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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對 TTV 的影響

一、引言在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多道工藝通過分層切削降低單次切削力...

2025-07-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 378 0

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測量中表面粗糙度對結(jié)果的影響研究

摘要本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測量過程，深入探究表面粗糙度對測量結(jié)果的影響機制，通過理論分析與實驗驗證，揭示表面粗糙度與測量誤差的關(guān)聯(lián)，為優(yōu)化碳...

2025-08-18 標(biāo)簽：測量碳化硅碳化 378 0

真正實現(xiàn)碳化硅的汽車資質(zhì)

車載充電器（OBC）、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器都受益于 SiC，正在進行的工藝和架構(gòu)改進肯定會增加其已經(jīng)相當(dāng)可觀的吸引力。這種增強將擴大這種寬帶...

2023-02-21 標(biāo)簽：電動汽車 MOSFET 碳化硅 377 0

切割深度動態(tài)補償技術(shù)對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化

一、引言在晶圓制造過程中，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過程中，受切削力、振動、刀具磨損等因素...

2025-07-17 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟 368 0

基于納米流體強化的切割液性能提升與晶圓 TTV 均勻性控制

摘要：本文圍繞基于納米流體強化的切割液性能提升及對晶圓 TTV 均勻性的控制展開研究。探討納米流體強化切割液在冷卻、潤滑、排屑等性能方面的提升機制，分析...

2025-07-25 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 366 0

探索 onsemi NXH008P120M3F1：碳化硅功率模塊的卓越之選

在當(dāng)今的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)憑借其出色的性能優(yōu)勢，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。onsemi 的 NXH008P120M3F1 功率模塊，作為...

2025-11-26 標(biāo)簽：MOSFET 功率模塊碳化硅 348 0

切割液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與晶圓 TTV 預(yù)測模型的協(xié)同構(gòu)建

摘要本論文圍繞超薄晶圓切割工藝，探討切割液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與晶圓 TTV 預(yù)測模型的協(xié)同構(gòu)建，闡述兩者協(xié)同在保障晶圓切割質(zhì)量、提升 TTV 均勻性方面...

2025-07-31 標(biāo)簽：晶圓調(diào)控系統(tǒng)碳化硅 344 0

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

第二項關(guān)鍵測試是短路耐受時間 (SCWT)，或者說軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的最長耐受時間。測試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT，其中大多數(shù)擁...

2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器碳化硅 294 0

大尺寸玻璃晶圓（12 英寸 +）TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

一、引言 12 英寸及以上的大尺寸玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、顯示面板、微機電系統(tǒng)等領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色。總厚度偏差（TTV）的均勻性直接影響晶圓后續(xù)光刻、...

2025-10-17 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 272 0

切割液性能 - 切削區(qū)多物理場耦合對晶圓 TTV 均勻性的影響及調(diào)控

摘要：本文針對晶圓切割過程，研究切割液性能與切削區(qū)多物理場耦合作用對晶圓 TTV 均勻性的影響機制，并探索相應(yīng)調(diào)控策略。通過分析切割液性能在熱、力、流等...

2025-07-29 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 269 0

三代半碳化硅（SiC）外延層厚度及均勻性無損檢測技術(shù)的詳解

前段時間，因為我之前在某平臺上分享了一篇關(guān)于“ 半導(dǎo)體碳化硅（SiC）同質(zhì)外延層厚度無損紅外反射光譜法的分析詳解； ”的文章而被很多同行或是有興...

2025-10-01 標(biāo)簽：無損檢測技術(shù)碳化硅外延片 260 0

onsemi NVH4L060N065SC1碳化硅功率MOSFET的性能剖析與應(yīng)用指南

在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各類電源轉(zhuǎn)換和功率控制電路中。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的一款N溝道單通...

2025-12-04 標(biāo)簽：功率MOSFET 半導(dǎo)體器件碳化硅 253 0

【新啟航】深度學(xué)習(xí)在玻璃晶圓 TTV 厚度數(shù)據(jù)智能分析中的應(yīng)用

一、引言玻璃晶圓總厚度偏差（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，其精確分析對半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域至關(guān)重要。傳統(tǒng) TTV 厚度數(shù)據(jù)分析方法依賴...

2025-10-11 標(biāo)簽：晶圓碳化硅深度學(xué)習(xí) 247 0

onsemi碳化硅MOSFET NTH4L075N065SC1：高效功率轉(zhuǎn)換的理想之選

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們就來深入了解一下onsemi推出的一款650V、57mΩ...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET 功率轉(zhuǎn)換碳化硅 245 0

是時候從Si切換到SiC了嗎？

在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關(guān)器件，特別是SiC MOSFET，已經(jīng)從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化產(chǎn)品。

2023-05-25 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 SiC 236 0

onsemi碳化硅MOSFET NVHL070N120M3S：性能剖析與應(yīng)用展望

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)正逐漸嶄露頭角。今天，我們就來詳細(xì)剖析onsemi推出的一款碳化硅MOSFET——NVHL070N120M3S，看...

2025-12-02 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體碳化硅 223 0

安森美1200V碳化硅MOSFET：NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的一款1...

2025-12-04 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 217 0

安森美SiC MOSFET：NVBG070N120M3S解析與應(yīng)用

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天我們來詳細(xì)探討安森美（onsemi）的一款SiC MOSF...

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onsemi UF3N120007K4S SiC JFET晶體管的特性與應(yīng)用解析

在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對電路設(shè)計和系統(tǒng)性能有著至關(guān)重要的影響。今天，我們來詳細(xì)探討一下安森美（onsemi）的UF3N120007K4S碳...

2025-11-26 標(biāo)簽：JFET 晶體管 SiC 200 0

探索 onsemi NTH4L022N120M3S碳化硅MOSFET的卓越性能

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們就來深入探討 onsemi 的 NTH4L022N120M...

2025-12-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 197 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
20nm

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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