PC1003K器件是一款單通道低端驅(qū)動(dòng)器，專為高速應(yīng)用中的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)（包括激光雷達(dá)、飛行時(shí)間測(cè)距、面部識(shí)別以及任何涉及低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的電源轉(zhuǎn)換器
2025-12-30 17:12:19
0 CGH27015F型號(hào)介紹 今天我要向大家介紹的是 MACOM 的一款放大器——CGH27015F。 它能夠提供高達(dá) 15 W 的峰值功率，并保持
2025-12-18 12:11:13
，并在 “GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices” 分會(huì)場(chǎng)首個(gè)亮相，標(biāo)志著氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）技術(shù)在移動(dòng)終端通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)歷史性突破。 ? 當(dāng)前移動(dòng)通信正
2025-12-18 10:08:20
1760 
CGH40045F型號(hào)介紹 今天我要向大家介紹的是 MACOM 的一款放大器——CGH40045F。 它在28伏特的電壓下工作，能夠爆發(fā)出高達(dá)55
2025-12-16 11:02:41
CHA8107-QCB兩級(jí)氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級(jí)氮化鎵（GaN）高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，選擇合適的晶體管對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor推出的MSD1819A-RT1G與NSVMSD1819A-RT1G通用放大器晶體管，了解它們的特性、參數(shù)以及應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-02 10:19:35304 
在電子電路設(shè)計(jì)中，合理選擇晶體管至關(guān)重要，它關(guān)乎著電路的性能、成本和空間利用。今天就來(lái)為大家詳細(xì)介紹ON Semiconductor的MUN2234、MMUN2234L、MUN5234、DTC124XE、DTC124XM3、NSBC124XF3這一系列數(shù)字晶體管。
2025-12-02 09:41:59320 
CGH40010F型號(hào)介紹： 今天我要向大家介紹的是 MACOM 的一款晶體管——CGH40010F。 它能夠在 DC 到 6 GHz 的頻率
2025-11-28 17:07:23
0.25 微米氮化鎵（GaN）工藝制造，具備高擊穿電壓、高電子遷移率等特性，顯著提升功率處理能力和開(kāi)關(guān)速度。無(wú)鉛環(huán)保設(shè)計(jì)：符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。評(píng)估板支持：可提供評(píng)估板，便于用戶進(jìn)行性能測(cè)試
2025-11-28 09:59:47
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的晶體管對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor的NSV1C300CT PNP晶體管，這款器件在低電壓、高電流應(yīng)用中展現(xiàn)出了出色的性能。
2025-11-26 15:15:05236 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，通用晶體管是極為常見(jiàn)且關(guān)鍵的元件。今天，我們就來(lái)深入了解一下onsemi的BC846BPDW1、BC847BPDW1、BC848CPDW1系列雙通用晶體管。
2025-11-26 14:34:50382 
溝道有效遷移率 (μeff) 通過(guò)載流子速度和驅(qū)動(dòng)電流影響MOSFET性能。它是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)之一 (CMOS) 技術(shù)。 隨著新型介電材料的出現(xiàn)，傳統(tǒng)的遷移率評(píng)估測(cè)量技術(shù)遇到了下一節(jié)中描述的許多問(wèn)題，導(dǎo)致測(cè)量誤差較大，因此需要一種新的遷移率提取技術(shù)。
2025-11-17 13:58:473040 
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過(guò)關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時(shí)，三極管Q
2025-11-17 07:42:37
現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
【2025年11月5日, 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車電子委員會(huì)（AEC）汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵（GaN）晶體管系列
2025-11-05 14:31:0559496 
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計(jì)。該系
2025-11-03 18:18:052815 
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過(guò)一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y(cè)試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
氧化物半導(dǎo)體（如In?O?）因其高電子遷移率（>10cm2/Vs）和低漏電流特性，成為下一代顯示技術(shù)和三維集成器件的理想候選材料。然而，傳統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)遷移率（μFE）的測(cè)量常因寄生電阻（Rs/d
2025-09-29 13:03:43950 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
，有沒(méi)有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇呢？本文將介紹一種電場(chǎng)型多值電壓選擇晶體管，之所以叫電壓型，是因?yàn)橥ㄟ^(guò)調(diào)控晶體管內(nèi)建電場(chǎng)大小來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇，原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場(chǎng)，通過(guò)外加電場(chǎng)來(lái)增大或減小
2025-09-15 15:31:09
AM010WX-BI-R是AMCOM品牌的一款砷化鎵高電子遷移率晶體管（GaAs pHEMT），選用陶瓷 BI 封裝，頻率范圍高達(dá) 12 GHz，適用于的L / S / C波段寬帶功率
2025-08-25 10:06:43
的首選材料。半導(dǎo)體元件，如晶體管、集成電路（IC）和二極管，通常在其成分中使用硅（Si）材料來(lái)執(zhí)行其設(shè)計(jì)功能。在電子產(chǎn)品主導(dǎo)的世界中，消費(fèi)者越來(lái)越尋求更小、更輕的設(shè)備
2025-08-21 06:40:348327 
CHK8101a99F CHK8101a99F 擁有令人驚嘆的功率輸出能力，高達(dá)20W的飽和輸出功率，仿佛擁有無(wú)窮的力量，能夠驅(qū)動(dòng)
2025-08-20 15:17:12
——CMPA2738060F。 它具有優(yōu)于硅或砷化鎵的優(yōu)異特性，包括更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與硅和砷化鎵晶體管相比，GaN HEMT 還能提供更高的功
2025-08-12 11:02:45
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。
2025-07-25 16:30:444488 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
）和接觸電阻（RC），結(jié)合電學(xué)表征和能帶分析，發(fā)現(xiàn)Ti電極因形成歐姆接觸且功函數(shù)差最小，顯著提升了遷移率和亞閾值擺幅等關(guān)鍵參數(shù)。1實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與制備flexfilm(a)
2025-07-22 09:53:001323 
在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進(jìn)步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)，專注于滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及電動(dòng)交通應(yīng)用對(duì)高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383208 
GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中，如全控型電力開(kāi)關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 相比
2025-07-09 11:13:063371 
氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)展現(xiàn)出卓越的性能，遷移率高達(dá)44.5cm2/Vs。在嚴(yán)苛的應(yīng)力測(cè)試中，這款晶體管連續(xù)穩(wěn)定工作近三小時(shí)，顯示出其在高壓和高溫等極端條件
2025-07-02 09:52:45831 
新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，助力打造兼具超高效率與卓越
2025-06-26 17:07:332034 Analog Devices Inc. HMC8413低噪聲放大器是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為 0.01GHz至9GHz。
2025-06-24 13:48:29727 
器件的特性。工作原理概述1.發(fā)光器件：晶體管光耦通常包含一個(gè)發(fā)光二極管（LED）作為光源。當(dāng)電流通過(guò)LED時(shí)，它會(huì)發(fā)出特定波長(zhǎng)的光。2.光敏器件：光耦的另一側(cè)是一個(gè)
2025-06-20 15:15:49731 
。在這種結(jié)構(gòu)中，n型晶體管（nFET）和p型晶體管（pFET）被集成在同一結(jié)構(gòu)中，但由絕緣壁（如氧化物或氮化物）隔開(kāi)。這種設(shè)計(jì)允許nFET和pFET之間的間距進(jìn)一步縮小，從而減少標(biāo)準(zhǔn)單元的面積。
叉
2025-06-20 10:40:07
CMPA0527005F 是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）功率放大器，由CREE公司生產(chǎn)。這款功放器在50V電源下工作，適用于0.5到2.7GHz
2025-06-17 16:08:25
CGH40180PP是一款由Wolfspeed生產(chǎn)的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），它是一款28伏工作電壓、180瓦功率的射頻（RF）和微波應(yīng)用晶體管，具有高達(dá)2.5吉赫茲的操作頻率
2025-06-17 16:01:30
CGH40120P 是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計(jì)。這款晶體管適用于多種射頻和微波應(yīng)用，如雙向無(wú)線電、寬帶放大器、蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施和測(cè)試儀器等
2025-06-17 15:58:01
CGH40090PP 是一款由Wolfspeed 生產(chǎn)的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），它是一款90瓦的射頻功率放大器。這款晶體管在28伏操作電壓下，提供高達(dá)2.5 GHz的操作頻率
2025-06-17 15:53:52
CGH35060P1 是一款由Wolfspeed 生產(chǎn)的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計(jì)。這款晶體管非常適合3.3-3.6 GHz WiMAX
2025-06-17 15:50:48
CGH27060F是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計(jì)。這款晶體管適用于VHF、3G、4G、LTE、2.3-2.9GHz WiMAX和BWA放大器應(yīng)用，工作頻段為VHF至3.0 GHz，小信號(hào)增益為14 dB，平均功率下的誤差矢量幅度
2025-06-17 15:47:10
CGH27030F是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），它專為高效率而設(shè)計(jì)，提供高增益和寬帶能力。這款晶體管適用于VHF通訊、3G、4G、LTE、2.3-2.9GHz WiMAX
2025-06-17 15:44:36
CMPA2560025F是一款基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）功率放大器，具有以下特點(diǎn)和應(yīng)用：### 產(chǎn)品描述- **技術(shù)基礎(chǔ)**：采用GaN
2025-06-17 15:36:41
CGH21120F是一種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)，專為高效率而設(shè)計(jì)；高增益和寬帶寬能力；這使得CGH21120F非常適合1.8–2.3-GHz WCDMA和LTE放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。
2025-06-17 15:34:20
CGH55030F1是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計(jì)。這款晶體管非常適合5.5-5.8GHz WiMAX和BWA放大器應(yīng)用，晶體管可在兩個(gè)
2025-06-17 15:29:17
CGH09120F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶能力而設(shè)計(jì)，這使得CGH09120F成為MC-GSM、WCDMA和LTE放大器應(yīng)用的理想選擇。該晶體管
2025-06-17 15:26:31
Analog Devices Inc. ADPA7002功率放大器是砷化鎵 (GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、單片微波集成電路 (MMIC)、28dBm (1/2W) 放大器。ADPA7002集成溫度補(bǔ)償片上功率檢測(cè)器，工作頻率范圍為18GHz至44GHz。
2025-06-17 10:15:19729 
pHEMT半導(dǎo)體技術(shù) 采用砷化鎵贗配高電子遷移率晶體管（GaAs pHEMT）工藝，該技術(shù)通過(guò)異質(zhì)結(jié)界面優(yōu)化，使電子遷移率提升至傳統(tǒng)工藝的3倍以上。這一特性直接支撐了： 載流子二維電子氣濃度達(dá)1.8×10
2025-06-16 11:35:53424 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SA1943 大功率功放管PNP型高壓晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SA1943是一款PNP型高壓晶體管，專為低頻或音頻放大，直流轉(zhuǎn)直流轉(zhuǎn)換器，其他高功率電路，其電壓-集電極
2025-06-05 10:18:15
在高k金屬柵之外，另一種等效擴(kuò)充的方法是增加通過(guò)器件溝道的電子或空穴的遷移率。表2.5列舉了一些提高器件載流子遷移率的手段及其對(duì) PMOS或者 NMOS的作用。
2025-05-30 15:19:561169 
橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。將這一材料體系擴(kuò)展至更高電壓等級(jí)需要器件設(shè)計(jì)和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)了臺(tái)灣研究團(tuán)隊(duì)在工程襯底上開(kāi)發(fā)1500V擊穿
2025-05-28 11:38:15669 
NPT2022 是一款由 MACOM 生產(chǎn)的寬帶 GaN（氮化鎵）HEMT（高電子遷移率晶體管），專為高頻、高功率射頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)。以下是其主要特性、參數(shù)和應(yīng)用信息：### 主要特性- **工作頻率
2025-05-22 15:40:33
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44806 溝道有效遷移率（μeff）是CMOS器件性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)測(cè)量方法在高k介質(zhì)、漏電介質(zhì)與高速應(yīng)用中易出現(xiàn)誤差。本文介紹了UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技術(shù)如何準(zhǔn)確提取遷移率，克服這些挑戰(zhàn)。
2025-05-19 14:28:331526 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）沿溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）或高電子遷移率晶體管（HEMT）垂直于溝道方向含有一個(gè)柵電極肖特基勢(shì)壘結(jié)。
2025-05-16 17:32:071122 
和更大跨導(dǎo)的短溝道場(chǎng)效應(yīng)器件。一般可以通過(guò)增加溝道摻雜濃度來(lái)實(shí)現(xiàn)。由于溝道區(qū)是對(duì)體半導(dǎo)體材料的摻雜而形成的，多數(shù)載流子與電離的雜質(zhì)共同存在。多數(shù)載流子受電離雜質(zhì)散射，從而使載流子遷移率減小，器件性能降低。
2025-05-15 17:43:47919 
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本文共分上下二冊(cè)。本文檔作為下冊(cè)主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路
2025-05-15 14:24:23
ULQ200xA-Q1 器件是高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列。每個(gè)由七對(duì) npn 達(dá)林頓對(duì)組成，這些對(duì)具有高壓輸出和共陰極箝位二極管，用于切換感性負(fù)載。單對(duì) Darlington 的集電極電流額定值為 500mA。Darlington 對(duì)可以并聯(lián)以獲得更高的電流能力。
2025-05-14 15:30:50874 
對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET器件，雖然因?yàn)闁艠O絕緣層的采用大大抑制了柵極漏流，但是硅溝道較低的電子遷移率也限制了其在超高頻、超高速等領(lǐng)域的應(yīng)用。
2025-05-14 11:14:591227 
在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過(guò)壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級(jí)電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
2025-05-08 16:30:141015 功率電子技術(shù)的快速發(fā)展，得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開(kāi)關(guān)速度。這些特性使得功率
2025-04-23 11:36:00780 
ADL8121是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為0.025 GHz至12 GHz。
2025-04-22 14:38:50791 
ADL8105是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為5 GHz至20 GHz。
2025-04-22 14:29:34759 
ADH8411S-CSH 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器，工作范圍為 0.01 至 10 GHz。
2025-04-22 14:03:06725 
ADH8412S-CSL是一種砷化鎵（GaAs）、單片微波集成電路（MMIC）、偽晶高電子遷移率晶體管（pHEMT）、低噪聲寬帶放大器，工作頻率為0.4 GHz至11 GHz。
2025-04-22 10:07:33751 
，有沒(méi)有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇呢？本文將介紹一種電場(chǎng)型多值電壓選擇晶體管，之所以叫電壓型，是因?yàn)橥ㄟ^(guò)調(diào)控晶體管內(nèi)建電場(chǎng)大小來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇，原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場(chǎng)，通過(guò)外加電場(chǎng)來(lái)增大或減小
2025-04-15 10:24:55
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨器電路設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作，進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55
單片雙向開(kāi)關(guān)(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵推動(dòng)者。基于橫向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術(shù)具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可有效應(yīng)用于BDS器件開(kāi)發(fā)。本文將概述BDS的應(yīng)用場(chǎng)
2025-04-09 10:57:40896 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過(guò)EMC,原裝現(xiàn)貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件
2025-03-31 14:26:10
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新，智能功率氮化鎵（GaN）成為備受矚目的關(guān)鍵技術(shù)。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓的特性，以及智能控制電路和功能，能實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換、低能耗和高功率密度，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、通信等多個(gè)領(lǐng)域，極大地推動(dòng)了電子產(chǎn)品的升級(jí)和工業(yè)設(shè)備性能的提升。
2025-03-24 11:37:571472 
HMC788A是一款0.01 GHz至10 GHz、增益模塊、單芯片微波集成電路(MMIC)放大器，采用砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)技術(shù)制造。
此款2 mm × 2
2025-03-21 14:33:54862 
HMC1132PM5E 是一款四級(jí)、砷化鎵(GaAs)假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)功率放大器。該器件工作頻率范圍為 27 GHz 至 32 GHz，提供 24 dB 增益和 29.5 dBm 飽和輸出功率，并采用 5 V 電源供電。
2025-03-11 10:19:23780 
HMC1082CHIP是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)驅(qū)動(dòng)放大器，工作頻率范圍為5.5 GHz至18 GHz。HMC1082CHIP提供
2025-03-11 09:11:06847 
ADL8107是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波IC (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶、高線性度放大器，工作頻率范圍為6 GHz至18 GHz。
2025-03-10 14:14:07970 
ADL8105是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為5 GHz至20 GHz。
2025-03-10 11:45:461070 
ADL8102是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為1 GHz至22 GHz。
2025-03-10 10:25:58960 
ADH8412S-CSL 是一種砷化鎵 （GaAs） 整體微波 集成電路 （MMIC），假晶高電子 遷移率晶體管 （pHEMT），低噪聲寬帶放大器，用于 工作頻率范圍為 0.4 GHz 至 11 GHz。
2025-03-10 09:41:45831 
本書(shū)主要介紹了晶體管，F(xiàn)ET和Ic，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨電路的設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
2025-03-07 13:55:19
本書(shū)主要介紹了晶體管和FET的工作原理，放大電路的工作，增強(qiáng)輸出的電路，小型功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，拓寬頻率特性，視頻選擇器的設(shè)計(jì)和制作，渥爾曼電路的設(shè)計(jì)，負(fù)反饋放大電路的設(shè)計(jì)，直流穩(wěn)定電源的設(shè)計(jì)與制作，差動(dòng)放大電路的設(shè)計(jì)，op放大器電路的設(shè)計(jì)與制作等
2025-03-07 13:46:06
HMC349AMS8G是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)、單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)，額定頻率范圍為100 MHz至 4 GHz。
HMC349AMS8G非常適合蜂窩
2025-03-05 15:51:181078 
HMC347B 是一款寬頻、非反射、砷化鎵 (GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、單刀雙擲 (SPDT)、單片微波集成電路 (MMIC) 芯片。因?yàn)椴捎闷瑑?nèi)通孔結(jié)構(gòu)，該交換芯片
2025-03-05 14:12:14955 
。 ? 目的 ?：本手冊(cè)詳細(xì)闡述了氮化鎵（GaN）晶體管并聯(lián)設(shè)計(jì)的具體細(xì)節(jié)，旨在幫助設(shè)計(jì)者優(yōu)化系統(tǒng)性能。 二、氮化鎵的關(guān)鍵特性及并聯(lián)好處 1. 關(guān)鍵特性 ? 正溫度系數(shù)的R DS(on) ?：有助于并聯(lián)器件的熱平衡。 ? 穩(wěn)定的門檻電壓V GS(th) ?：在工作
2025-02-27 18:26:311103 高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）具有極高的開(kāi)關(guān)速度，因此準(zhǔn)確的測(cè)量技術(shù)對(duì)評(píng)估其性能至關(guān)重要。 ? 內(nèi)容概覽
2025-02-27 18:06:411061 器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實(shí)現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢(shì)：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-27 07:20:334534 這本書(shū)介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設(shè)計(jì)與制作， 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作，3~5管電路的設(shè)計(jì)與制作，6管以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書(shū)中具體內(nèi)容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應(yīng)，雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46
HFA3134和HFA3135是采用Intersi1公司的互補(bǔ)雙極UHF-1X工藝制造的超高頻晶體管對(duì)，NFN晶體管的fT為8.5CHz，而FPNP晶體管的為7CHz。這兩種類型都表現(xiàn)出低噪聲，使其
2025-02-26 09:29:07866 
器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實(shí)現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢(shì)：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-26 04:26:491183 HFA3134 和 HFA3135 是超高頻晶體管，采用 Intersil Corporation 的互補(bǔ)雙極 UHF-1X 工藝制造。NPN 晶體管的 fT 為 8。5GHz，而 PNP 晶體管
2025-02-25 17:26:35897 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 17:19:09953 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:15:33859 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:05:09826 
?在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，電子元件的創(chuàng)新成為推動(dòng)各領(lǐng)域進(jìn)步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），以其卓越性能在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域掀起波瀾
2025-02-18 16:47:25949 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MJD31CA NPN高功率雙極晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-14 16:19:460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高級(jí)SPICE模型.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 15:23:257 在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場(chǎng)景中嶄露頭角，成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對(duì)于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 
，引入了“氮化鎵（GaN）”的充電器和傳統(tǒng)的普通充電器有什么不一樣呢？今天我們就來(lái)聊聊。材質(zhì)不一樣是所有不同的根本
傳統(tǒng)的普通充電器，它的基礎(chǔ)材料是硅，硅也是電子行業(yè)內(nèi)非常重要的材料。但隨著硅的極限逐步
2025-01-15 16:41:14
電能的高效轉(zhuǎn)換。同步整流芯片的加入則有效地解決了能量損耗問(wèn)題。今天介紹的是35W氮化鎵電源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116！
2025-01-15 16:08:501733 1月8日消息，日本豐田合成株式會(huì)社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開(kāi)發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 據(jù)介紹，與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221358
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