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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布...
CGD官宣突破性技術(shù)：以創(chuàng)新性氮化鎵解決方案撬動超百億美元新能源車主驅(qū)逆變器市場
通過將ICeGaN HEMT與IGBT混合并聯(lián)集成至單一封裝，實(shí)現(xiàn)高效率與降本雙贏 ? 2025年3月10日，英國劍橋訊——Cambridge GaN ...
2025-03-11 標(biāo)簽：氮化鎵 711 0
SiC與GaN技術(shù)專利競爭：新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機(jī)遇
在過去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢，如降低功率損耗、更高的開關(guān)速度以及能...
全日程更新丨2025英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇向你發(fā)出邀請
英飛凌全球?qū)捊麕ч_發(fā)者論壇連續(xù)多年舉辦，匯集了來自碳化硅SiC和氮化鎵GaN領(lǐng)域的專家，更有一個(gè)來自中國客戶的特邀報(bào)告。2025年3月11日北京時(shí)間下午...
國產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體，國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應(yīng)用場景上的優(yōu)勢，使其在汽車、工業(yè)和新能源領(lǐng)域...
在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團(tuán)隊(duì)優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?...
香港科技大學(xué)陳敬教授課題組公布氮化鎵與碳化硅領(lǐng)域多項(xiàng)最新研究成果
? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉： 香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組 ，在第70屆國際電子器件大會（IEEE International Electro...
突破電力效能邊界：ZN70C1R460D 氮化鎵晶體管重磅登場！
?在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，電子元件的創(chuàng)新成為推動各領(lǐng)域進(jìn)步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（...
電激發(fā)式藍(lán)紫光垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)
上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果為近年來局限在光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL?的結(jié)果，一直到2008年，作者實(shí)驗(yàn)室首次在77 K?下成功制作出第一個(gè)電激發(fā)氮化鎵VCSEL，其雷...
在氮化鎵藍(lán)光?VCSEL?發(fā)展方面，1996年?Redwing?等人成功制作了第一個(gè)室溫下光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL，其元件結(jié)構(gòu)由10?μm?厚的GaN...
前言 近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充電器，這款產(chǎn)品基于華源智信氮化鎵方案設(shè)計(jì)，因此整體做到相當(dāng)小巧，搭配可折疊插腳，便攜性很好。...
隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體——氮化鎵（GaN）正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。聞泰科技已布局GaN領(lǐng)域多年，憑借卓越的...
科雅X2安規(guī)電容器在氮化鎵充電器中的應(yīng)用
和樂電子是一家集生產(chǎn)、研發(fā)、銷售于一體的企業(yè)，專注于無線音頻設(shè)備的生產(chǎn)，并成功培育出核心品牌QCY，擁有先進(jìn)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和超過3000名員工，公司實(shí)力特別強(qiáng)大。
深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片2025年持續(xù)發(fā)力
深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片2025年持續(xù)發(fā)力氮化鎵芯片YLB銀聯(lián)寶/YINLIANBAO無線通信領(lǐng)域，設(shè)備往往需要在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的信號傳輸功能，氮...
PI公司誠邀您報(bào)名參加電子研習(xí)社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準(zhǔn)。
1月8日消息，日本豐田合成株式會社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （Ga...
英諾賽科登陸港交所，氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域明星企業(yè)閃耀登場
近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾賽科作為全...
2025-01-06 標(biāo)簽：電壓氮化鎵功率半導(dǎo)體 668 0
破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）剛剛過去的2024年里，第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用，在清潔能源、新能源汽車市場進(jìn)一步滲透的同時(shí)，數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人...
2025-01-05 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 1.2萬 0
快節(jié)奏的時(shí)代,在旅游、辦公等場景下,一款高效、便捷的充電器可以讓我們的生活更便捷、高效。今天就給大家推薦一款倍思氮化鎵充電器——Super GaN伸縮線...
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