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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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士蘭微電子推出小體積、低成本的兩級(jí)無(wú)頻閃隔離LED照明驅(qū)動(dòng)方案
在LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域,不斷追求更高性能和成本效益是行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。士蘭微電子以先進(jìn)的高壓MOS工藝平臺(tái)為基礎(chǔ),以其卓越的穩(wěn)定性和成熟制造工藝,成為...
氮化鎵已成為事實(shí)上的第三代半導(dǎo)體材料。然而,以您需要的質(zhì)量和所需的熱阻制造 GaN 晶圓是晶圓廠仍在努力克服的挑戰(zhàn)。
泰高技術(shù)攜手鎵宏半導(dǎo)體簽署GaN領(lǐng)域的全面戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,深圳市泰高技術(shù)與深圳鎵宏半導(dǎo)體有限公司達(dá)成了一項(xiàng)全面戰(zhàn)略合作協(xié)議,旨在增強(qiáng)企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展能力,提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
安世半導(dǎo)體榮獲雙料大獎(jiǎng),引領(lǐng)氮化鎵技術(shù)前沿
近日,Nexperia(安世半導(dǎo)體)憑借其在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)域的杰出表現(xiàn),榮獲兩項(xiàng)權(quán)威大獎(jiǎng):“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”和“中國(guó)GaN功...
2024-01-03 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅安世半導(dǎo)體 1412 0
GaN氮化鎵加速無(wú)線充電應(yīng)用:更快、更方便
這種更高效的無(wú)線能量傳輸技術(shù)使得各種應(yīng)用變得更加簡(jiǎn)單,同時(shí)也開辟了新的領(lǐng)域。比如,你可以用它來(lái)給電動(dòng)滑板車充電,而滑板車的位置在充電墊上沒有那么嚴(yán)格。對(duì)...
2023-10-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵GaN 1410 0
GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)器件的工作電壓可以比同類GaAs器件高五倍。由于GaNFET器件可以在更高的電壓下工作,因此設(shè)計(jì)人員可以更輕松地在窄帶放大器...
瑞薩收購(gòu)Transphorm,利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(以下“瑞薩”,TSE:6723)與全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Tran...
1A2C-65W氮化鎵(GaN)快充方案,快充方案支持90~264V寬輸入電壓,輸出支持5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3....
格芯獲3000萬(wàn)美元資金,加速硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化
2022-10-21 標(biāo)簽:氮化鎵 1409 0
安世半導(dǎo)體Nexperia 2024年財(cái)報(bào):營(yíng)收20.6億美元,市場(chǎng)份額從2023年的8.9%提升至9.7%
安世半導(dǎo)體近日公布了2024財(cái)年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。在宏觀經(jīng)濟(jì)持續(xù)不確定和市場(chǎng)周期性疲軟的背景下,公司展現(xiàn)出強(qiáng)大的抗風(fēng)險(xiǎn)能力,通過(guò)強(qiáng)化執(zhí)行力和堅(jiān)持創(chuàng)新投入,實(shí)現(xiàn)了...
CNBC專訪納微半導(dǎo)體:全球首家針對(duì)電動(dòng)汽車的氮化鎵功率芯片設(shè)計(jì)中心展望及新聞稿
美西時(shí)間2月4日,納微半導(dǎo)體再次接受CNBC專訪。CEO Gene Sheridan在采訪中表示,電動(dòng)汽車是納微下一個(gè)目標(biāo)市場(chǎng)。
2022-02-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵功率芯片 1406 0
電子科技大學(xué)在量子光源芯片研制領(lǐng)域取得重大突破
量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的中樞器具,如同“量子燈泡”,賦予聯(lián)網(wǎng)用戶量子信息交互的能力。當(dāng)前,量子光源芯片主要以氮化硅等材料制造,而此次研發(fā)的氮化鎵量子...
納微半導(dǎo)體成立全球首家針對(duì)電動(dòng)汽車的氮化鎵功率芯片設(shè)計(jì)中心
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快,駕駛距離更遠(yuǎn)的電動(dòng)汽車普及提前三年來(lái)到,并減少20%道路二氧化碳排放。
2022-01-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵功率芯片 1400 0
氮矽科技預(yù)計(jì)年底推出首款分離式高速氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)芯片的快充產(chǎn)品
氮化鎵作為替代硅用于芯片制造的新興材料,目前已經(jīng)在快充市場(chǎng)呈現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。
2021-01-15 標(biāo)簽:芯片制造氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng) 1399 0
MACOM推出用于無(wú)線基站的全新高性能氮化鎵功率晶體管系列
中國(guó)上海,2016年2月24日- 領(lǐng)先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應(yīng)用于宏基站的MAGb系列氮化鎵...
納微氮化鎵功率芯片進(jìn)入全新三星Galaxy S22系列45W旅行充電器
Navitas 首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Gene Sheridan 表示:“三星的消費(fèi)者欣賞具有創(chuàng)新、性能和質(zhì)量卓越的領(lǐng)先技術(shù)。 “三星和納微在提供下一...
Power Integrations全新InnoSwitch3AC-DC變換器IC可提供100W的功率輸出
深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓...
您的工作是否涉及有源/無(wú)源微電子電路和設(shè)計(jì)?如果涉及,您可能非常了解高溫會(huì)對(duì)這些器件產(chǎn)生哪些不利影響。高工作溫度會(huì)導(dǎo)致性能下降,服務(wù)壽命縮短。因此,工程...
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...
據(jù)了解,市場(chǎng)上的65W快充產(chǎn)品可能的BOM表有電源控制芯片、升降壓轉(zhuǎn)換器、快充協(xié)議芯片、變壓器、光耦、二極管、三極管、MOS管、整流橋、電阻、電感、電容...
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