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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊

Nexperia與KYOCERA AVX Components(薩爾茨堡)合作，為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊。新型功率器件專為工業(yè)電...

2023-10-13 標(biāo)簽：整流器高頻電源碳化硅 1937 0

一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶...

2024-03-07 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件互連技術(shù) 1937 0

晶圓劃片機(jī)的技術(shù)指標(biāo)有哪些？晶圓劃片機(jī)選擇因素有哪些？

晶圓劃片機(jī)是一種用于將半導(dǎo)體晶圓切割成小尺寸芯片的設(shè)備。它在半導(dǎo)體制造過程中起著關(guān)鍵的作用。

2023-08-21 標(biāo)簽：硅晶圓劃片機(jī)碳化硅 1932 0

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域有哪些應(yīng)用呢？

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面

2023-07-30 標(biāo)簽：新能源汽車電機(jī)控制器功率器件 1931 0

淺談SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)

米勒平臺(tái)產(chǎn)生的原因，是在MOSFET開通過程中，當(dāng)DS之間電壓從高到低跳變時(shí)，門極電流給柵-漏之間的寄生電容Cgd充電，不給柵-源電容Cgc充電，從而V...

2023-09-08 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET IGBT 1927 0

SiC相較于Si的優(yōu)勢(shì)是什么？碳化硅的實(shí)際應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

如今，大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個(gè)相對(duì)新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應(yīng)用于M...

2023-09-05 標(biāo)簽：二極管太陽(yáng)能半導(dǎo)體 1925 0

特斯拉如何減少75%的碳化硅的使用？

在特斯拉投資者大會(huì)上，特斯拉表示下一代汽車平臺(tái)的動(dòng)力總成中將減少75%的碳化硅使用。

2023-03-14 標(biāo)簽：微控制器電動(dòng)汽車 SiC 1924 0

SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化方案

在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫...

2023-08-03 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 1913 0

用于電力電子設(shè)計(jì)的高性能SiC MOSFET技術(shù)

一個(gè)合適的設(shè)備概念應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)配置文件的需求，而無需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大更改。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍將是所選設(shè)備概念的低面積...

2022-07-28 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1912 0

碳化硅二極管的應(yīng)用

碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

2023-02-05 標(biāo)簽：二極管 SiC 碳化硅 1900 0

揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

眾所周知，對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)...

2023-04-06 標(biāo)簽：芯片 MOSFET SiC 1898 0

為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問課件...

2024-12-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 1896 0

2022年開工第一天，派恩杰半導(dǎo)體在全球首推PD 快充的碳化硅應(yīng)用方案

派恩杰半導(dǎo)體在此65W USB PD快充方案中，在不更改任何驅(qū)動(dòng)參數(shù)條件下與傳統(tǒng)硅功率器件650V/125mohm進(jìn)行性能比較，在滿載條件下完整展現(xiàn)...

2022-02-08 標(biāo)簽：碳化硅 USB PD 派恩杰 1891 0

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特...

2024-03-28 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 安森美 1888 0

淺談碳化硅流程的核心技術(shù)

一種是通過生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件；另一種是通過生長(zhǎng)氮化鎵異質(zhì)外延...

2023-06-03 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵碳化硅 1884 0

碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

為了提高OBC系統(tǒng)的能效，人們研究了不同的PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括傳統(tǒng)PFC、半無橋PFC、雙向無橋PFC和圖騰柱無橋PFC。

2021-04-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車二極管安森美半導(dǎo)體 1884 0

陽(yáng)光電動(dòng)力混合動(dòng)力雙電機(jī)控制器四大關(guān)鍵

針對(duì)整車發(fā)動(dòng)機(jī)艙裝配空間有限的痛點(diǎn)，HEM系列控制器基于并聯(lián)模組一體化集成設(shè)計(jì)，應(yīng)用注塑銅排，減少絕緣空間占用，結(jié)構(gòu)更加緊湊，實(shí)現(xiàn)高功率密度。

2023-10-09 標(biāo)簽：發(fā)動(dòng)機(jī)控制器電機(jī)控制器 1881 0

國(guó)產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)

SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

2023-06-19 標(biāo)簽：新能源汽車晶圓 SiC 1880 0

碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特性！

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢(shì)，包括10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，3倍的帶隙，以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...

2022-11-21 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1859 0

碳化硅相對(duì)于硅的優(yōu)勢(shì)

在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅（SiC）器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。

2023-11-07 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器逆變器 IGBT 1854 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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