氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

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2025-06-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 429 0

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2025-04-27 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵納微半導(dǎo)體 429 0

MOFEST市場(chǎng)是否會(huì)被氮化鎵取代？

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初步了解納微雙向氮化鎵開關(guān)

似乎我們的所有設(shè)備，都只能一味地“索取”電能，但你有沒有想過，有一天我們的電子設(shè)備也能在電網(wǎng)需要時(shí)，將儲(chǔ)存的電能反向輸送。

2025-04-15 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片雙向開關(guān) 419 0

浮思特 | 攻克GaN材料挑戰(zhàn)：實(shí)現(xiàn)性能突破的關(guān)鍵

GaN技術(shù)正迎來其高光時(shí)刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關(guān)、低能耗和優(yōu)異熱性能等優(yōu)勢(shì)，完美契合當(dāng)今AI基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車平臺(tái)、可再生能源和工業(yè)控制等...

2025-05-27 標(biāo)簽：材料氮化鎵 GaN 418 0

為什么碳化硅和氮化鎵擁有著巨大的市場(chǎng)潛力？

與傳統(tǒng)硅相比，這些因素轉(zhuǎn)化為許多好處，包括更小的體積、更快的速度、更高效和更可靠的運(yùn)行能力。

2023-02-27 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 415 0

PI氮化鎵反激式開關(guān)IC產(chǎn)品介紹

InnoSwitch3-EP和InnoSwitch4-QR氮化家反激式開關(guān)IC專為服務(wù)器、個(gè)人電腦待機(jī)電源以及功率高達(dá)220W、電壓高達(dá)1250V的工業(yè)...

2025-05-30 標(biāo)簽：反激式電源氮化鎵開關(guān)IC 410 0

芯干線榮獲2025中國IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度最佳功率器件/寬禁帶器件

此前，2025年3月27-28日，全球前沿的電子行業(yè)媒體機(jī)構(gòu) AspenCore，在上海金茂君悅大酒店成功舉辦了“國際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)(IIC S...

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浩思動(dòng)力推Gemini微型增程器，首搭氮化鎵模塊引關(guān)注

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直播預(yù)告 | @7/8 Innoscience SolidGaN領(lǐng)航氮化鎵技術(shù)，煥新便攜光儲(chǔ)市場(chǎng)

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