GaN Systems公司和合作伙伴應(yīng)對(duì)零排放挑戰(zhàn)

氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems 公司今天宣布，其合作伙伴的生態(tài)系統(tǒng)不斷壯大，通過加速全球可持續(xù)發(fā)展和清潔技術(shù)革命，應(yīng)對(duì)凈零...

2021-12-21 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 724 0

Power Integrations榮獲2024年電源行業(yè)配套品牌兩項(xiàng)大獎(jiǎng)

近日，由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌評(píng)選活動(dòng)”在深圳隆重舉行。此次評(píng)選旨在表彰在技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)表現(xiàn)和行業(yè)影響力方面具有卓越成就的企業(yè)，嚴(yán)格的...

2024-12-10 標(biāo)簽：PI功率器件氮化鎵 719 0

貿(mào)澤電子備貨Qorvo的QPA1314T 功率放大器(PA)

貿(mào)澤備貨的Qorvo QPA1314T PA具有12.75至15.35GHz的擴(kuò)展頻率范圍，并在13.75至14.5GHz的標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)55W的飽和輸出功率。

2022-09-27 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵碳化硅 716 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器方案

氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時(shí)還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。

2023-04-25 標(biāo)簽：氮化鎵系統(tǒng)控制器功率芯片 715 0

CGD官宣突破性技術(shù)：以創(chuàng)新性氮化鎵解決方案撬動(dòng)超百億美元新能源車主驅(qū)逆變器市場(chǎng)

通過將ICeGaN HEMT與IGBT混合并聯(lián)集成至單一封裝，實(shí)現(xiàn)高效率與降本雙贏 ? 2025年3月10日，英國(guó)劍橋訊——Cambridge GaN ...

2025-03-11 標(biāo)簽：氮化鎵 712 0

碳化硅與氮化鎵器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

　　幾十年來(lái)，硅主宰了晶體管世界。但這正在改變。由兩種或三種材料組成的復(fù)合半導(dǎo)體已經(jīng)開發(fā)出來(lái)，具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的財(cái)產(chǎn)。例如，利用化合物半導(dǎo)體，開發(fā)了...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 700 0

德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模

德州儀器（TI）（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開始投產(chǎn)。隨著會(huì)津工廠投產(chǎn)，加上已有 GaN ...

2024-11-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體德州儀器氮化鎵 699 0

氮化鎵是否能成為電子快充市場(chǎng)的佼佼者？

早在2019年，做為3C配件市場(chǎng)發(fā)展風(fēng)向標(biāo)的香港電子展，我們就已經(jīng)察覺到氮化鎵快充發(fā)展的迅猛勢(shì)頭：2019年4月份春節(jié)展，8款氮化鎵充電器新品參展；而到...

2023-08-23 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 690 0

英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵功率半導(dǎo)體優(yōu)化無(wú)線功率

10月16日，中國(guó)網(wǎng)絡(luò)空間安全協(xié)會(huì)發(fā)布了一篇題為《警惕！英特爾產(chǎn)品網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險(xiǎn)凸顯，系統(tǒng)排查刻不容緩》的文章，讀后引人深思。若文章內(nèi)容屬實(shí)，底層硬件芯片...

2024-10-22 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵車聯(lián)網(wǎng) 690 0

PI亮相2024德國(guó)慕尼黑電子展

在剛剛結(jié)束的德國(guó)慕尼黑電子展（electronica Munich）上，PI 展出了其最新的1700V InnoMux-2產(chǎn)品。這款產(chǎn)品是業(yè)界首款170...

2024-11-26 標(biāo)簽：PI氮化鎵碳化硅 687 0

氮化鎵推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化,硅基氮化鎵（GaN－on－Si）技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。

2020-12-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 686 0

英諾賽科登陸港交所，氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域明星企業(yè)閃耀登場(chǎng)

近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場(chǎng)增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾賽科作為全...

2025-01-06 標(biāo)簽：電壓氮化鎵功率半導(dǎo)體 682 0

PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出InnoMux-2系列單級(jí)、獨(dú)立...

2024-11-05 標(biāo)簽：PI氮化鎵電源IC 681 0