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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相比于傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場擊穿強度和更高的載流子遷移率等特點。

2024-04-10 標簽：電動汽車功率器件 SiC 1854 0

關(guān)于碳化硅你了解多少

碳和硅的原子序數(shù)分別為6和14，在元素周期表中處于碳族元素的第二和第三周期，即上下相鄰的位置。這種位置關(guān)系，表明它們在某些方面具有類似的性質(zhì)。

2023-02-02 標簽：SiC 金剛石碳化硅 1853 0

測量DBC陶瓷基板在功率模塊的散熱和熱穩(wěn)定性功能

碳化硅和氮化鎵是寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體，也是被認為要求更高功率和更高溫度的電力電子應(yīng)用最佳材料。由于這些WBG半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能，如寬禁帶(>3...

2022-09-27 標簽：功率模塊碳化硅陶瓷基板 1831 0

碳化硅MOSFET芯片設(shè)計及發(fā)展趨勢

隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴展。

2023-08-10 標簽：MOSFET 逆變器芯片設(shè)計 1797 0

碳化硅器件在光伏逆變器中的應(yīng)用

光伏發(fā)電是SiC器件除新能源汽車領(lǐng)域外的第二大應(yīng)用領(lǐng)域。光伏逆變器作為光伏電站的轉(zhuǎn)換設(shè)備，主要作用是將太陽電池組件產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)化為交流電。隨著光伏產(chǎn)業(yè)...

2023-11-06 標簽：光伏發(fā)電 SiC 光伏逆變器 1796 0

激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用

本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-04-23 標簽：半導(dǎo)體激光封裝 1785 0

碳化硅功率模塊建模

2021-09-13 標簽：碳化硅 1784 0

碳化硅二極管優(yōu)于同行的8個原因

SiC的導(dǎo)熱性比Si好近3.5倍，使其每單位面積可以耗散更多的功率（熱量）。雖然封裝可能是連續(xù)運行期間的限制因素，但SiC提供的顯著額外裕量為易受瞬態(tài)熱...

2023-10-12 標簽：二極管功率轉(zhuǎn)換器碳化硅 1774 0

有趣的材料—無處不在的碳化硅

電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣，航空航天、石油探測領(lǐng)域前景廣闊，在熱導(dǎo)率、擊穿場等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體材...

2023-03-24 標簽：電子器件 SiC 碳化硅 1773 0

森國科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標

繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品，相較...

2023-07-20 標簽：MOSFET MOS 體二極管 1771 1

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng)，即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導(dǎo)...

2023-06-07 標簽：肖特基二極管碳化硅 1761 0

氮化鎵和碳化硅誰將贏得寬帶隙之戰(zhàn)？

氮化鎵和碳化硅正在爭奪主導(dǎo)地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。

2023-08-07 標簽：led照明充電器氮化鎵 1760 0

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的歷史可以追溯到1891年，由愛德華·古德里奇·艾奇遜（Edward Goodrich Acheson）在嘗試合成人造金剛石的過程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇...

2024-10-23 標簽：半導(dǎo)體晶體 SiC 1759 0

如何在中試線上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底？

從實際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降...

2023-06-20 標簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 1758 0

碳化硅如何能夠提升開關(guān)電源設(shè)計

一個關(guān)鍵的比較參數(shù)是導(dǎo)通電阻RDS（on）。硅MOSFET表面的參數(shù)看起來比SiC更好，但由于其較低的倍增系數(shù)（κ），在100℃時，一個84mΩ的Coo...

2021-04-14 標簽：MOSFET 開關(guān)電源碳化硅 1754 0

寬禁帶器件和仿真環(huán)境介紹

寬禁帶材料實現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電...

2020-05-28 標簽：功率MOSFET 碳化硅寬禁帶 1738 0

碳化硅的主要特性是什么？為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT？

碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）材料家族。

2023-08-12 標簽：MOSFET 電源模塊 SiC 1737 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較！

碳化硅（SiC）技術(shù)改進了各種應(yīng)用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現(xiàn)...

2023-02-24 標簽：晶體管 SiC GaN 1733 0

深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（M...

2024-04-10 標簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管 SiC 1709 0

碳化硅在電力電子器件中的優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能，在電力電子行業(yè)中越來越受歡迎。

2023-11-08 標簽：半導(dǎo)體電力電子器件 SiC 1709 0

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