臺(tái)積電5nm制程工藝產(chǎn)能提升 今年向3nm工藝邁進(jìn)

臺(tái)積電已經(jīng)提升了5nm制程工藝的產(chǎn)能，月出貨量已經(jīng)增至15萬(wàn)片晶圓，早于產(chǎn)業(yè)鏈此前透露的三季度。

2022-04-02 標(biāo)簽：臺(tái)積電5nm3nm 3.2k 0

臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)遇瓶頸，量產(chǎn)時(shí)間恐將推遲

據(jù) Digitimes 報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)的開發(fā)過(guò)程中都遇到了不同但關(guān)鍵的瓶頸。報(bào)道稱，臺(tái)積...

2021-01-04 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電3nm 3.1k 0

臺(tái)積電狂砸310億元奔向3nm工藝

8月14日，臺(tái)積電召開董事會(huì)，做出多項(xiàng)重大決議，首要的就是投入巨額資金，繼續(xù)推進(jìn)產(chǎn)能和工藝，保持領(lǐng)先地位。

2018-08-17 標(biāo)簽：臺(tái)積電3nm 3.1k 0

三星3nm芯片開始量產(chǎn)，采用GAA晶體管，提升巨大

日前，三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱，其采用了GAA晶體管的3nm...

2022-06-30 標(biāo)簽：芯片3nmGAA 3.1k 0

聯(lián)發(fā)科臺(tái)積電3nm天璣旗艦芯片成功流片 或?yàn)椤疤飙^9400”

MediaTek與臺(tái)積電一直保持著緊密且深度的戰(zhàn)略合作關(guān)系，MediaTek(聯(lián)發(fā)科)與臺(tái)積公司今日共同宣布，MediaTek 首款采用臺(tái)積公司 3 納...

2023-09-08 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科臺(tái)積電Mediatek 3.1k 0

臺(tái)積電3nm制程工廠卡在水、電問(wèn)題沒(méi)有通過(guò)

南科管理局表示，臺(tái)積電3年多前，釋出正在尋找3納米的設(shè)廠用地時(shí)，就立即洽各水電權(quán)責(zé)單位，得到保證能如期如質(zhì)滿足需求后，才積極邀請(qǐng)臺(tái)積電到南科設(shè)廠。

2018-11-21 標(biāo)簽：臺(tái)積電3nm 3.1k 0

臺(tái)積電3nm廠關(guān)鍵用水供應(yīng)解決 將如期動(dòng)工

全球第一家提供3nm晶圓代工服務(wù)的廠商要來(lái)了！

2019-01-07 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓代工3nm 3.1k 0

三星宣布首批3nm芯片正式出貨

7月25日上午，三星在韓國(guó)首爾南部的華城舉辦典禮，宣布首批3nm芯片正式出貨。

2022-07-26 標(biāo)簽：芯片晶體管3nm 3k 0

臺(tái)積電計(jì)劃將3nm量產(chǎn)的相關(guān)開支削減20億美元

據(jù)悉，因?yàn)橐咔樵?，臺(tái)積電下半年運(yùn)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)提升，而在馬上進(jìn)行的第一季度財(cái)報(bào)說(shuō)明會(huì)上，臺(tái)積電有可能會(huì)因?yàn)闈撛诳蛻舻挠唵握{(diào)整，削減資本支出20億美元，他們?cè)?jì)...

2020-04-15 標(biāo)簽：臺(tái)積電3nm 3k 0

高通3nm驍龍8 Gen4處理器，仍由臺(tái)積電代工

高通的下一代旗艦處理器驍龍8 Gen 4仍然將由臺(tái)積電獨(dú)家代工，而不是之前傳聞的臺(tái)積電和三星的雙代工模式。

2023-12-01 標(biāo)簽：處理器高通臺(tái)積電 3k 0

天璣9400性能將超越驍龍8 Gen4？

高通已經(jīng)確認(rèn)，明年的驍龍8 Gen4將使用自研的定制Oryon CPU核心。這一轉(zhuǎn)換可能會(huì)使驍龍8 Gen4比驍龍8 Gen3更貴。然而，具體的性能和價(jià)...

2023-12-18 標(biāo)簽：處理器聯(lián)發(fā)科臺(tái)積電 3k 0

臺(tái)積電三星3nm制程工藝研發(fā)均受阻

2020年，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商，均把芯片制程工藝提升至5nm，而且更先進(jìn)的3nm制程也在計(jì)劃中，不過(guò)，最近它們好像都遇到了一些麻煩。

2021-01-12 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電3nm 2.9k 0

臺(tái)積電3nm工藝進(jìn)度超前 EUV工藝獲突破：直奔1nm

在ISSCC 2021國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進(jìn)展情況，指出3nm工藝超過(guò)預(yù)期，進(jìn)度將會(huì)提前。 不過(guò)劉德音沒(méi)有公...

2021-02-19 標(biāo)簽：臺(tái)積電EUV3nm 2.9k 0

三星電子3nm良品率才10%-20%，大大低于預(yù)期

三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期，三星電子3nm制程工藝的良品率，才到10%-20%，遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)。

2022-04-20 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電3nm 2.9k 0

2nm芯片將于2025年量產(chǎn)，將啟用全新技術(shù)

臺(tái)積電報(bào)告稱正全力以赴地開發(fā)下一代工藝節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電計(jì)劃在今年晚些時(shí)候?qū)⑼懂a(chǎn)首批 3 納米工藝，并在 2025 年底前做好 2 納米工藝的準(zhǔn)備。

2022-04-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電3nm2nm 2.9k 0

臺(tái)積電和三星3nm制程遭遇挑戰(zhàn),研發(fā)進(jìn)度推遲

1月3日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商的制程工藝，均已提升到了5nm，更先進(jìn)的3nm也在按計(jì)劃推進(jìn)中，臺(tái)積電3nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠...

2021-01-04 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電3nm 2.9k 0