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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體攜手力積電，啟動8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計劃
下一階段戰(zhàn)略有望強化供應(yīng)鏈、推動創(chuàng)新，降本增效——助力納微氮化鎵（GaN）在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能以及家電、手機移動設(shè)備等領(lǐng)域的快速應(yīng)用。 加利...
2025-07-02 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體 1007 0
科雅MPB 105J450V薄膜電容用于煊陽100W氮化鎵桌面充電器
煊陽科技是一家在電子產(chǎn)品制造和研發(fā)領(lǐng)域具有顯著影響力的企業(yè)。該公司一直專注于開關(guān)電源、適配器、充電器、LED驅(qū)動器的開發(fā)、制造與銷售。
2024-03-07 標(biāo)簽：充電器led驅(qū)動器氮化鎵 1006 0
ASML是全球芯片制造設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)廠商，其生產(chǎn)的XT400和XT860 的i-line和KrF經(jīng)過升級，能夠在硅基晶圓上制造氮化鎵功率器件。
用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體以純電動汽 用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化...
2022-11-11 標(biāo)簽：SiC氮化鎵功率半導(dǎo)體 1001 0
比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中，將更有優(yōu)勢，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。
此次收購將為瑞薩電子提供自主的GaN技術(shù)，從而將其業(yè)務(wù)范圍擴大到電動汽車、計算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等快速增長的市場。
納微半導(dǎo)體再次入選德勤北美高成長科技企業(yè)500強
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日宣布再次入選德勤北美高成長科技企業(yè)500強。全球不斷增長的市場和客戶對先進(jìn)、高效、寬禁帶氮化鎵（GaN...
2024-11-22 標(biāo)簽：AI氮化鎵納微半導(dǎo)體 993 0
Mojo Vision開發(fā)300mm藍(lán)色硅基氮化鎵Micro LED陣列晶圓
Mojo Vision 表示，Micro LED技術(shù)為顯示器提供了關(guān)鍵性能表現(xiàn)、效率和外形優(yōu)勢，這對于擴展現(xiàn)實 (XR)、可穿戴設(shè)備、汽車、消費電子和高...
意法半導(dǎo)體GaN驅(qū)動器集成電流隔離功能 具有卓越的安全性和可靠性
近日，意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)...
2023-09-12 標(biāo)簽：驅(qū)動器意法半導(dǎo)體氮化鎵 990 0
羅姆、東芝聯(lián)合宣布將共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體
羅姆、東芝近日聯(lián)合宣布，雙方將于功率半導(dǎo)體事業(yè)進(jìn)行合作，共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。
三星在2023年年度三星代工論壇 (SFF) 上公布了更新的制造技術(shù)路線圖。該公司有望分別于 2025年和 2027年在其 2納米和 1.4納米級節(jié)點上...
報道援引韓工業(yè)部官員消息稱，韓國企業(yè)目前仍有可維持約40天左右生產(chǎn)所需的鎵庫存，而且他們能夠從美國和加拿大等中國以外的國家進(jìn)口鍺產(chǎn)品，不過當(dāng)局仍希望通過...
共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料，根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長碳...
隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)也在飛速發(fā)展。其中，氮化鎵（GaN）芯片作為一種新型的電力電子器件，因其具有高效能、高速、高溫等優(yōu)點，已經(jīng)開始在各個領(lǐng)域...
QORVO的QPA4246D Q波段高功率MMIC放大器概述
QORVO的QPA4246D是款高功率MMIC放大器，選用Qorvo制造的0.15μm碳化硅基氮化鎵(QGaN15)制造技術(shù)。QPA4246D對于37....
調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場正在穩(wěn)步擴大。
Transphorm上季度營收320萬美元 全年銷售額1470萬美元
該公司的收入為320萬美元，前一季度為450萬美元，2022會計年度第四季度為490萬美元。運營費用為850萬美元，上季度為720萬美元，2022會計年...
2023-06-29 標(biāo)簽：氮化鎵Transphorm 977 0
力德諾70W多口氮化鎵充電器自帶1.5米可拆卸電源線設(shè)計，作為桌面充電器方便日常使用不受空間限制。產(chǎn)品配有LED屏幕可以顯示實時輸出功率，方便了解設(shè)備的...
商務(wù)部、海關(guān)總署決定對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制開始生效
今天是2023年8月1日，是偉大的中國人民解放軍的建軍節(jié)，也是中華人民共和國經(jīng)國務(wù)院批準(zhǔn)，商務(wù)部、海關(guān)總署決定對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制開始生效的日子...
納微半導(dǎo)體宣布開設(shè)全新電動汽車設(shè)計中心
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠(yuǎn)的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放。
2022-05-09 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵納微半導(dǎo)體 971 0
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