，隨著近期DRAM內(nèi)存的價格普遍開始下降，跟隨這一趨勢的DDR5內(nèi)存似乎終于有了用武之地。那么DDR5內(nèi)存的價格為何一開始那么貴呢，難道真的就是剛推出新技術(shù)帶來的高附加值？ ? PMIC的供應(yīng)困難 ? DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從
2022-07-12 08:27:00
12762 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計劃明年定稿。
2017-04-01 07:49:522529 具體有哪些變化？DDR5與DDR4差別很大，實際上更像LPDDR4，DDR5帶來9個變化。
2021-05-19 09:56:405099 
傳統(tǒng)上，雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）技術(shù)依賴于時序測量，例如建立和保持時間。隨著標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展和傳輸速率的提高，信號完整性變得更具挑戰(zhàn)性。 對于DDR5，定時測量已被數(shù)據(jù)和命令地址信號的眼圖模板測量所取
2022-12-07 14:34:274209 
2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過渡。
2024-03-17 09:50:375157 
“ ?本文將詳細(xì)介紹 DDR5、LPDDR5 的技術(shù)細(xì)節(jié)以及 Layout 的規(guī)范要求。然后比較 CAMM2 模組與 SODIMM 的差別。? ” ?? 本文將介紹什么是 DDR5，DDR5 和之前
2025-10-27 19:28:167378 
JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會于今日正式發(fā)布了DDR5SDRAM標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-5），為全球計算機拉開新時代序幕。 簡言之，DDR5內(nèi)存芯片Bank數(shù)量翻番到32，每Bank的自刷新速度翻番到
2020-07-16 10:00:059172 作為國產(chǎn)存儲品牌的領(lǐng)袖，擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布，正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù)，2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。目前，嘉合勁威正在
2020-12-03 09:53:443549 ）。 ? ? 嘉合勁威2020年12月宣布率先全面布局DDR5內(nèi)存模組生產(chǎn)；2021年2月嘉合勁威旗下阿斯加特率先推出了首款DDR5內(nèi)存條；3月鎂光DDR5 DRAM內(nèi)存顆?，F(xiàn)貨到廠，嘉合勁威積極備貨準(zhǔn)備
2021-04-27 09:00:0015368 帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM也就順勢成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 ? 當(dāng)下JEDEC還沒有給出HBM3標(biāo)準(zhǔn)的最終定稿，但參與了標(biāo)準(zhǔn)制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準(zhǔn)備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持HBM3的內(nèi)存子系統(tǒng)，近日，新思科
2021-10-12 09:33:074576 近日，英特爾和微星分別官宣，Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布，這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出，將DDR5內(nèi)存也帶火了起來。據(jù)媒體宣稱，英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-25 08:00:0011599 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動
2019-12-10 14:38:41
技術(shù)的瓶頸，可能需要很長的時間才能出來。就當(dāng)我們都對DDR5不報希望的時候，結(jié)果它就悄悄的來了。從2017年就已經(jīng)傳出消息說JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標(biāo)準(zhǔn)，而我們熟知的幾家
2021-08-12 15:42:06
國產(chǎn)DDR5究竟離我們還有多遠(yuǎn)？DDR5尚未真正普及的原因是什么？
2021-06-18 09:49:06
高速先生成員--姜杰
大家都在關(guān)注DDR5跑的有多快，高速先生卻在關(guān)心它為什么能夠跑的穩(wěn)……
內(nèi)存的穩(wěn)定性，離不開RAS功能。提起RAS，熟悉DDR的小伙伴們一定記得行地址選通信號（Row
2023-06-28 09:09:11
DDR5 RDIMM及支持下一代MR-DIMM單體測試驗證系統(tǒng) (DDR5 MR-DIMM Module Test System), 支持的速率可高達(dá)17.4Gbps.
DDR5內(nèi)存測試系統(tǒng)
2024-08-06 12:03:07
4 RDIMMs的四倍，內(nèi)存和電源效率也有所提高。憑借在高性能內(nèi)存領(lǐng)域積累30多年的經(jīng)驗，Rambus以其信號完整性（SI）/電源完整性（PI）方面的專業(yè)技術(shù)著稱。這種專長大大有利于DDR5內(nèi)存接口芯片確保從主機內(nèi)存控制器發(fā)送到RDIMM的命令/地址和時鐘信號具有出色的信號完整性。
2023-02-22 10:50:46
2、DDR3、DDR4、DDR5，然后是正在研發(fā)的DDR6。從DDR技術(shù)和JEDEC規(guī)范的演進(jìn)過程中，我們可以看到，為了配合整體行業(yè)對于性能、內(nèi)存容量和功耗的不斷追求，規(guī)范的工作電壓越來越低，芯片容量
2022-10-26 16:37:40
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工藝從目前的7nm升級到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了最新的 DDR5 技術(shù)，具有
2025-02-10 07:47:57
M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:16
下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5內(nèi)存應(yīng)用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203633 您可能剛把計算機升級到DDR4的內(nèi)存，也有可能仍然在使用DDR3的內(nèi)存。不過不管怎樣，DDR5內(nèi)存要來了。 2017年3月，JEDEC協(xié)會宣布將在2018年正式發(fā)布DDR5的技術(shù)規(guī)范。目前，DDR5
2017-11-15 16:36:0348251 
2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:245503 
2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 10:13:383418 
AMD 官網(wǎng)現(xiàn)已公布其7nm APU，頁面顯示新款的U系列和H系列處理器將支持Windows Hello指紋/刷臉登錄，內(nèi)存支持也達(dá)到了LPDDR4-4266。
2020-01-07 10:42:344828 根據(jù)Tom's Hardware的報道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條，速度達(dá)到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 14:36:376009 根據(jù)消息報道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條，速度達(dá)到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 15:17:134795 美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存（RDIMM）了，目前他們在DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:044221 
根據(jù)消息報道，他們在CES上研究了SK海力士的64 GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，規(guī)格達(dá)到了DDR5-4800。據(jù)介紹，DDR5 RDIMM內(nèi)存依舊采用了288個引腳，但是引腳布局和設(shè)計與DDR4有所不同，兩者互不兼容。
2020-01-14 15:42:526490 驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力應(yīng)該是來自對帶寬有強烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，比如云服務(wù)器、邊緣計算等等，由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量的增長，服務(wù)器因此需要更大的內(nèi)存帶寬。
2020-03-22 14:12:0010655 據(jù)外媒報道稱，由于種種原因所致，Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺了。
2020-03-28 10:41:294593 
原以為在肺炎病毒無情來襲的2月將是平平無奇的日常，但是隨著配備LPDDR5的到來，DDR5的話題再次走進(jìn)大眾的視野范圍當(dāng)中。對于目前的情況來說，我們到底應(yīng)該做一個等等黨等DDR5，還是選擇果斷剁手DDR4呢？
2020-03-30 09:25:3711095 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。
2020-04-03 17:05:547322 既然手機已經(jīng)用上了LPDDR5，那么桌面系統(tǒng)用上DDR5內(nèi)存，其實也早在大家預(yù)想之內(nèi)，只不過AMD和Intel都要明年才可能推出支持DDR5內(nèi)存的芯片組和處理器，所以大家目前只能等待和觀望！
2020-04-05 17:28:525324 應(yīng)該都不支持DDR5，現(xiàn)階段更是沒有任何產(chǎn)品能夠支持。 不過根據(jù)最新消息顯示，今年預(yù)計會有不少廠商推出DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品，但是真正大規(guī)模量產(chǎn)還是需要等到明年。雖然現(xiàn)在用不上，但我們還是可以看看DDR5內(nèi)存的性能。目前JEDEC官方組織還沒有公布有關(guān)DDR5內(nèi)
2020-07-30 15:27:123275 Alchip 5nm設(shè)計將利用高性能計算IP產(chǎn)品組合，其中包括一級供應(yīng)商提供的“同類最佳” DDR5，GDDR6，HBM2E，HBM3，D2D，PCIe5和112G serdes IP
2020-08-23 11:24:552763 DDR5的主要特性是芯片容量，不僅僅是更高的性能和更低的功耗，DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率，更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。
2020-09-17 16:41:1718333 亮相。同樣，開發(fā)也是分階段進(jìn)行的：內(nèi)存控制器、接口、電氣等效測試IP和模塊。SK Hynix已經(jīng)進(jìn)行到了最后一個階段，或者至少是這些模塊中的芯片。 DDR5是下一代用于大多數(shù)主要計算平臺的平臺內(nèi)存。該規(guī)范（于2020年7月發(fā)布）將主電壓從1.2
2020-10-23 15:11:013409 
第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要等等呢
2021-02-27 12:13:5420208 
2018年10月，Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進(jìn)度，兩家廠商已經(jīng)開始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品，并計劃在2019年年底之前實現(xiàn)量產(chǎn)目標(biāo)。
2020-11-29 10:09:076940 ，提高了 1.6 倍，同時降低了 10% 的功耗?，F(xiàn)在，支持錯誤檢查和糾正技術(shù) （ECC）的 DDR4 內(nèi)存需要在 PCB 上安裝一個額外的芯片，而 DDR5 支持芯片內(nèi) ECC，極大地提高了系統(tǒng)的
2020-12-01 15:33:233333 本周，十銓科技（TEAMGROUP）公布了旗下DDR5內(nèi)存ELITE系列，16GB 4800MHz起跳，定于明年三季度上市。
2020-12-02 10:20:172139 積極與芯片廠商溝通，導(dǎo)入和研發(fā)新一代的DDR5內(nèi)存技術(shù)，同時籌備配置DDR5生產(chǎn)線，有望在2021年第二季度推出單條16GB容量的DDR5內(nèi)存條。 光威、阿斯加特內(nèi)存都以超低價格、超高性價比而出名，單條32GB DDR3都能干到600元甚至更低，如今搶先布局DDR5，有望大大加速DDR5的降
2020-12-02 12:12:582441 擁有光威和阿斯加特品牌的嘉合勁威宣布率先全面布局 DDR5 內(nèi)存模組，有望在 2021 Q2 推出單根 16G 容量的 DDR5 內(nèi)存條。 嘉合勁威表示，正在積極布局導(dǎo)入 DDR5 內(nèi)存新技術(shù)
2020-12-02 16:04:362487 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時間了，算算迭代的速度，DDR5也該來了，而國內(nèi)存儲品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實現(xiàn)
2020-12-08 17:14:253346 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時間了，算算迭代的速度，DDR5也該來了，而國內(nèi)存儲品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實現(xiàn)DDR5的量產(chǎn)。
2020-12-09 10:19:553059 DDR4內(nèi)存條的價格已經(jīng)很便宜了，2021年就會有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場，但是新一代平臺值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:513254 DDR4內(nèi)存條的價格已經(jīng)很便宜了，2021年就會有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場，但是新一代平臺值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。 今年7月份，JEDEC正式發(fā)布DDR5
2020-12-12 10:35:394727 繼早前展望了消費級 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品線的規(guī)劃之后，十銓（TeamGroup）現(xiàn)已開啟 DDR5 內(nèi)存模組的工程樣品開發(fā)工作。該公司目前正與華碩、微星、技嘉、華擎等主板制造商合作，對 DDR5 工程
2020-12-16 15:40:332553 繼十銓（TEAMGROUP）之后，威剛也公布了旗下DDR5內(nèi)存條的最新進(jìn)展。
2021-01-06 17:04:552686 最快在2021年9月份，隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來，DDR5內(nèi)存也要商用了，今年會是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來了，DDR4內(nèi)存當(dāng)然不會馬上被淘汰，但前景肯定不會多好
2021-02-02 11:27:394194 2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級換代元年，DDR5內(nèi)存下半年就會正式亮相。今天國產(chǎn)存儲品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存，起步頻率就達(dá)到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:204212 回顧2020年，在新基建的驅(qū)動下，數(shù)據(jù)中心正迎來發(fā)展的新契機。這一趨勢加速推動了DDR向更快、更高效的新一代產(chǎn)品迭代，國內(nèi)各大廠商紛紛布局DDR5內(nèi)存并力推其廣泛商業(yè)化。2020年7月14日
2021-05-01 09:31:002974 ，根據(jù)去年7月JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會公布DDR5內(nèi)存行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)頻率必須在4800MHz及以上，只有達(dá)到了這個標(biāo)準(zhǔn)才能稱之為DDR5內(nèi)存模組，但這個標(biāo)準(zhǔn)并不容易達(dá)到。目前各高端
2021-05-08 14:03:23941 
韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672 2020年，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范，這意味著新一輪的內(nèi)存升級換代即將開始。進(jìn)入2021年，多家存儲企業(yè)也先后宣布發(fā)布DDR5內(nèi)存產(chǎn)品
2021-10-25 18:36:433655 
近日，英特爾和微星分別官宣，Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布，這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出，將DDR5內(nèi)存也帶火了起來。據(jù)媒體宣稱，英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-26 16:54:142890 ”的內(nèi)存技術(shù)，用于減少芯片外內(nèi)存中的信號傳輸延遲，但現(xiàn)在HBM3正變得越來越快，越來越寬。在某些情況下，甚至被用于L4緩存。 Arm首席研究工程師Alejandro Rico表示：“這些新功能將使每傳輸位的焦耳效率達(dá)到更高水平，而且更多設(shè)計可以使用
2021-11-01 14:30:509532 
2021年10月9日北京訊，全球存儲領(lǐng)袖金士頓宣布，即將推出的DDR5內(nèi)存已通過英特爾平臺認(rèn)證，這是一個重要的里程碑，因為金士頓的DDR5內(nèi)存是首個通過英特爾DDR5平臺兼容性認(rèn)證的內(nèi)存解決方案。
2022-03-16 09:23:161780 隸屬于SGH (Nasdaq： SGH)控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技 (“SMART”)宣布推出新型DuraMemory? DDR5 32GB VLP RDIMM 工規(guī)內(nèi)存模塊，這也是業(yè)界首款DDR5 VLP RDIMM規(guī)格。
2022-03-24 11:40:473342 主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表免費下載。
2022-05-16 14:16:25
37 7nm芯片和5nm芯片的區(qū)別在哪？7nm芯片和5nm芯片哪個好？在其他變量恒定的情況下，5nm芯片肯定要強于7nm芯片，5納米芯片意味著更小的芯片，5納米芯片要優(yōu)于7納米芯片，但是最終還是要看機器是否能夠發(fā)揮芯片的最大功效。
2022-07-05 09:26:1825002 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存能夠為人工智能(AI)、高性能計算(HPC)和數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供 DDR4 技術(shù)所不具備的更高 CPU 計算能力與內(nèi)存帶寬,從而最大限度地提升這些應(yīng)用的性能。
2022-07-07 14:45:573042 DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從DDR4最高的3200MT/s，到了DDR5最高的6400MT/s；其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯機制，以及降低功耗的1.1V電壓，而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片（PMIC）。
2022-07-12 09:58:506180 從增強現(xiàn)實到人工智能、云計算再到物聯(lián)網(wǎng)，5G正在燃爆新技術(shù)增長，同時也在燃爆它們生成的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)量越來越大，隨之而來的是存儲和快速訪問需求，DDR5之類的技術(shù)變得空前重要。數(shù)據(jù)中心需要持續(xù)存儲、傳送和處理這些數(shù)據(jù)，推動著高速信令的極限，也給內(nèi)存帶來了前所未有的測試挑戰(zhàn)。
2022-08-01 17:48:101793 該機構(gòu)表示，目前已經(jīng)在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機構(gòu)還預(yù)計HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
2022-09-19 15:14:482099 作為Rambus服務(wù)器和客戶端DDR5內(nèi)存接口芯片組的一部分，SPD Hub和溫度傳感器與RCD相結(jié)合，能夠為DDR5計算系統(tǒng)提供高性能、大容量的內(nèi)存解決方案。SPD Hub和溫度傳感器都是內(nèi)存模塊上的關(guān)鍵組件，可以感知并報告用于系統(tǒng)配置和熱管理的重要數(shù)據(jù)。
2022-09-23 10:49:533593 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設(shè)計，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:488531 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）隨著服務(wù)器CPU更多的開始支持DDR5，服務(wù)器的內(nèi)存也正向DDR5滲透，Rumbus公司預(yù)計服務(wù)器DDR5將在2023年出現(xiàn)強勁增長。事實上，作為唯數(shù)不多的內(nèi)存接口芯片
2023-03-02 10:27:136269 
DDR4內(nèi)存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個獨立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:444033 作為面向高性能計算的產(chǎn)品，這款A(yù)UM芯片擁有96個代號“Zeus”的Arm Neoverse V1架構(gòu)內(nèi)核，擁有最高96GB的HBM3內(nèi)存，另外還支持16通道DDR5內(nèi)存。96個核心分布在兩個小芯片
2023-05-19 09:43:332274 
由于人工智能需求激增，HBM和DDR5的價格和需求不斷增長。
2023-07-21 18:13:27831 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2535586 來源：EE Times 先進(jìn)ASIC領(lǐng)導(dǎo)廠商創(chuàng)意電子（GUC）宣布，公司HBM3解決方案已通過8.4 Gbps硅驗證，該方案采用臺積電5納米工藝技術(shù)。該平臺在臺積電2023北美技術(shù)研討會合作伙伴展示
2023-09-07 17:37:501188 
在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:423033 
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風(fēng)險，同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:311297 
為增強AI/ML及其他高級數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達(dá)9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率，支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的未來演進(jìn) 實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13579 
作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 內(nèi)存控制器 IP 現(xiàn)在可提供高達(dá) 9.6
2023-12-07 14:16:061362 在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測，這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:011882 
LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存，它們在時序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，但它們面向不同的應(yīng)用場景，并且在設(shè)計上有一些不同。 首先，讓我們來了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:067773 硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場報道：CES 2024大展期間，雷克沙帶來了豐富的存儲方案，涵蓋SSD、內(nèi)存、存儲卡等，包括頂級的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內(nèi)存。
2024-01-12 10:32:272862 
DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:0513400 韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中，展現(xiàn)出強大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示，公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:241697 近日，三星和SK海力士宣布，將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:211563 據(jù)悉，現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量，預(yù)計明年產(chǎn)量將會進(jìn)一步增加。
2024-05-30 15:41:092438 01活動主題DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號專題設(shè)計技術(shù)交流活動時間：2024年7月6日（本周六）10：00地點：深圳市南山區(qū)科技南十二路曙光大廈1002（深圳地鐵1號線，高新園地鐵站D出口200
2024-07-06 08:12:51979 
DDR5標(biāo)準(zhǔn)JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時代基本內(nèi)存條上時鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對而言比較細(xì)。不知道你開始使用DDR5沒有，你有關(guān)注過DDR5內(nèi)存條上的時鐘走線嗎？
2024-07-16 17:47:136103 
近日，據(jù)外媒報道，SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調(diào)15%至20%，這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露，此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴張，對DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461516 產(chǎn)能布局，將大量資源轉(zhuǎn)向生產(chǎn)面向AI需求的高頻寬內(nèi)存（HBM），導(dǎo)致DDR5等常規(guī)內(nèi)存規(guī)格的生產(chǎn)量急劇減少。
2024-08-15 10:19:212762 的數(shù)據(jù)傳輸速率、更大的容量和更低的功耗。 2. DDR5內(nèi)存工作原理 DDR5內(nèi)存的工作原理基于雙倍數(shù)據(jù)速率技術(shù)，即在每個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)。DDR5內(nèi)存通過提高數(shù)據(jù)傳輸速率、增加數(shù)據(jù)預(yù)取和優(yōu)化功耗管理來
2024-11-22 15:38:037928 DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù)，相較于DDR4內(nèi)存，在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)
2024-11-29 14:58:405418 DDR3、DDR4、DDR5是計算機內(nèi)存類型的不同階段，分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）。以下是它們之間的性能對比： 一、速度與帶寬 DDR3 ：速度
2024-11-29 15:08:2819716 6000MT/s，還將時序優(yōu)化至史無前例的 C26 水平。 尤其令人矚目的是，ARESRGB DDR5 6000 C26 與當(dāng)下廣受贊譽的 “頂級游戲 CPU” AMD Ryzen 7 9800X3
2024-12-12 14:51:071478 DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢延續(xù)的局面。未來，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:152015 
貞光科技作為紫光國芯核心代理商，主推其DDR5/HBM國產(chǎn)替代方案。紫光國芯的高性能存儲產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于信創(chuàng)及數(shù)據(jù)中心，貞光科技提供全線產(chǎn)品供應(yīng)與技術(shù)服務(wù)，助力打破供應(yīng)鏈壟斷，保障關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施的自主
2025-10-10 16:41:451668 
7月15日，JEDEC正式公布了全新的DDR5標(biāo)準(zhǔn)，劍指下一代高性能計算系統(tǒng)。據(jù)JEDEC聲稱，DDR5是為了滿足高效率高性能的多種需求所設(shè)計的，不僅包括客戶端系統(tǒng)，還有高性能服務(wù)器，為未來的數(shù)據(jù)中心和計算機改革提供全新的內(nèi)存技術(shù)。
2020-07-22 09:50:518746
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論