納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片助力一加11 5G版搭配100W超級(jí)閃充上市

? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體...

2023-02-28 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體一加手機(jī) 1484 0

GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個(gè)突破？

GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個(gè)突破？GaN驅(qū)動(dòng)電路有哪些設(shè)計(jì)技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電...

2023-11-07 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵GaN 1478 0

機(jī)械革命無(wú)界14 Pro銳龍版即將上市，配備2.8K 120Hz顯示屏和5.1G網(wǎng)卡

在屏幕方面，新款電腦也同樣出色。其配置了2.8K 120Hz的顯示屏，像素達(dá)到了2880*1800，且具有400nit的光照度（典型值）與100%的sR...

2024-02-23 標(biāo)簽：amd顯示屏氮化鎵 1473 0

10月30-31日重磅來(lái)襲丨CS China常州會(huì)議精彩劇透！匯聚頂流技術(shù)大咖，聚焦行業(yè)前沿風(fēng)向！

化合物半導(dǎo)體是我國(guó)重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局的重要突破口！隨著競(jìng)爭(zhēng)的加劇，化合物半導(dǎo)體材料進(jìn)入技術(shù)創(chuàng)新爆發(fā)期，各種新技術(shù)、新產(chǎn)品層出不窮。氮化鎵、碳化硅...

2024-08-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵化合物半導(dǎo)體 1469 0

Power Integrations發(fā)布全球電壓最高的單開(kāi)關(guān)氮化鎵電源IC

新型PowiGaN開(kāi)關(guān)為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量，在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。 Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開(kāi)關(guān)氮化...

2023-11-02 標(biāo)簽：散熱器Power氮化鎵 1466 0

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)迅猛增長(zhǎng)：消費(fèi)電子產(chǎn)品與新興技術(shù)共同驅(qū)動(dòng)

除了智能手機(jī)，通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、娛樂(lè)系統(tǒng)和家用電器等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品也對(duì)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。

2024-03-07 標(biāo)簽：智能手機(jī)SiC氮化鎵 1465 0

科雅超低音X2電容用于NITRIDE 65W超薄氮化鎵充電器

深圳市譽(yù)鴻錦推出了一款NITRIDE品牌的餅干氮化鎵充電器，充電器內(nèi)置平面變壓器和氮化鎵器件、超薄X2安規(guī)電容，助力超薄設(shè)計(jì)，厚度僅為12.8mm。支持...

2022-12-02 標(biāo)簽：充電器脈沖氮化鎵 1461 0

GaN價(jià)格及市場(chǎng)規(guī)模的發(fā)展趨勢(shì)

根據(jù)行家說(shuō) Research 數(shù)據(jù)顯示，2021年，全球GaN 功率器件營(yíng)收規(guī)模約為 1.66 億美元，其中消費(fèi)類(lèi)電子市場(chǎng)為0.95億美元，通信與數(shù)據(jù)中...

2023-02-20 標(biāo)簽：氮化鎵GaN射頻器件 1461 0

Anker推出GaNPrime全氮化鎵系統(tǒng)與產(chǎn)品

　　“全氮化鎵”氮化鎵充電系列有七個(gè)新產(chǎn)品，包括四個(gè)充電器、兩個(gè)移動(dòng)電源和一個(gè)插座，屬于“全氮化鎵”氮化鎵充電系列，進(jìn)一步滿足消費(fèi)者多樣化的充電需求。

2022-07-27 標(biāo)簽：芯片充電器氮化鎵 1460 0

何時(shí)應(yīng)對(duì)寬能帶隙材料時(shí)代？

對(duì)于功率電子而言，寬能帶隙材料能夠以相同甚至更低的成本，顯著改善效率、尺寸及重量等指標(biāo)。簡(jiǎn)單地說(shuō)，寬能帶隙器件具有優(yōu)勝10倍的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)性能，這種性能提...

2012-11-26 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬能帶隙 1458 0

美國(guó)一家GaN晶圓廠倒閉，總投資超過(guò)10億人民幣！

近日，美國(guó)一家GaN企業(yè)宣布破產(chǎn)倒閉，該企業(yè)還有一個(gè)晶圓廠，總投資超過(guò)10億人民幣，而且該企業(yè)此前還宣布他們的GaN器件即將上主驅(qū)，倒閉原因是什么？

2024-01-29 標(biāo)簽：led照明晶圓氮化鎵 1453 0

恩智浦將GaN用于5G多芯片模塊，以實(shí)現(xiàn)高能效移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)

減少能耗是電信基礎(chǔ)設(shè)施的一個(gè)主要目標(biāo)，其中每一點(diǎn)效率都至關(guān)重要。在多芯片模組中使用GaN可在2.6 GHz頻率下將產(chǎn)品組合效率提高到 52%，比公司上一...

2021-07-05 標(biāo)簽：恩智浦氮化鎵GaN 1453 0

騰訊專訪納微副總裁查瑩杰：電源架構(gòu)與材料，即將發(fā)生巨大轉(zhuǎn)變

在采訪中，查瑩杰先生向我們介紹了氮化鎵在電力電子行業(yè)的現(xiàn)狀與發(fā)展，納微半導(dǎo)體的使命以及未來(lái)發(fā)展的方向。

2021-07-02 標(biāo)簽：氮化鎵騰訊納微半導(dǎo)體 1445 0