納微半導(dǎo)體聯(lián)手Virtual Forest實(shí)現(xiàn)農(nóng)業(yè)碳凈零

納微半導(dǎo)體宣布，其先進(jìn)的GaNFast?氮化鎵功率芯片已被Virtual Forest公司采納，該公司是印度市場(chǎng)上消費(fèi)類電器、流體運(yùn)動(dòng)和移動(dòng)領(lǐng)域的佼佼者...

2024-05-06 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體 668 0

氮化鎵的技術(shù)日漸壯大

氮化鎵是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有高電子遷移率、高耐壓、高頻率等特性。相比傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵材料的帶隙寬度更大，能夠承受更高的電壓和溫度，同時(shí)具有更高...

2023-11-07 標(biāo)簽：led電源適配器氮化鎵 657 0

長電科技加速擴(kuò)充中大功率器件成品制造產(chǎn)能，面向第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)解決方案營收有望大幅增長

新能源汽車和光伏,儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)...

2023-09-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵長電科技 650 0

氮化鎵高電子遷移率晶體管CGH55030F1/CGH55030P1介紹

Wolfspeed的CGH55030F1/CGH55030P1是專門為高效率而設(shè)計(jì)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和寬帶寬性能；促...

2022-09-28 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 644 0

科雅X2安規(guī)電容用于良工67W氮化鎵快充插座

良工（lengon）是浙江寧波良工電器有限公司旗下電氣品牌，始創(chuàng)于1990年，其產(chǎn)品主要包括電源插座、轉(zhuǎn)換器、墻壁開關(guān)等。

2024-09-30 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器氮化鎵快充 643 0

第三代半導(dǎo)體氮化鎵成為電子領(lǐng)域的焦點(diǎn)

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個(gè)變化中，第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）技術(shù)成為了焦點(diǎn)，其對(duì)于充電器的性能和效率都帶來了革命性的...

2023-10-11 標(biāo)簽：芯片氮化鎵 641 0

納微半導(dǎo)體榮獲2022年CES創(chuàng)新獎(jiǎng)

　CES 創(chuàng)新獎(jiǎng)（CES Innovation Awards）計(jì)劃由消費(fèi)技術(shù)協(xié)會(huì)（CTA）? 運(yùn)營，是一項(xiàng)年度競(jìng)賽，旨在表彰 27 個(gè)消費(fèi)技術(shù)產(chǎn)品類別中...

2021-11-24 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體 636 0

不知道該如何選擇氮化鎵芯片？

GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件?？梢燥@著降低功率損耗和散熱負(fù)載，在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無線充電等領(lǐng)域，可...

2023-10-27 標(biāo)簽：芯片控制器氮化鎵 630 0

買家現(xiàn)身！這家氮化鎵晶圓代工廠收到10億元競(jìng)標(biāo)

來源：集邦化合物半導(dǎo)體 7月底，總部位于比利時(shí)奧德納爾德（Oudenaarde, Belgium）的硅基GaN（氮化鎵）晶圓代工廠宣布申請(qǐng)破產(chǎn)，近日傳出...

2024-08-29 標(biāo)簽：晶圓代工廠氮化鎵 629 0

GaN能否安全地提供快速充電和效率

　　關(guān)于氮化鎵（GaN）衍生功率器件的可行性，人們一直在進(jìn)行無休止的猜測(cè)和相當(dāng)多的懷疑，但Dialog半導(dǎo)體認(rèn)為它已經(jīng)破解了它?；贕aN的功率器件具有...

2022-10-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 628 0

淺談功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的狀況，增長勢(shì)頭過于強(qiáng)勁

Hanebeck曾提到英飛凌準(zhǔn)備斥資數(shù)十億歐元進(jìn)行收購。整合是我們?cè)谶^去幾年中觀察到的市場(chǎng)增長趨勢(shì)。特別是在寬帶隙半導(dǎo)體材料供應(yīng)方面，特別是碳化硅 (SiC)。

2023-02-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 622 0