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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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評估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性
由于其極低的開關(guān)損耗,碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而,在確定這些設(shè)備是否是實際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實...
碳化硅(SiC)芯片設(shè)計的一些關(guān)鍵考慮因素
芯片表面一般是如圖二所示,由源極焊盤(Source pad),柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。
Wolfspeed不斷發(fā)展以應(yīng)對供應(yīng)挑戰(zhàn)并推出高性能Gen 3+芯片
碳化硅(SiC)長期以來一直被稱為功率器件的理想半導(dǎo)體技術(shù),通過設(shè)計和制造創(chuàng)新,通過提供更高的功率密度,更好的高速開關(guān)性能,更高的擊穿場,更高的導(dǎo)熱性,...
首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC,通過物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 第二,使用多線切割設(shè)備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過1毫米 ...
2023-09-06 標簽:功率半導(dǎo)體光刻膠碳化硅 1638 0
“OBC系統(tǒng)解決方案設(shè)計指南”又上新了,第一篇文章介紹了系統(tǒng)用途、系統(tǒng)實施方法、系統(tǒng)說明、市場趨勢和標準等,本文將繼續(xù)介紹解決方案概述及拓撲。
我國擁有世界最大的汽車消費市場,為堅持可持續(xù)發(fā)展基本國策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟的電動汽車[1]?車主因擔(dān)心駕駛電動汽車突然沒電引起的焦慮問題主要有...
碳化硅(SiC)功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來,汽車行業(yè)向電力驅(qū)動的轉(zhuǎn)變推動了碳化硅(SiC)應(yīng)用的增長, 也...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢介紹
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。
中國碳化硅襯底價格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了
國際半導(dǎo)體IDM廠商,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等,在中國市場仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補充,外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...
青銅劍技術(shù)基于二代ASIC芯片即插即用的驅(qū)動器6CP0215T12-A11
6CP0215T12-A11是專門針對1200V及以下電壓等級HPD封裝碳化硅MOSFET模塊設(shè)計的六通道、緊湊型驅(qū)動器,可直接焊接在模塊上,即插即用無...
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時消耗電力更少,持久性和可靠性更強,將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...
碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的二極管,具有良好的耐腐蝕性、耐磨性、抗拉強度和抗壓強度等特性,可以用于電路中的放大、檢測、控制等功能。
基本半導(dǎo)體榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎
深圳本土第三代半導(dǎo)體科創(chuàng)企業(yè)——深圳基本半導(dǎo)體有限公司旗下車規(guī)級全碳化硅功率模塊(BMB200120P1)榮獲優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎。
在切割脆性 SiC 晶片時,必須減少或完全消除機械鋸切的邊緣崩裂現(xiàn)象。單晶切割還應(yīng)將材料的機械變化降至最低。同時還應(yīng)優(yōu)先考慮最大限度地減小切口寬度,以限...
從6寸把它發(fā)展到8寸,這樣在襯底上做出來的器件,就可以降低單個器件的襯底所占的成本,這是一個國際上發(fā)展的趨勢。
用于碳化硅的Aehr測試系統(tǒng)的技術(shù)差距
Advantes和 Teradyne最知名的是自動化測試設(shè)備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對齊,并與晶圓上的電路進行物...
2023-04-04 標簽:SiCGaN半導(dǎo)體制造 1582 0
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