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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

如何采用碳化硅設(shè)計高效可再生能源系統(tǒng)呢？

太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在促使能源網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)現(xiàn)代化，以提高其韌性，滿足全球能源需求并減少總體碳排放量。

2023-09-11 標(biāo)簽：二極管 MOSFET PCB布局 346 0

淺談SiC MOSFET的驅(qū)動與保護

米勒平臺產(chǎn)生的原因，是在MOSFET開通過程中，當(dāng)DS之間電壓從高到低跳變時，門極電流給柵-漏之間的寄生電容Cgd充電，不給柵-源電容Cgc充電，從而V...

2023-09-08 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET IGBT 1920 0

晶圓靜電吸附（ESC）詳解

什么是真空吸盤？晶圓真空吸盤通常由堅硬的表面構(gòu)成，表面上有許多小孔或通道。通過這些小孔，吸盤可以與真空泵連接，從而產(chǎn)生真空效應(yīng)。

2023-09-08 標(biāo)簽：晶圓溫度控制芯片封裝 4824 0

碳化硅（SiC）相較于硅（Si）有哪些優(yōu)勢！

硅碳化物(SiC)技術(shù)已經(jīng)達到了臨界點，即無可否認的優(yōu)勢推動一項技術(shù)快速被采用的狀態(tài)。

2023-09-07 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 2313 0

半導(dǎo)體材料的發(fā)展階段

作為“二十世紀(jì)最重要的新四大發(fā)明”之一，半導(dǎo)體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天，從人工智能到生物醫(yī)學(xué)，半導(dǎo)體無處不在，深刻地塑造著我們生活的方方面面。

2023-09-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 SiC 1562 0

碳化硅設(shè)計創(chuàng)新以實現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型

推動電動汽車市場發(fā)展的綠色意識和法規(guī)推動了電池技術(shù)和基于碳化硅的設(shè)計的創(chuàng)新，以實現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型。

2023-09-07 標(biāo)簽：電動汽車太陽能電池電池充電器 447 0

基于碳化硅的可再生能源系統(tǒng)設(shè)計挑戰(zhàn)

太陽能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化，以提高彈性，滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統(tǒng)必須在惡劣的環(huán)境中盡可能高效，...

2023-09-06 標(biāo)簽：MOSFET 太陽能逆變器 670 0

碳化硅功率半導(dǎo)體工藝流程

首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC，通過物理氣相傳輸（PVT）制備單晶第二，使用多線切割設(shè)備切割SiC，晶體切成薄片，厚度不超過1毫米 ...

2023-09-06 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體光刻膠碳化硅 1638 0

SiC相較于Si的優(yōu)勢是什么？碳化硅的實際應(yīng)用優(yōu)勢

如今，大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應(yīng)用于M...

2023-09-05 標(biāo)簽：二極管太陽能半導(dǎo)體 1916 0

山大與南砂晶圓團隊在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面的突破

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料, 具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率、強化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)良特性

2023-08-31 標(biāo)簽：電動汽車 SiC 碳化硅 1217 0

一種基于實際頻率測量的多頻方法來構(gòu)建復(fù)頻率光波

超透鏡Superlenses是由等離子體激元材料和超材料制成的，并在亞衍射尺度上，實現(xiàn)特征成像。

2023-08-31 標(biāo)簽：傳感器衰減器 SiC 1357 0

不同類型的碳化硅功率器件

目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅...

2023-08-31 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 半導(dǎo)體 772 0

使用碳化硅進行雙向車載充電機設(shè)計

電動汽車（EV）車載充電機（OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動機車等應(yīng)用中的不到2kW，到高端電動汽車中的22kW不等。傳統(tǒng)上，...

2023-08-30 標(biāo)簽：電動汽車 SiC 碳化硅 1423 0

怎樣通過并聯(lián)碳化硅MOSFET獲得更多功率呢？

為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。

2023-08-29 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器電源電路 821 0

碳化硅VJFET的動態(tài)電路模型設(shè)計

在電子儀器行業(yè)中，寬帶隙半導(dǎo)體已被證明比傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體更有利可圖和有效。寬帶隙碳化硅（SiC）半導(dǎo)體是市場上最先進的半導(dǎo)體之一。

2023-08-29 標(biāo)簽：電容器 SCR VHDL語言 1069 0

B2M碳化硅MOSFET在LLC、移相全橋型電源應(yīng)用中的優(yōu)勢

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-08-29 標(biāo)簽：MOSFET LLC 碳化硅 1582 0

影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的因素有哪些？

碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。

2023-08-28 標(biāo)簽：MOSFET 功率轉(zhuǎn)換器體二極管 1688 0

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串?dāng)_問題

碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時間），較低的損耗，更高的開關(guān)頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應(yīng)地帶來效率的替身，系統(tǒng)磁性元器件減小，功率...

2023-08-27 標(biāo)簽：二極管 IGBT SiC 5030 0

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎？

MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管體二極管 745 0

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢？

始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料，其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。

2023-08-23 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器 IGBT 1382 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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碳化硅技術(shù)

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