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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2675個(gè) 瀏覽：51435次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      SiC功率器件和模塊！

      SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)（擊穿場(chǎng)）和帶隙...

      2022-11-22 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2.3k 0

      SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化方案

      SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化方案

      在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫...

      2023-08-03 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 2.3k 0

      使用SpeedFit 2.0設(shè)計(jì)模擬器快速啟動(dòng)基于碳化硅的設(shè)計(jì)

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      了解電源中碳化硅 （SiC） MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計(jì)過程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比，作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，可視化這些碳化硅組件...

      2023-05-20 標(biāo)簽：電源MOSFET碳化硅 2.3k 0

      碳化硅電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)電磁兼容建模技術(shù)研究

      碳化硅功率器件依托其開關(guān)性能的優(yōu)勢(shì)，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛地應(yīng)用，然而，其過快的開關(guān)響應(yīng)速度及過大的開關(guān)振蕩給系統(tǒng)帶來了嚴(yán)重的EMI問題。通過采用理...

      2023-04-07 標(biāo)簽：電磁兼容驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件 2.3k 0

      國(guó)產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)

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      SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

      2023-06-19 標(biāo)簽：新能源汽車晶圓SiC 2.3k 0

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      一個(gè)合適的設(shè)備概念應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)配置文件的需求，而無需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大更改。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍將是所選設(shè)備概念的低面積...

      2022-07-28 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 2.3k 0

      SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹

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      過去三十年，碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...

      2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體晶圓 2.3k 0

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      在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅（SiC）器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。

      2023-11-07 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器逆變器IGBT 2.3k 0

      半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程

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      2023-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.3k 0

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      2024-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.3k 0

      淺談碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

      碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類似。

      2024-01-25 標(biāo)簽：晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 2.3k 0

      探討碳化硅材料在制備晶圓過程中的關(guān)鍵技術(shù)和優(yōu)勢(shì)

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      隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展和對(duì)高效能電子器件的需求不斷增長(zhǎng)，傳統(tǒng)硅材料在面對(duì)一些特殊應(yīng)用場(chǎng)景時(shí)已經(jīng)顯示出其局限性。

      2023-12-25 標(biāo)簽：傳感器無線通信漏電流 2.3k 0

      碳化硅原理及應(yīng)用

      碳化硅是一種半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的，具有高熔點(diǎn)、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。

      2023-02-14 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2.3k 0

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      2024-08-20 標(biāo)簽：二極管安森美碳化硅 2.2k 0

      特斯拉如何減少75%的碳化硅的使用？

      在特斯拉投資者大會(huì)上，特斯拉表示下一代汽車平臺(tái)的動(dòng)力總成中將減少75%的碳化硅使用。

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      2024-02-29 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2.2k 0

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      晶圓劃片機(jī)是一種用于將半導(dǎo)體晶圓切割成小尺寸芯片的設(shè)備。它在半導(dǎo)體制造過程中起著關(guān)鍵的作用。

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      　　碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...

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      傾佳電子電源拓?fù)渑c碳化硅MOSFET器件選型應(yīng)用深度報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。他們主要...

      2025-08-17 標(biāo)簽：MOSFET電源拓?fù)?/a>碳化硅 2.2k 0

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