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標簽 > 非易失性存儲器
非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
在應(yīng)用方面，高性能計算和大數(shù)據(jù)分析對數(shù)據(jù)的存儲與處理的要求越來越高，對非易失性存儲器的使用有著迫切的需求。
非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
UFS（Universal Flash Storage）是一種用于存儲的閃存標準，而不是內(nèi)存標準。它是一種閃存存儲技術(shù)，用于移動設(shè)備和其他便攜式電子設(shè)備...
NVM，即Non－Volatile Memory，非易失性存儲器。
2023-08-29 標簽：FlaSh嵌入式系統(tǒng)ROM 1.2萬 0
非易失性存儲器主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)？
閃存幾乎無處不在，特別是在移動設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不斷增加，閃存不斷地推動著越來越多的平臺中硬盤驅(qū)動...
關(guān)于Gen-Z語義存儲（memory-semantic）體系架構(gòu)探討
不要與人口學(xué)中的千禧世代搞混了，Gen-Z是一種語義存儲（memory-semantic）體系架構(gòu)，它已經(jīng)發(fā)展到了一定程度，需要更好地定義來適應(yīng)更大規(guī)模...
2020-10-23 標簽：cpu加速器數(shù)據(jù)中心 7.8k 0
與NAND Flash相比，NOR Flash具有較低的存儲密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機訪問性能。
隨著消費者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性，開發(fā)人員對修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡便性要求越來越高。從存儲器角度看，這預(yù)示著可能需要用性能更高、...
SAP HANA 也對介質(zhì)的特點做了仔細的考量，結(jié)合 Main 內(nèi)存的訪問特點（例如 容量大、讀多寫少等），很自然的，先把 DCPMM 當做字節(jié)尋址的持...
為了充分利用這些架構(gòu)，NVM 中的代碼必須足夠快以最小化等待狀態(tài)。NVM 中的數(shù)據(jù)也應(yīng)該快速以提高系統(tǒng)性能。
ufs3.1和ufs4.0有什么區(qū)別？ufs4.0和ufs3.1實際使用區(qū)別
ufs3.1和ufs4.0有什么區(qū)別？ufs4.0和ufs3.1實際使用區(qū)別? UFS是一種高速、節(jié)能、可靠的非易失性存儲器，旨在提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度...
2024-01-17 標簽：數(shù)據(jù)傳輸UFS非易失性存儲器 4.4萬 0
非易失性存儲器是指當電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品...
富士通分享三大存儲技術(shù) 各具獨特堪稱黑馬技術(shù)
“FRAM（鐵電存儲器）用于數(shù)據(jù)記錄；NRAM（碳納米管存儲）用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲存， 還可替代NOR Flash；ReRAM（電阻式記憶體）可替代大容...
賽普拉斯推出全新Excelon?F-RAM?高速、高可靠性的非易失性存儲器系列
先進嵌入式解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達克股票代碼：CY）近日宣布推出新型串行非易失性存儲器系列，為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)采集提供卓越性能和高可靠性。...
寫flash芯片時為什么需要先擦除？ 在講解為什么需要先擦除Flash芯片之前，先來了解一下Flash芯片的基本概念和組成部分。 Flash芯片是非易失...
特斯拉電動汽車對于任何存儲應(yīng)用都是一個充滿挑戰(zhàn)的環(huán)境，這不僅是因為汽車質(zhì)量對溫度和功能安全性的要求，而且因為每輛汽車的使用方式都不同。
到目前為止，新興的非易失性存儲器(eNVM)，如自旋轉(zhuǎn)矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可變電阻式存儲器(ReRAM) 和相變存儲器(PCM)，由于可擴...
東芝推出無霍爾傳感器正弦波驅(qū)動3相直流無刷電機控制預(yù)驅(qū)IC，助力降低振動與噪聲
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出一款3相直流無刷電機控制預(yù)驅(qū)IC---“TC78B011FTG”，該產(chǎn)品適用于服務(wù)器風扇和鼓風機...
如何充分利用單片機（MCU）的非易失性存儲器 單片機（MCU）的非易失性存儲器（NVM）是存儲數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù)，即使在斷電或復(fù)位...
? 非易失性存儲器是一種應(yīng)用于計算機及智能手機等設(shè)備中的存儲裝置（存儲器），其特點是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲器的類...
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