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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

SiC器件的工作原理與主要優(yōu)勢！

在追求能源效率和對高性能電力電子系統(tǒng)的需求不斷增長的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩(wěn)定性，正在變革傳統(tǒng)功率電子技術(shù)。

2024-04-18 標(biāo)簽：電動汽車功率器件 SiC 2k 0

使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗

2023-11-23 標(biāo)簽：MOSFET 電磁干擾 SiC 2k 0

碳化硅在電力電子器件中的優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能，在電力電子行業(yè)中越來越受歡迎。

2023-11-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子器件 SiC 2k 0

碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

為了提高OBC系統(tǒng)的能效，人們研究了不同的PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括傳統(tǒng)PFC、半無橋PFC、雙向無橋PFC和圖騰柱無橋PFC。

2021-04-14 標(biāo)簽：電動汽車二極管安森美半導(dǎo)體 2k 0

SiC的物性和特征

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 2k 0

碳化硅電源的設(shè)計注意事項

碳化硅（SiC）是一種成熟的器件技術(shù)，在 900 V 至 1，200 V 以上的高壓、高開關(guān)頻率應(yīng)用中，與硅（Si）技術(shù)（包括硅超結(jié) （SJ） ...

2023-05-24 標(biāo)簽：IGBT 晶體管碳化硅 2k 0

碳化硅MOSFET芯片設(shè)計及發(fā)展趨勢

隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴展。

2023-08-10 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器芯片設(shè)計 2k 0

碳化硅SiC芯片封裝：銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘

隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而，要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢，封裝技術(shù)起著...

2025-03-05 標(biāo)簽：芯片 SiC 碳化硅 1.9k 0

中等功率應(yīng)用是Wolfspeed WolfPACK功率模塊“最理想的應(yīng)用場合”

經(jīng)過 30 多年的碳化硅（SiC）研發(fā)，我們目前的產(chǎn)品組合中包含各種 SiC 肖特基二極管、MOSFET 和功率模塊，涵蓋了廣泛的功率要求。相較于硅（S...

2023-05-20 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器晶體管碳化硅 1.9k 0

碳化硅襯底片比較重要的參數(shù)有哪些？

Lattice Parameters：晶格參數(shù)。確保襯底的晶格常數(shù)與將要生長的外延層相匹配，以減少缺陷和應(yīng)力。

2024-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.9k 0

碳化硅的主要特性是什么？為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT？

碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）材料家族。

2023-08-12 標(biāo)簽：MOSFET 電源模塊 SiC 1.9k 0

SiC MOSFET的短路特性和短路保護方法

在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。

2025-03-12 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 1.9k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢介紹

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。

2024-01-03 標(biāo)簽：逆變器電機驅(qū)動功率器件 1.9k 0

為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si？

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導(dǎo)體具有很高的機械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。

2023-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT SiC 1.9k 0

深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（M...

2024-04-10 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管 SiC 1.9k 0

青銅劍技術(shù)基于二代ASIC芯片即插即用的驅(qū)動器6CP0215T12-A11

6CP0215T12-A11是專門針對1200V及以下電壓等級HPD封裝碳化硅MOSFET模塊設(shè)計的六通道、緊湊型驅(qū)動器，可直接焊接在模塊上，即插即用無...

2023-04-23 標(biāo)簽：驅(qū)動器碳化硅 1.9k 0

碳化硅功率模塊建模

2021-09-13 標(biāo)簽：碳化硅 1.9k 0

寬禁帶器件和仿真環(huán)境介紹

寬禁帶材料實現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電...

2020-05-28 標(biāo)簽：功率MOSFET 碳化硅寬禁帶 1.9k 0

影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的因素有哪些？

碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。

2023-08-28 標(biāo)簽：MOSFET 功率轉(zhuǎn)換器體二極管 1.9k 0

碳化硅的特性、應(yīng)用及動態(tài)測試

SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱，是一種用途廣泛的材料。

2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.9k 0

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