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標(biāo)簽 > 3nm

3nm

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在半導(dǎo)體制造中,3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后的下一個(gè)芯片縮小。截至2019年,三星和臺積電已宣布計(jì)劃將3 nm 半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)投入商業(yè)生產(chǎn)。它基于GAAFET(全能柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù),這是一種多柵極MOSFET技術(shù)。

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3nm資訊

臺積電3nm廠關(guān)鍵用水供應(yīng)解決 將如期動(dòng)工

全球第一家提供3nm晶圓代工服務(wù)的廠商要來了!

2019-01-07 標(biāo)簽:臺積電晶圓代工3nm 2.9k 0

臺積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)遇瓶頸,量產(chǎn)時(shí)間恐將推遲

據(jù) Digitimes 報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士透露,臺積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)的開發(fā)過程中都遇到了不同但關(guān)鍵的瓶頸。報(bào)道稱,臺積...

2021-01-04 標(biāo)簽:三星電子臺積電3nm 2.9k 0

臺積電計(jì)劃將3nm量產(chǎn)的相關(guān)開支削減20億美元

據(jù)悉,因?yàn)橐咔樵?,臺積電下半年運(yùn)營風(fēng)險(xiǎn)提升,而在馬上進(jìn)行的第一季度財(cái)報(bào)說明會上,臺積電有可能會因?yàn)闈撛诳蛻舻挠唵握{(diào)整,削減資本支出20億美元,他們原計(jì)...

2020-04-15 標(biāo)簽:臺積電3nm 2.9k 0

三星將在3nm時(shí)代進(jìn)一步拉近自己與臺積電的芯片代工技術(shù)差距

晶體管是器件中提供開關(guān)功能的關(guān)鍵組件。幾十年來,基于平面晶體管的芯片一直暢銷不衰。走到20nm時(shí),平面晶體管開始出現(xiàn)疲態(tài)。為此,英特爾在2011年推出了...

2021-03-22 標(biāo)簽:臺積電晶圓代工3nm 2.9k 0

iPhone15 Pro升級A17芯片,全球首款3nm芯片

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此前曝光的A17工程機(jī)跑分?jǐn)?shù)據(jù)顯示,GeekBench 6單核成績達(dá)到了3986分,多核成績則達(dá)到了8841分,這一成績比搭載A16芯片的iPhone ...

2023-09-05 標(biāo)簽:芯片3nmA16芯片 2.8k 0

三星宣布首批3nm芯片正式出貨

7月25日上午,三星在韓國首爾南部的華城舉辦典禮,宣布首批3nm芯片正式出貨。

2022-07-26 標(biāo)簽:芯片晶體管3nm 2.8k 0

聯(lián)發(fā)科臺積電3nm天璣旗艦芯片成功流片 或?yàn)椤疤飙^9400”

MediaTek與臺積電一直保持著緊密且深度的戰(zhàn)略合作關(guān)系,MediaTek(聯(lián)發(fā)科)與臺積公司今日共同宣布,MediaTek 首款采用臺積公司 3 納...

2023-09-08 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科臺積電Mediatek 2.8k 0

三星3nm芯片開始量產(chǎn),采用GAA晶體管,提升巨大

日前,三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息,今天上午,三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱,其采用了GAA晶體管的3nm...

2022-06-30 標(biāo)簽:芯片3nmGAA 2.8k 0

iPhone 15 Pro系列升級:靈動(dòng)島、USB-C、3nm、A17 Pro

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iPhone 15 Pro系列的尺寸跟去年一樣,搭載了更快的A17 Pro處理器,是手機(jī)界首款3納米芯片,也是蘋果第一次推出Pro命名的A系列處理器。

2023-09-13 標(biāo)簽:USB-Ctype-c3nm 2.8k 0

3nm制程費(fèi)錢更費(fèi)電,一年吃下70億度

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日前有媒體報(bào)道稱,臺積電已經(jīng)成功開發(fā)了2nm工藝,而2nm工廠預(yù)計(jì)將落腳于新竹科學(xué)園區(qū)寶山園區(qū),且臺積電也持續(xù)積極布局2nm以下的先進(jìn)制程,傳聞可能會在...

2020-12-29 標(biāo)簽:臺積電電力3nm 2.8k 0

臺積電三星3nm制程工藝研發(fā)均受阻

2020年,臺積電和三星這兩大芯片代工商,均把芯片制程工藝提升至5nm,而且更先進(jìn)的3nm制程也在計(jì)劃中,不過,最近它們好像都遇到了一些麻煩。

2021-01-12 標(biāo)簽:芯片臺積電3nm 2.8k 0

臺積電3nm工藝進(jìn)度超前 EUV工藝獲突破:直奔1nm

在ISSCC 2021國際固態(tài)電路會議上,臺積電聯(lián)席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進(jìn)展情況,指出3nm工藝超過預(yù)期,進(jìn)度將會提前。 不過劉德音沒有公...

2021-02-19 標(biāo)簽:臺積電EUV3nm 2.7k 0

2nm芯片將于2025年量產(chǎn),將啟用全新技術(shù)

臺積電報(bào)告稱正全力以赴地開發(fā)下一代工藝節(jié)點(diǎn)。臺積電計(jì)劃在今年晚些時(shí)候?qū)⑼懂a(chǎn)首批 3 納米工藝,并在 2025 年底前做好 2 納米工藝的準(zhǔn)備。

2022-04-18 標(biāo)簽:臺積電3nm2nm 2.7k 0

臺積電3nm預(yù)計(jì)2021年試產(chǎn),將于2022年下半年量產(chǎn)

臺積電董事長劉德音透露 3nm 按計(jì)劃時(shí)程發(fā)展,進(jìn)度甚至較原先預(yù)期超前。這意味著 3nm 量產(chǎn)時(shí)程可望較原先預(yù)計(jì)的 2022 年下半年提前。臺積電對此消...

2021-04-01 標(biāo)簽:臺積電制程3nm 2.7k 0

臺積電和三星3nm制程遭遇挑戰(zhàn),研發(fā)進(jìn)度推遲

1月3日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,臺積電和三星這兩大芯片代工商的制程工藝,均已提升到了5nm,更先進(jìn)的3nm也在按計(jì)劃推進(jìn)中,臺積電3nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠...

2021-01-04 標(biāo)簽:三星電子臺積電3nm 2.7k 0

3nm、5nm關(guān)鍵技術(shù):為高性能低功耗電子器件發(fā)展提供新技術(shù)途徑

3nm、5nm關(guān)鍵技術(shù):為高性能低功耗電子器件發(fā)展提供新技術(shù)途徑

來自復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院的消息,該校周鵬團(tuán)隊(duì)針對具有重大需求的3-5納米節(jié)點(diǎn)晶體管技術(shù),驗(yàn)證了雙層溝道厚度分別為0.6 /1.2納米的圍柵多橋溝道晶體管(...

2020-12-22 標(biāo)簽:集成電路晶體管5nm 2.6k 0

三星電子3nm良品率才10%-20%,大大低于預(yù)期

三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期,三星電子3nm制程工藝的良品率,才到10%-20%,遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)。

2022-04-20 標(biāo)簽:三星電子臺積電3nm 2.6k 0

臺積電宣布將在2023推3nm Plus工藝

臺積電宣布將在2023推3nm Plus工藝

日前,臺積電官方正式宣布,將在2023年推出3nm工藝的增強(qiáng)版,該工藝將被命名為“3nm Plus”,首發(fā)客戶依然是蘋果。按蘋果一年更新一代芯片的速度,...

2020-12-18 標(biāo)簽:臺積電蘋果3nm 2.6k 0

臺積電研發(fā)3nm工藝遇阻

近日,外媒援引供應(yīng)鏈內(nèi)部消息稱,目前晶圓代工廠的兩大頭部企業(yè)臺積電和三星的3nm制程工藝均遭遇不同程度的挑戰(zhàn),因此,最終3nm芯片的量產(chǎn)可能會相應(yīng)的推遲。

2021-01-05 標(biāo)簽:三星電子臺積電3nm 2.6k 0

中芯國際8大項(xiàng)技術(shù)“進(jìn)入全面開發(fā)階段”

恰逢新任副董事長蔣尚義到來之際,此前中芯國際的聯(lián)席CEO梁孟松鬧出了辭職風(fēng)波,有報(bào)道稱這次事件背后是中芯國際的技術(shù)路線之爭。

2021-01-19 標(biāo)簽:中芯國際3nmEUV光刻機(jī) 2.6k 0

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伺服電機(jī) SVPWM 光伏發(fā)電 UPS AR 智能電網(wǎng) 國民技術(shù) Microchip
瑞薩 沁恒股份 全志 國民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
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st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變增益放大器 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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