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      標簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關注26人關注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2909個 瀏覽：52384次 帖子：38個

      碳化硅技術

      基于進給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術

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      碳化硅襯底切割過程中，厚度不均勻問題嚴重影響其后續(xù)應用性能。傳統(tǒng)固定進給量切割方式難以適應材料特性與切割工況變化，基于進給量梯度調(diào)節(jié)的方法為提升切割厚度...

      2025-06-13 標簽：碳化硅晶圓厚度TTV厚度 635 0

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      2025-07-14 標簽：晶圓碳化硅新啟航 635 0

      SiC 碳化硅半導體功率器件導熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料材料

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      2025-12-08 標簽：材料功率器件SiC 634 0

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      2024-01-04 標簽：新能源汽車逆變器斷路器 632 0

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      碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。

      2023-10-17 標簽：MOSFET逆變器IGBT 630 0

      SiC和GaN市場未來如何發(fā)展

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      2024-01-10 標簽：智能電網(wǎng)光伏SiC 628 0

      切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機制與參數(shù)設計

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      摘要：本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤滑、排屑等性能影響晶圓 TTV 的內(nèi)在機制，探索實現(xiàn)多性能協(xié)同...

      2025-07-24 標簽：晶圓碳化硅 618 0

      淺切多道切割工藝對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化

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      2023-05-18 標簽：電阻MOSFET晶體管 609 0

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      國內(nèi)SiC半導體產(chǎn)業(yè)化進展 sic半導體技術發(fā)展趨勢

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