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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包...
充電器和適配器等快充設(shè)備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯(lián)寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高...
深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：18...
設(shè)計(jì)人員在電動和混合動力汽車中提高能量轉(zhuǎn)換效率的重點(diǎn)是配備緊湊封裝和組裝的高熱可靠性電力電子模塊的設(shè)備，以減少開關(guān)損耗。
來源：德州儀器 氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高...
NexGen垂直GaN半導(dǎo)體 預(yù)計(jì)2023年第三季度全面生產(chǎn)
該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發(fā)布的700V 和 1200V樣品。
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商 KYOCERA AVX Comp...
氮化鎵電源IC U872XAHE系列是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電...
2025-06-20 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵電源IC 495 0
在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團(tuán)隊(duì)優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?...
在當(dāng)今的電力電子產(chǎn)品中，質(zhì)量和可靠性是既定的，設(shè)計(jì)重點(diǎn)是最大限度地提高效率和功率密度，同時(shí)最大限度地降低成本。工作頻率的急劇增加挑戰(zhàn)了當(dāng)前的設(shè)計(jì)實(shí)踐，以...
至2023整個(gè)財(cái)年，英飛凌預(yù)計(jì)營收將達(dá)到約155億歐元（±5億歐元）。如果營收為預(yù)測區(qū)間的中點(diǎn)，則調(diào)整后的毛利潤率預(yù)計(jì)將達(dá)到45%左右，利潤率在25%左...
羅姆與臺積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Comp...
恒功率控制方式通過精確的控制策略和先進(jìn)的電子技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸入或輸出參數(shù)（如電壓、電流等），使得系統(tǒng)...
近日，在2025上海國際車展上，吉利與雷諾合資的浩思動力攜Gemini小型增程器驚艷亮相。這款超級集成動力系統(tǒng)搭載聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的氮化鎵器件，憑借高...
在氮化鎵藍(lán)光?VCSEL?發(fā)展方面，1996年?Redwing?等人成功制作了第一個(gè)室溫下光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL，其元件結(jié)構(gòu)由10?μm?厚的GaN...
據(jù)悉，10 月 17 日， 中芯聚源私募基金管理（上海）有限公司 （以下簡稱“中芯聚源”）董事長高永崗、董事總經(jīng)理趙滄波一行參觀考察武漢鑫威源電子科技有...
2024-10-22 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體激光器中芯聚源 469 0
從去年至今，我國氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底，再到最新的8英寸外延片，我國氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)越來越成熟。
突破電力效能邊界：ZN70C1R460D 氮化鎵晶體管重磅登場！
?在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，電子元件的創(chuàng)新成為推動各領(lǐng)域進(jìn)步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（...
有獎(jiǎng)直播 | 羅姆氮化鎵電源技術(shù)開創(chuàng)高效小型化未來
ROHM擁有多年電源產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，近年更以寬能隙半導(dǎo)體GaN產(chǎn)品線，提供客戶中低壓功率組件更多的選擇。超低導(dǎo)通電阻加上優(yōu)異的高速開關(guān)性能，絕對值得您深入了解。
2024-10-16 標(biāo)簽：電源氮化鎵羅姆半導(dǎo)體 452 0
國產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體，國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應(yīng)用場景上的優(yōu)勢，使其在汽車、工業(yè)和新能源領(lǐng)域...
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