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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

SiC功率器件和模塊！

SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強(qiáng)（擊穿場）和帶隙...

2022-11-22 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 2.3k 0

SiC MOSFET柵極驅(qū)動電路的優(yōu)化方案

在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫...

2023-08-03 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源驅(qū)動電路 2.3k 0

使用SpeedFit 2.0設(shè)計(jì)模擬器快速啟動基于碳化硅的設(shè)計(jì)

了解電源中碳化硅（SiC） MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計(jì)過程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比，作為一項(xiàng)相對較新的技術(shù)，可視化這些碳化硅組件...

2023-05-20 標(biāo)簽：電源 MOSFET 碳化硅 2.3k 0

碳化硅電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)電磁兼容建模技術(shù)研究

碳化硅功率器件依托其開關(guān)性能的優(yōu)勢，在電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中得到了廣泛地應(yīng)用，然而，其過快的開關(guān)響應(yīng)速度及過大的開關(guān)振蕩給系統(tǒng)帶來了嚴(yán)重的EMI問題。通過采用理...

2023-04-07 標(biāo)簽：電磁兼容驅(qū)動系統(tǒng)功率器件 2.3k 0

國產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)

SiC薄膜生長方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

2023-06-19 標(biāo)簽：新能源汽車晶圓 SiC 2.3k 0

用于電力電子設(shè)計(jì)的高性能SiC MOSFET技術(shù)

一個(gè)合適的設(shè)備概念應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)配置文件的需求，而無需對處理和布局進(jìn)行重大更改。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍將是所選設(shè)備概念的低面積...

2022-07-28 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 2.3k 0

SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹

過去三十年，碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長足的進(jìn)步，但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...

2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶圓 2.3k 0

碳化硅相對于硅的優(yōu)勢

在逆變器、電機(jī)驅(qū)動器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅（SiC）器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。

2023-11-07 標(biāo)簽：驅(qū)動器逆變器 IGBT 2.3k 0

第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。以碳化硅（SiC...

2024-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.3k 0

半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程

在上周的推文中，我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個(gè)階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了...

2023-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.3k 0

碳化硅為何備受廠商青睞？安森美半導(dǎo)體碳化硅側(cè)重的4大重點(diǎn)

01?年輕就要“燃”起來輕薄便攜就是它

2020-09-11 標(biāo)簽：逆變器安森美半導(dǎo)體碳化硅 2.3k 0

淺談碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類似。

2024-01-25 標(biāo)簽：晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 2.3k 0

探討碳化硅材料在制備晶圓過程中的關(guān)鍵技術(shù)和優(yōu)勢

隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展和對高效能電子器件的需求不斷增長，傳統(tǒng)硅材料在面對一些特殊應(yīng)用場景時(shí)已經(jīng)顯示出其局限性。

2023-12-25 標(biāo)簽：傳感器無線通信漏電流 2.3k 0

碳化硅原理及應(yīng)用

碳化硅是一種半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的，具有高熔點(diǎn)、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。

2023-02-14 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2.3k 0

安森美OBC系統(tǒng)解決方案設(shè)計(jì)指南

“OBC系統(tǒng)解決方案設(shè)計(jì)指南”又上新了，第一篇文章介紹了系統(tǒng)用途、系統(tǒng)實(shí)施方法、系統(tǒng)說明、市場趨勢和標(biāo)準(zhǔn)等，本文將繼續(xù)介紹解決方案概述及拓?fù)洹?/p>

2024-08-20 標(biāo)簽：二極管安森美碳化硅 2.2k 0

特斯拉如何減少75%的碳化硅的使用？

在特斯拉投資者大會上，特斯拉表示下一代汽車平臺的動力總成中將減少75%的碳化硅使用。

2023-03-14 標(biāo)簽：微控制器電動汽車 SiC 2.2k 0

碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更...

2024-02-29 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 2.2k 0

晶圓劃片機(jī)的技術(shù)指標(biāo)有哪些？晶圓劃片機(jī)選擇因素有哪些？

晶圓劃片機(jī)是一種用于將半導(dǎo)體晶圓切割成小尺寸芯片的設(shè)備。它在半導(dǎo)體制造過程中起著關(guān)鍵的作用。

2023-08-21 標(biāo)簽：硅晶圓劃片機(jī)碳化硅 2.2k 0

碳化硅二極管的應(yīng)用及作用

　　碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...

2023-02-07 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體功率器件 2.2k 0

傾佳電子電源拓?fù)渑c碳化硅MOSFET器件選型應(yīng)用深度報(bào)告

傾佳電子電源拓?fù)渑c碳化硅MOSFET器件選型應(yīng)用深度報(bào)告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。他們主要...

2025-08-17 標(biāo)簽：MOSFET 電源拓?fù)?/a>碳化硅 2.2k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?shù)據(jù)，無線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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　　柵極驅(qū)動器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動的項(xiàng)目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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