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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

用于碳化硅的Aehr測試系統(tǒng)的技術(shù)差距

Advantes和 Teradyne最知名的是自動化測試設(shè)備。許多其他事情中，ATE工具取出探針卡，將它們與晶圓上的芯片完美對齊，并與晶圓上的電路進行物...

2023-04-04 標簽：SiC GaN 半導(dǎo)體制造 1582 0

為什么不用SiC來做IGBT？未來是否會大規(guī)模的使用SiC來做IGBT呢？

IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。

2023-08-08 標簽：MOSFET 驅(qū)動電路 SiC 1577 0

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?，...

2024-03-26 標簽：SiC 晶片光刻機 1573 0

SiC器件在電源中的應(yīng)用

SiC（碳化硅）器件在電源中的應(yīng)用日益廣泛，其獨特的物理和化學(xué)特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細探討SiC器件...

2024-08-19 標簽：電源 SiC 碳化硅 1572 0

SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢

碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

2024-01-20 標簽：新能源汽車 MOSFET 晶體管 1571 0

半導(dǎo)體材料的發(fā)展階段

作為“二十世紀最重要的新四大發(fā)明”之一，半導(dǎo)體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天，從人工智能到生物醫(yī)學(xué)，半導(dǎo)體無處不在，深刻地塑造著我們生活的方方面面。

2023-09-07 標簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 SiC 1565 0

碳化硅的特性、應(yīng)用及動態(tài)測試

SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱，是一種用途廣泛的材料。

2024-01-09 標簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1565 0

從碳化硅場效應(yīng)管晶體管中獲得最佳性能

性能是一個主觀術(shù)語 - 它可以以任意多種方式進行衡量，但在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，它歸結(jié)為兩個相互依賴的主要值，效率和成本。眾所周知，硅作為半導(dǎo)體開關(guān)材料在傳導(dǎo)和...

2023-02-20 標簽：MOSFET 晶體管碳化硅 1560 0

簡單認識碳化硅功率器件

隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有...

2024-02-21 標簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1550 0

什么是碳化硅?碳化硅功率器件行業(yè)未來可期

碳化硅在半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化...

2023-02-19 標簽：集成電路分立器件碳化硅 1542 0

碳化硅(SiC)應(yīng)用改變汽車行業(yè)

電動汽車的成功與高效率的實現(xiàn)密切相關(guān)。在電動汽車中，效率在滿載條件下（通常，當(dāng)負載>90%時）達到其最大潛力。在城市駕駛中，負載可以降低到10%，...

2023-05-31 標簽：電動汽車逆變器碳化硅 1539 0

淺談碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類似。

2024-01-25 標簽：晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 1527 0

碳化硅MOSFET的應(yīng)用場景及其影響

　　碳化硅（SiC）技術(shù)的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)...

2023-08-16 標簽：MOSFET 半導(dǎo)體 IGBT 1503 0

為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si？

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導(dǎo)體具有很高的機械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。

2023-12-11 標簽：半導(dǎo)體 IGBT SiC 1487 0

碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊，如...

2024-05-30 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1485 0

安森美碳化硅芯片的設(shè)計進展及技術(shù)分析

減小了電場集中效應(yīng)，提高了SiC器件的擊穿電壓，SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關(guān)單元有關(guān)，同時和耐壓環(huán)也有很大的關(guān)系。

2023-04-07 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1484 0

碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？

SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。主流制造襯底的方式首先以物理氣相升...

2023-08-04 標簽：SiC 碳化硅 1481 0

碳化硅芯片供需失衡

襯底作為SiC芯片發(fā)展的關(guān)鍵，占據(jù)著重要的地位。SiC襯底不僅在功率器件成本中所占比例很高，而且與產(chǎn)品質(zhì)量密切相關(guān)。如果說前幾年很多SiC器件廠商都是靠...

2023-02-03 標簽：芯片碳化硅 sic器件 1474 0

碳化硅在新型電力體系中的應(yīng)用

目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作為開關(guān)。如IGCT其耐壓可達6.5kV，通斷電流可達4000A。但在輸電系統(tǒng)中，其電壓電...

2024-04-16 標簽：電力系統(tǒng)IGBT 配電系統(tǒng) 1467 0

用碳化硅MOSFET設(shè)計雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

電池供電的便攜式設(shè)備越來越多，在如今的生活中扮演的角色也愈發(fā)重要。這個趨勢還取決于高能量存儲技術(shù)的發(fā)展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級電容器。這些...

2021-04-14 標簽：MOSFET 升壓轉(zhuǎn)換器碳化硅 1467 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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