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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)(擊穿場(chǎng))和帶隙...
SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化方案
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡(jiǎn)稱“SiC”)MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫...
2023-08-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 2.3k 0
使用SpeedFit 2.0設(shè)計(jì)模擬器快速啟動(dòng)基于碳化硅的設(shè)計(jì)
了解電源中碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計(jì)過程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比,作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù),可視化這些碳化硅組件...
碳化硅電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)電磁兼容建模技術(shù)研究
碳化硅功率器件依托其開關(guān)性能的優(yōu)勢(shì),在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛地應(yīng)用,然而,其過快的開關(guān)響應(yīng)速度及過大的開關(guān)振蕩給系統(tǒng)帶來了嚴(yán)重的EMI問題。通過采用理...
2023-04-07 標(biāo)簽:電磁兼容驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件 2.3k 0
國(guó)產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)
SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種,其中化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...
用于電力電子設(shè)計(jì)的高性能SiC MOSFET技術(shù)
一個(gè)合適的設(shè)備概念應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度,以便適應(yīng)各種任務(wù)配置文件的需求,而無需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大更改。然而,關(guān)鍵性能指標(biāo)仍將是所選設(shè)備概念的低面積...
過去三十年,碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...
在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。
2023-11-07 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器逆變器IGBT 2.3k 0
在上周的推文中,我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個(gè)階段:以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。(了...
2023-09-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.3k 0
碳化硅為何備受廠商青睞?安森美半導(dǎo)體碳化硅側(cè)重的4大重點(diǎn)
01?年輕就要“燃”起來 輕薄便攜就是它
2020-09-11 標(biāo)簽:逆變器安森美半導(dǎo)體碳化硅 2.3k 0
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì),且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅(SiC...
碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工,包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延;第二部分芯片加工,這部分跟硅基IGBT類似。
2024-01-25 標(biāo)簽:晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 2.3k 0
探討碳化硅材料在制備晶圓過程中的關(guān)鍵技術(shù)和優(yōu)勢(shì)
隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展和對(duì)高效能電子器件的需求不斷增長(zhǎng),傳統(tǒng)硅材料在面對(duì)一些特殊應(yīng)用場(chǎng)景時(shí)已經(jīng)顯示出其局限性。
碳化硅是一種半導(dǎo)體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的,具有高熔點(diǎn)、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。
2023-02-14 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2.3k 0
安森美OBC系統(tǒng)解決方案設(shè)計(jì)指南
“OBC系統(tǒng)解決方案設(shè)計(jì)指南”又上新了,第一篇文章介紹了系統(tǒng)用途、系統(tǒng)實(shí)施方法、系統(tǒng)說明、市場(chǎng)趨勢(shì)和標(biāo)準(zhǔn)等,本文將繼續(xù)介紹解決方案概述及拓?fù)洹?/p>
在特斯拉投資者大會(huì)上,特斯拉表示下一代汽車平臺(tái)的動(dòng)力總成中將減少75%的碳化硅使用。
2023-03-14 標(biāo)簽:微控制器電動(dòng)汽車SiC 2.2k 0
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性,可以在更...
晶圓劃片機(jī)的技術(shù)指標(biāo)有哪些?晶圓劃片機(jī)選擇因素有哪些?
晶圓劃片機(jī)是一種用于將半導(dǎo)體晶圓切割成小尺寸芯片的設(shè)備。它在半導(dǎo)體制造過程中起著關(guān)鍵的作用。
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅基器件相比,具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...
傾佳電子電源拓?fù)渑c碳化硅MOSFET器件選型應(yīng)用深度報(bào)告
傾佳電子電源拓?fù)渑c碳化硅MOSFET器件選型應(yīng)用深度報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。他們主要...
2025-08-17 標(biāo)簽:MOSFET電源拓?fù)?/a>碳化硅 2.2k 0
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