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標(biāo)簽 > ddr5

ddr5

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DDR5是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。

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ddr5資訊

美光宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗 DDR5 DRAM 芯片

人工智能在越來越多的應(yīng)用中被廣泛部署,這需要先進(jìn)的內(nèi)存解決方案,以確保更快速、更有效的數(shù)據(jù)訪問。美光 LPDDR5 能夠為直接構(gòu)建在移動設(shè)備處理器中的人...

2020-02-07 標(biāo)簽:美光DRAM芯片DDR5 1295 0

SK Hynix展示DDR5存儲器模組,支持DDR5的硬件預(yù)計明年推出

存儲行業(yè)近兩年的變化非常大,在內(nèi)存行業(yè)來看,包括SK Hynix在內(nèi)的多家內(nèi)存大廠,已經(jīng)開始了首批DDR5存儲器新品的研發(fā)試驗。

2020-01-15 標(biāo)簽:存儲器內(nèi)存ddr5 3469 0

DDR5 RDIMM內(nèi)存采用288引腳,有望將芯片運行電壓降至1.1V

根據(jù)消息報道,他們在CES上研究了SK海力士的64 GB DDR5 RDIMM內(nèi)存,規(guī)格達(dá)到了DDR5-4800。據(jù)介紹,DDR5 RDIMM內(nèi)存依舊采...

2020-01-14 標(biāo)簽:芯片電壓ddr5 5806 0

美光推出DDR5 RDIMM實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心性能進(jìn)一步提升

DDR5 RDIMM 賦能下一代服務(wù)器平臺,應(yīng)對云、企業(yè)端、高性能計算和人工智能應(yīng)用環(huán)境中的激增數(shù)據(jù) Micron Technology, Inc. (...

2020-02-10 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心美光DDR5 1395 0

美光宣布出樣DDR5內(nèi)存 它的特性有哪些

美光宣布出樣DDR5內(nèi)存 它的特性有哪些

美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存(RDIMM)了,目前他們在DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。

2020-01-12 標(biāo)簽:內(nèi)存美光DDR5 3830 0

DDR5比較DDR4有什么新特性?

DDR5相比DDR4有什么新特性?

2020-01-10 標(biāo)簽:DDR4隨機(jī)存取存儲器DDR5 1.1萬 0

美光宣布開始出樣DDR5內(nèi)存 基于1Znm工藝打造

美光宣布開始出樣DDR5內(nèi)存 基于1Znm工藝打造

2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會正式上市。今天美光宣布開...

2020-01-07 標(biāo)簽:內(nèi)存美光DDR5 3122 0

瀾起科技積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定 布局研發(fā)DDR5內(nèi)存接口芯片

瀾起科技是國內(nèi)為數(shù)不多的設(shè)計DDR內(nèi)存接口芯片的公司之一,該公司成立于2004年,是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應(yīng)商之一,憑借領(lǐng)先的技術(shù)水平,在DDR4階段...

2019-12-16 標(biāo)簽:內(nèi)存DDR5 1307 0

瀾起科技表示正參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定

日前瀾起科技董事長楊崇和在參與活動時表態(tài),公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。

2019-12-16 標(biāo)簽:內(nèi)存瀾起科技DDR5 3407 0

SK海力士詳細(xì)介紹16Gb DDR5 新一代DRAM將重振內(nèi)存市場

SK海力士所研發(fā)的行業(yè)內(nèi)首個五代雙倍速率(DDR5) DRAM, 達(dá)到了電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Ele ctron Device Engi...

2019-10-29 標(biāo)簽:SK海力士DDR5 3934 0

瀾起科技規(guī)劃在未來三年完成第一代DDR5內(nèi)存接口芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

瀾起科技規(guī)劃在未來三年完成第一代DDR5內(nèi)存接口芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

6月3日晚間,上交所公布第三批上會企業(yè)名單,瀾起科技、杭可科技和天宜上佳3家公司將于6月13日接受科創(chuàng)板股票上市委員會的審核。

2019-06-05 標(biāo)簽:芯片瀾起科技DDR5 4810 0

Intel的Xeon處理器路線圖泄露 7nmEUV工藝和8通道DDR5及PCIe5.0全都有

在月初的投資者會議上,Intel公布了未來三年的處理器及半導(dǎo)體工藝路線圖,14nm工藝還會繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能,10nm工藝處理器今年6上市,2021年量產(chǎn)7n...

2019-05-22 標(biāo)簽:處理器intelDDR5 2277 0

新思科技推出業(yè)內(nèi)首個DDR5 NVDIMM-P驗證IP 加速驗證工作完成

新思科技(Synopsys,Inc.納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)近日宣布為DDR5/4非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊(NVDIMM-P),推出業(yè)內(nèi)首個驗證I...

2019-05-17 標(biāo)簽:內(nèi)存新思科技DDR5 3460 0

SK Hynix詳細(xì)介紹自家基于DDR5規(guī)范的同步DRAM芯片

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盡管 JEDEC 尚未完成 DDR5 最終標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā),但芯片大廠之間早就開始了暗自較勁。

2019-02-26 標(biāo)簽:芯片DRAMDDR5 5997 0

SK海力士準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條 頻率起步5200MHz

近日,SK 海力士負(fù)責(zé)人在接受采訪時表示,準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條,頻率起步5200MHz,另外DDR6內(nèi)存也開始策劃了,將在5~6年內(nèi)研發(fā)。

2019-01-29 標(biāo)簽:內(nèi)存SK海力士DDR5 1999 0

美光計劃2019年底量產(chǎn)DDR5內(nèi)存芯片

隨著科技的發(fā)展,DIY行業(yè)又一次迎來了春天,各類產(chǎn)品層出不窮,而美光成為內(nèi)存的老牌廠商,為無數(shù)玩家提供縱橫游戲的尖端裝備,近日,內(nèi)部有消息稱,美光已經(jīng)開...

2018-11-03 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片美光DDR5 4282 0

DDR5內(nèi)存條預(yù)計2019年底量產(chǎn)

10月18日消息 根據(jù)AnandTech的報道,今年早些時候,Cadence和美光進(jìn)行了業(yè)界首次公開演示下一代DDR5內(nèi)存。

2018-10-19 標(biāo)簽:內(nèi)存條DDR5 7423 0

DDR4已經(jīng)OUT Cadence宣布DDR5全新進(jìn)展

DDR4內(nèi)存目前還是絕對主流,不斷被深入挖潛,頻率已經(jīng)突破5GHz,不過下一代DDR5也已經(jīng)蠢蠢欲動了。

2018-05-11 標(biāo)簽:CadenceDDR5 5511 0

基于7nm打造的HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)公布

Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù),最大的關(guān)注點在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認(rèn)為是極限,因為到了7nm節(jié)點即使是finfet也...

2017-12-07 標(biāo)簽:內(nèi)存7nmddr5 1788 0

兆芯自主CPU路線圖:對標(biāo)AMD、支持DDR5

作為國產(chǎn)CPU處理器中的x86架構(gòu)代表者,上海兆芯去年底發(fā)布了KX(開先)-5000系列芯片,設(shè)計為4核、8核,是旗下第5代通用CPU,也是首款支持雙通...

2017-11-29 標(biāo)簽:amd兆芯ddr5 2061 0

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