臺積電在美國晶圓廠追加投資計劃3nm制程 英國耗資7億美元替換華為設(shè)備

據(jù)美國媒體報道，臺積電正考慮向美國亞利桑那州尖端芯片工廠追加投資，數(shù)額比此前披露的多出近一倍。臺積電正在亞利桑那州建設(shè)下一代3nm制造工廠，可能要花費2...

2021-05-17 標(biāo)簽：臺積電華為蘋果 5.5k 0

聯(lián)發(fā)科天璣9400將采用臺積電N3（3nm）平臺，預(yù)計2024年下半年上市

另外一位泄密者透露稱，天璣9400計劃于2024年2月份開始量產(chǎn)，而潛在終端用戶包括OPPO、vivo以及小米等知名品牌。值得注意的是，據(jù)悉高通的下一代...

2023-12-18 標(biāo)簽：高通聯(lián)發(fā)科3nm 5.5k 0

臺積電開始建設(shè)新的5nm工廠，并將于2020年啟動3nm工廠

據(jù)臺灣媒體報道，臺積電將于本周在臺灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)(STSP)開工建設(shè)新的5nm工廠，并將于2020年啟動3nm工廠，而新工藝的快速演進(jìn)將大大鞏固臺積...

2018-01-25 標(biāo)簽：臺積電5nm3nm 5.5k 0

斥資100億美元！三星計劃在美國建立3納米芯片工廠 追趕臺積電

1月23日，彭博社最新消息，三星電子公司正在考慮斥資逾100億美元，在美國建設(shè)其最先進(jìn)的芯片制造廠，這是一項重大投資。三星希望借此贏得更多美國客戶，并幫...

2021-01-23 標(biāo)簽：芯片三星電子臺積電 5.5k 0

臺積電3納米試產(chǎn)進(jìn)度如期 ASML宣布5nm半導(dǎo)體多光束檢測機(jī)問世?

在美國對華為制裁的期間，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重組不可避免。針對先進(jìn)工藝制程，臺積電和三星進(jìn)行了激烈的角力。6月1日，晶圓代工龍頭臺積電正面回應(yīng)，包括5納米...

2020-06-02 標(biāo)簽：臺積電5nmASML 5.5k 0

臺積電加速進(jìn)入3nm，晶圓代工雙王爭霸時代開啟

據(jù)ANANDTECH報道，臺積電上周表示，“在3nm上，技術(shù)開發(fā)進(jìn)展順利，我們已經(jīng)與早期客戶就技術(shù)定義進(jìn)行了接觸，”臺積電首席執(zhí)行官兼聯(lián)合主席CC We...

2019-07-26 標(biāo)簽：三星電子臺積電華為 5.4k 0

臺積電將在2021年底建立2nm測試產(chǎn)線

近日，據(jù)日媒報道，全球最大的半導(dǎo)體代工廠臺積電宣布，將計劃在2021年底建立一條測試產(chǎn)線，用來生產(chǎn)2nm工藝的半導(dǎo)體。同時臺積電還制定了一個計劃，將建立...

2021-06-04 標(biāo)簽：臺積電工藝制程3nm 5.4k 0

臺積電公布了3nm制程工藝計劃，預(yù)計2023年初投產(chǎn)

近日，臺積電公布了3nm制程工藝計劃，目前臺南園區(qū)的3nm晶圓工廠已經(jīng)通過了環(huán)評初審，臺積電計劃投資6000億新臺幣（約為194億美元），2020年開始...

2018-08-18 標(biāo)簽：臺積電3nm 5k 0

2021年可看到3nm的產(chǎn)品 計劃在2022年大規(guī)模量產(chǎn)

8月26日上午消息，在今天舉行的2020世界半導(dǎo)體大會上，臺積電（南京）有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球透露，2021年可以在市面上看到3nm的產(chǎn)品，臺積電計劃在2...

2020-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體3nm 4.8k 0

ASML完成第100臺EUV光刻機(jī)出貨：2021年產(chǎn)能將大增

2021-01-04 標(biāo)簽：5nmASML3nm 4.6k 0

三星發(fā)布新一代3nm閘極全環(huán)工藝 在GAA工藝上獲得領(lǐng)先地位

近年來，在激烈的市場競爭環(huán)境下，三星將其業(yè)務(wù)重點轉(zhuǎn)向了邏輯工藝代工。在近日的SFF（SamsungFoundry Forum）美國分會上，三星宣布了四種...

2019-05-30 標(biāo)簽：芯片三星電子3nm 4.5k 0

良率堪憂，三星3nm丟失大客戶高通！領(lǐng)先臺積電還看2nm？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）三星在3nm領(lǐng)先臺積電的愿望又要落空了。據(jù)外媒日前報道，因為擔(dān)心三星的良率過低，大客戶高通已將3nm AP處理器代工訂單交...

2022-02-25 標(biāo)簽：三星電子臺積電3nm 4.4k 0

臺積電公布3nm工藝真實數(shù)據(jù) 只比5nm高出5%

對比N5工藝，N3功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％，晶體管密度提升約70％。

2022-12-15 標(biāo)簽：臺積電摩爾定律5nm 4.3k 0

臺積電2nm和3nm制程工藝

臺積電首度推出采用GAAFET技術(shù)的2nm制程工藝，將于2025年量產(chǎn)，其采用FinFlex技術(shù)的3nm制程工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)。

2022-07-04 標(biāo)簽：芯片臺積電3nm 4.3k 0

臺積電將引領(lǐng)人類跨入3nm芯片時代

我們知道，微電子行業(yè)和半導(dǎo)體行業(yè)的進(jìn)步，共同促進(jìn)了人類智能芯片的蓬勃發(fā)展。而芯片的性能，如效率、能耗等，很大程度上取決于制造的工藝和芯片的制程。

2018-12-29 標(biāo)簽：芯片臺積電3nm 4.2k 0