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標簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版,也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板,銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工;經(jīng)過不斷改良和工藝設備發(fā)展,亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工,特別在半導體制程上,蝕刻更是不可或缺的技術。
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在經(jīng)歷了近十年和五個主要節(jié)點以及一系列半節(jié)點之后,半導體制造業(yè)將開始從 FinFET過渡到3nm技術節(jié)點上的全柵堆疊納米片晶體管架構。 相對于FinFE...
在過去的幾年里,200mm設備在市場上一直供不應求,但現(xiàn)在整個300mm供應鏈也出現(xiàn)了問題。傳統(tǒng)上,300毫米設備的交貨時間為三到六個月,而特定系統(tǒng)的交...
韓國晶圓蝕刻設備優(yōu)質(zhì)制造商 APTC 今日宣布,已成功與一家美國芯片制造商達成供應協(xié)議。APTC首席執(zhí)行官 Choi Woo-hyung 指出,成為合作...
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設備,深度蝕刻到晶片內(nèi)部,用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的...
Si(111)襯底上脈沖激光沉積AlN外延薄膜的界面反應控制及其機理
通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應,利用脈沖激光沉積(PLD)在Si襯底上生長高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對PLD生長的AlN/Si異質(zhì)界...
Vasily Shpak表示,從2024年開始,俄羅斯將撥款211.4億盧布(約23億美元)用于國內(nèi)電子產(chǎn)品的開發(fā),并計劃開發(fā)350nm到65nm微影光刻機。
硅集成電路(IC)的制造需要500-600個工藝步驟,具體取決于器件的具體類型。在將整個晶圓切割成單獨的芯片之前,大部分步驟都是作為單元過程進行的。大約...
眾所周知,微尺度和納米尺度的地形結構對真核細胞和原核細胞的行為都有顯著的影響。例如,具有特殊尺寸的納米線、納米柱、納米管已被證明具有抗菌性能。開發(fā)這種結...
2023-10-23 標簽:蝕刻 537 0
圣彼得堡彼得大帝理工大學(SPbPU)的專家表示,他們已經(jīng)成功開發(fā)了兩套用于生產(chǎn)微電子納米結構的裝置,這將有助于解決俄羅斯在微電子領域的技術主權問題。這...
這個復合體由兩種設施組成。第一個裝置是為“無掩模納米光刻”設計的,可以在沒有口罩的情況下將圖像投射到基板上。第二種設備位于第一種設備制造的基板圖案上,利...
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