芯片測(cè)試方案之電源芯片片輸入閾值的測(cè)試方法

在芯片眾多特殊的引腳中，EN引腳無疑是最為重要的一個(gè)。EN引腳又稱使能引腳(Enable pins)，不同的芯片對(duì)其稱呼也有所不同，如EA、RUN等，它...

2023-09-27 標(biāo)簽：測(cè)試系統(tǒng)芯片測(cè)試電源芯片 1987 0

一文了解芯片測(cè)試的重要性

集成電路測(cè)試卡位產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，貫穿設(shè)計(jì)、制造、封裝以及應(yīng)用的全過程。從整個(gè)制造流程上來看，集成電路測(cè)試具體包括設(shè)計(jì)階段的設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓制造階段的過程工...

2024-08-06 標(biāo)簽：集成電路IC測(cè)試芯片測(cè)試 1809 0

為什么要進(jìn)行芯片測(cè)試?芯片測(cè)試在什么環(huán)節(jié)進(jìn)行?

WAT需要標(biāo)注出測(cè)試未通過的裸片（die），只需要封裝測(cè)試通過的die。 FT是測(cè)試已經(jīng)封裝好的芯片（chip），不合格品檢出。WAT和FT很多項(xiàng)...

2024-04-17 標(biāo)簽：芯片晶圓芯片測(cè)試 1329 0

使用老化測(cè)試座有哪些優(yōu)勢(shì)?

老化測(cè)試座是對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行測(cè)試的設(shè)備，具有以下幾個(gè)優(yōu)勢(shì)：

2023-07-01 標(biāo)簽：芯片測(cè)試測(cè)試座 1093 0

史密斯英特康應(yīng)對(duì)5G時(shí)代下高頻芯片測(cè)試挑戰(zhàn)

Yole統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2020年全球封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到594億美元，同比增長5.3%，國內(nèi)封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模為2510億元，同比增長6.8%。

2021-08-06 標(biāo)簽：芯片測(cè)試5G 1003 0

新思科技TSO.ai助力解決芯片測(cè)試成本和時(shí)間挑戰(zhàn)

人工智能技術(shù)日漸普及，廣泛運(yùn)用于解決當(dāng)今的各種復(fù)雜問題，尤其是那些涉及海量數(shù)據(jù)的分析和相應(yīng)決策等單靠人力難以應(yīng)對(duì)的棘手難題。換句話說，在應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、...

2024-08-12 標(biāo)簽：芯片測(cè)試AI人工智能 906 0

確保測(cè)試精準(zhǔn)：芯片高低溫濕熱環(huán)境試驗(yàn)箱操作要點(diǎn)

芯片高低溫濕熱環(huán)境試驗(yàn)箱是一種專業(yè)的測(cè)試設(shè)備，用于在溫度快速轉(zhuǎn)變的情況下檢驗(yàn)產(chǎn)品的各項(xiàng)性能。為了確保設(shè)備的正常運(yùn)行和延長使用壽命，廣東貝爾為您分享一些關(guān)...

2024-07-05 標(biāo)簽：芯片測(cè)試試驗(yàn)箱產(chǎn)品測(cè)試 862 0

高低溫測(cè)試的重要性與應(yīng)用

高低溫測(cè)試，亦稱為高低溫循環(huán)測(cè)試，是環(huán)境可靠性測(cè)試中的關(guān)鍵組成部分，其主要目的是評(píng)估在高溫和低溫條件下，裝備在存儲(chǔ)和工作期間的性能表現(xiàn)。隨著科技的進(jìn)步，...

2024-11-07 標(biāo)簽：芯片測(cè)試試驗(yàn)箱產(chǎn)品測(cè)試 845 0

芯片測(cè)試程序

一、測(cè)試程序的基本概念測(cè)試程序，即被ATE（AutomaticTestEquipment，自動(dòng)測(cè)試設(shè)備）識(shí)別和執(zhí)行的指令集，是集成電路測(cè)試的核心。測(cè)試程...

2024-11-16 標(biāo)簽：芯片測(cè)試ATE測(cè)試程序 823 0

干簧繼電器：芯片測(cè)試儀的“性能催化劑”

在集成電路（IC）制造領(lǐng)域，測(cè)試環(huán)節(jié)是確保芯片性能和可靠性的重要步驟。然而，測(cè)試過程往往伴隨著高昂的成本和復(fù)雜的設(shè)備需求。本文將探討如何通過優(yōu)化接口電路...

2025-04-07 標(biāo)簽：繼電器測(cè)試測(cè)量芯片測(cè)試 767 0

寫給小白的芯片封裝入門科普

之前給大家介紹了晶圓制備和芯片制造：晶圓是如何制造出來的？從入門到放棄，芯片的詳細(xì)制造流程！從今天開始，我們聊聊芯片的封裝和測(cè)試（通常簡稱“封測(cè)”）。這...

2025-04-25 標(biāo)簽：芯片測(cè)試芯片封裝封測(cè) 611 0

快速溫變?cè)囼?yàn)箱：應(yīng)對(duì)5G芯片高頻熱沖擊測(cè)試的解決方案

隨著5G通信、人工智能和自動(dòng)駕駛技術(shù)的爆發(fā)式發(fā)展，芯片瞬時(shí)功耗從傳統(tǒng)制程的10W激增至300W以上(如數(shù)據(jù)中心GPU)，導(dǎo)致局部溫度在毫秒級(jí)時(shí)間內(nèi)波動(dòng)超...

2025-03-08 標(biāo)簽：芯片測(cè)試試驗(yàn)箱試驗(yàn)設(shè)備 484 0

電力電子半導(dǎo)體芯片測(cè)試設(shè)備——高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱

高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱主要用于模擬高溫、低溫、濕度交變及恒定濕熱環(huán)境，評(píng)估產(chǎn)品在不同溫濕度條件下的耐久性、穩(wěn)定性及適應(yīng)性。該設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、功率...

2025-03-21 標(biāo)簽：芯片測(cè)試半導(dǎo)體測(cè)試環(huán)境測(cè)試 385 0

技術(shù)干貨 | 從偏移誤差到電源抑制比，DAC核心術(shù)語全解析

偏移誤差、增益誤差、INL/DNL、轉(zhuǎn)換時(shí)間……這些關(guān)鍵指標(biāo)如何定義？如何影響DAC性能？本文DAC核心術(shù)語全解析帶您一文掌握關(guān)鍵參數(shù)！

2025-06-19 標(biāo)簽：芯片測(cè)試DAC測(cè)試芯片測(cè)試系統(tǒng) 144 0

快速熱循環(huán)試驗(yàn)箱在芯片老化試驗(yàn)中的應(yīng)用

在半導(dǎo)體制造與封裝測(cè)試領(lǐng)域中，芯片的熱穩(wěn)定性、熱應(yīng)力適應(yīng)性與長期可靠性是評(píng)價(jià)其性能優(yōu)劣的關(guān)鍵指標(biāo)。特別是在汽車電子、高性能計(jì)算、5G通信等對(duì)芯片質(zhì)量要求...

2025-06-04 標(biāo)簽：芯片測(cè)試試驗(yàn)箱試驗(yàn)設(shè)備 122 0

技術(shù) | ADC/DAC芯片測(cè)試研討會(huì)筆記請(qǐng)查收！

6月19日，《ADC/DAC芯片測(cè)試前沿：德思特ATX系統(tǒng)高效方案與實(shí)戰(zhàn)攻略》線上研討會(huì)圓滿結(jié)束。在直播間收到一些觀眾的技術(shù)問題，我們匯總了熱點(diǎn)問題并請(qǐng)...

2025-06-24 標(biāo)簽：芯片測(cè)試DAC測(cè)試ADC測(cè)試 98 0