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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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大連理工大學(xué)：科研團(tuán)隊(duì)在氮化鎵高溫三維磁傳感芯片領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展
近期，光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院黃火林教授團(tuán)隊(duì)在第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）磁傳感器領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，在國(guó)際上率先研制出可穩(wěn)定工作在1.9 K~673K極寬...
瑞薩電子推出650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，推動(dòng)高效電源轉(zhuǎn)換技術(shù)
在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進(jìn)步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)，專(zhuān)注于滿足...
可視挖耳勺能清楚地看到耳朵里的情況，安全又干凈。近年來(lái)的可視挖耳勺，功能越來(lái)越強(qiáng)大，畫(huà)面清晰度、耳勺材質(zhì)、畫(huà)面流暢度、光源亮度、續(xù)航等問(wèn)題都得到了大大提...
英飛凌12英寸氮化鎵晶圓可擴(kuò)展生產(chǎn)步入正軌，四季度可交付樣品
7 月 5 日消息，英飛凌德國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間 7 月 3 日宣布，其在 300mm晶圓上的可擴(kuò)展氮化鎵 (GaN) 生產(chǎn)已步入正軌，首批樣品將于 2025 年...
臺(tái)積電宣布逐步退出氮化鎵晶圓代工業(yè)務(wù)，力積電接手相關(guān)訂單
近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)完成這一過(guò)渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是...
炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜。客戶最近熱賣(mài)的制冷杯，被稱(chēng)為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛(ài)，充電部分采...
科雅PD快充專(zhuān)用薄膜電容器的優(yōu)點(diǎn)
PD快充的出現(xiàn)，讓我們手機(jī)充電器越來(lái)越小，但充電速度越來(lái)越快，甚至一個(gè)充電器可以滿足手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦的充電需求。
納微半導(dǎo)體攜手力積電，啟動(dòng)8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計(jì)劃
下一階段戰(zhàn)略有望強(qiáng)化供應(yīng)鏈、推動(dòng)創(chuàng)新，降本增效——助力納微氮化鎵（GaN）在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能以及家電、手機(jī)移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域的快速應(yīng)用。 加利...
2025-07-02 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.5k 0
TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管
新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合...
Anker “智控桌面充管家”再添雙星！鎵未來(lái)GaN賦能極簡(jiǎn)美學(xué)新視界
GaNext助力|極簡(jiǎn)桌面生活 當(dāng)桌面充電邁入“高效與美學(xué)并存”的時(shí)代，鎵未來(lái)以尖端氮化鎵技術(shù)再次引領(lǐng)革新。近日，我們攜手全球消費(fèi)電子巨頭 Anker，...
氮化鎵電源IC U872XAHE系列是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電...
2025-06-20 標(biāo)簽：功率開(kāi)關(guān)氮化鎵電源IC 1.4k 0
A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設(shè)備充電需求，還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備，接口互補(bǔ)，場(chǎng)景覆蓋廣，依然是當(dāng)前充電市場(chǎng)不可忽略的中堅(jiān)力量。深圳銀聯(lián)寶科技推...
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化打嗝模式本質(zhì)為電源保護(hù)機(jī)制（如短路保護(hù)），優(yōu)化需在保障可靠性的前提下進(jìn)行。高頻噪聲問(wèn)題需協(xié)同芯...
在 2000 年，服務(wù)器前端電源管理單元 (PSU) （通過(guò)交流輸入產(chǎn)生 12V/48V 直流軌） 達(dá)到了約 10W/in3 的功率密度，峰值效率約為 ...
2025-06-12 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器服務(wù)器氮化鎵 4.3萬(wàn) 0
充電器和適配器等快充設(shè)備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯(lián)寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高...
45W單壓?jiǎn)蜟氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下...
PI氮化鎵反激式開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品介紹
InnoSwitch3-EP和InnoSwitch4-QR氮化家反激式開(kāi)關(guān)IC專(zhuān)為服務(wù)器、個(gè)人電腦待機(jī)電源以及功率高達(dá)220W、電壓高達(dá)1250V的工業(yè)...
2025-05-30 標(biāo)簽：反激式電源氮化鎵開(kāi)關(guān)IC 1.1k 0
恒功率控制方式通過(guò)精確的控制策略和先進(jìn)的電子技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過(guò)調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸入或輸出參數(shù)（如電壓、電流等），使得系統(tǒng)...
單模塊支持70kW單相功率，英飛凌氮化鎵產(chǎn)品模式再進(jìn)化
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文 / 吳子鵬）功率模塊作為電力電子領(lǐng)域不可或缺的核心組件，承擔(dān)著電能高效、穩(wěn)定轉(zhuǎn)換與控制的重任，尤其在對(duì)效能、穩(wěn)定性和可靠性要求極高...
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