GaN技術(shù),從而將其業(yè)務(wù)范圍擴(kuò)大到電動(dòng)汽車(chē)、計(jì)算(數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施)、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)。
2024-01-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)瑞薩氮化鎵 987 0
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