富士通半導體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標準封裝SOP-8，SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:23
6719 賽普拉斯非易失性隨機存取存儲器 (NVRAM) 可確保工業(yè)系統(tǒng)處于“零數(shù)據(jù)風險”狀態(tài)，無論是在正常運行還是故障發(fā)生期間均可以完成安全可靠的數(shù)據(jù)備份。
2017-10-25 10:19:2611523 
雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認識這個全稱；它通?？s寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個 DDR 芯片上畫
2018-04-02 09:21:219087 在同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:252072 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:365076 
動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)第四季價格持續(xù)下跌，存儲器封測廠受到客戶要求降價，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測售價5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271445 
說起存儲器IC的分類，大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類。RAM是Random Access Memory的縮寫，翻譯過來就是隨機存取存儲器，隨機存取可以理解為能夠高速讀寫。常見的RAM又可
2012-01-06 22:58:43
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機存取存儲器，存儲的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問
2022-01-26 06:05:59
ARM體系結構中主要半導體存儲器嵌入式系統(tǒng)使用的存儲器有多種類型，按其存取特性可分為隨機存取存儲器和只讀存儲器；按照所處的物理位置可分為片內(nèi)存儲器和片外存儲器以及外部存儲設備；按照存取
2021-12-17 07:26:46
地擦除，而EEPROM可以單個字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動態(tài)隨機
2022-03-02 07:20:19
MT47H64M16NF-25E:M動態(tài)隨機存取存儲器：規(guī)格：存儲器類型易失存儲器格式DRAM技術SDRAM - DDR2存儲容量1Gb （64M x 16）存儲器接口并聯(lián)時鐘頻率400MHz寫
2020-06-30 16:26:14
雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認識這個全稱；它通?？s寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個 DDR 芯片上畫
2022-11-23 07:15:34
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點？動態(tài)隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點？
2021-12-24 07:04:20
驅動器和磁泡存儲器。從1970年代開始，主流的集成半導體存儲器則主要分為三類：動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)、靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM) 和閃存。計算機內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。SRAM則
2021-12-08 07:23:46
就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是...
2021-07-27 06:06:26
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
方式隨機存取存儲器（RAM）靜態(tài) RAM（SRAM）動態(tài) RAM（DRAM）動態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲器（ROM）存儲容量的擴展存儲器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲器概述
2021-07-26 06:22:47
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
MT48LC16M16A2P-6A:G是一種高速CMOS動態(tài)隨機存取存儲器，包含268435456位。它內(nèi)部配置為具有同步接口的四組DRAM（所有信號都記錄在時鐘信號CLK的正邊緣
2023-02-02 13:49:53
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態(tài)隨機存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
制造商: ISSI 產(chǎn)品種類: 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS: Yes 存儲容量: 256 kbit 組織
2024-08-02 15:14:36
第三十一講 隨機存取存儲器
9.3 隨機存取存儲器9.3.1 RAM的基本結構和工作原理
9.3.2 RAM的存儲單元一、
2009-03-30 16:36:571541 
概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲器。這些器件采用了鐵電隨機存取存儲器(FRAM)技術，F(xiàn)RAM是非易失存儲器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43891 
摘要：該應用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機存取存儲器(RTC + FRAM)的高精度實時時鐘，無需外接電池即可保持存儲器內(nèi)容。
概述隨著DS32X35
2009-04-21 11:22:49890 
摘要：該應用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機存取存儲器(RTC + FRAM)的高精度實時時鐘，無需外接電池即可保持存儲器內(nèi)容。
概述隨著DS32X35
2009-04-22 09:39:18685 
什么是LPSDRAM
，低功耗同步動態(tài)隨機存取存儲器。
LPRAM
相關介紹：
LPSRAM又稱為極快的低功耗SRAM，它可減少移
2010-03-24 16:16:061763 名稱 RAM（隨機存取存儲器） RAM -random access memory 隨機存儲器 定義 存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無
2010-06-29 18:16:592983 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)，該存儲器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應用
2011-04-06 19:06:011886 QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:322377 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片F(xiàn)M24C64C具有低功率運作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011946 據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)近日報道，美國科學家們正在研制一種新的計算機存儲設備鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲設備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。
2011-10-19 09:47:401109 固態(tài)硬盤是一種基于永久性存儲器，如閃存或非永久性存儲器、同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）的計算機外部存儲設備。
2012-05-30 15:21:171564 所謂「隨機訪問」，指的是當存儲器中的訊息被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置無關。相對的，存取順序訪問（SequenTIal Access）存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系（如磁帶）。
2018-06-28 12:17:0013450 本文透過對于靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的 存取技術 ，可望提升動態(tài)隨機存取內(nèi)存( DRAM )單元的訪問速度。 超頻與內(nèi)存的關聯(lián)性 提升供應電壓以及降低環(huán)境溫度有助于增加微處理器、芯片組、主存儲器的頻率頻率。
2018-03-28 12:03:005022 
本文比較了TMS320C55x DSP外部存儲器接口（EMIF）和TMS320C6000 DSP EMIF的特點。這兩個接口都支持異步存儲器、同步突發(fā)靜態(tài)隨機存取存儲器（SBSRAM）和同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）。
2018-05-07 11:01:06
5 美國芯片設計商Rambus宣布與中國存儲器解決方案供應商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作建立一個在中國的合資企業(yè)Reliance Memory，以實現(xiàn)電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術的商業(yè)化
2018-05-17 10:34:006537 隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。
2018-05-17 17:04:5822889 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是STM32同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）的源代碼程序資料免費下載
2018-08-31 15:53:3923 隨機存取存儲器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。本視頻主要介紹了隨機存取存儲器的最大特點。
2018-11-24 10:59:1146034 半導體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0013982 
隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4916885 靜態(tài)隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。
2019-03-06 15:35:244600 靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地
2019-04-01 16:17:4236375 存儲器市況不明，針對存儲器價格波動趨勢，存儲器控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示，預估快閃存儲器（NAND Flash）價格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約在低個位數(shù)百分比；而動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）則預估持續(xù)跌至年底。
2019-05-06 16:23:48802 業(yè)界普遍認為未來從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價值，但要挖掘數(shù)據(jù)的價值除了需要很強的計算能力之外，數(shù)據(jù)的存儲也非常關鍵。目前，新型存儲器也是領先的企業(yè)非常關注的一個方向，蘭開斯特大學（Lancaster University）的研究人員最近發(fā)表論文稱其研究的新型存儲器可以兼具穩(wěn)定、高速、超低功耗的優(yōu)點。
2019-06-25 09:16:233652 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是使用DSP進行靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM的讀寫實驗報告書免費下載。
2019-08-02 17:39:284 SDRAM是同步動態(tài)隨機存取存儲器的縮寫。在微控制器應用中，微控制器通過使用外部存儲控制器(EMC)操作訪問SDRAM ，SDRAM時鐘頻率通常為100MHz或133MHz。
2019-11-23 11:38:018453 
我們許多人都知道，隨機存取存儲器（Random Access Memory，縮寫：RAM；也叫主存）是與電腦的中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。
2020-01-13 11:50:272642 隨機存取存儲器，存儲的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問，RAM 中的數(shù)據(jù)在掉電時會丟失； ROM（Read Only Memory）存儲器又稱只讀存儲器，只能從中讀取信息而不能任意寫信息。ROM 具有掉電后數(shù)據(jù)可保持不變的優(yōu)點。 RAM 和 ROM 兩大類下面又可分很多小類，如下圖所示：
2020-04-09 08:00:004 新興的非易失性存儲器技術主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 因此“內(nèi)部快取記憶體”應運而生，也就是靜態(tài)隨機存取存儲器。它通常以六個聯(lián)結晶狀體所構成，不需要去更新。靜態(tài)隨機存取儲存器是計算機系統(tǒng)中最快的存儲器，但也是最貴的，也占用了比動態(tài)隨機存取儲存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:583508 DRAM是Dynamic random access memory 的縮寫，稱為動態(tài)隨機存取存儲器。主要運用在對功耗要求不太高、系統(tǒng)緩存要求容量比較大速度要求比較快的系統(tǒng)。
2020-07-16 10:39:175876 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:036543 
鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和閃存）結合起來。
2020-12-03 11:53:168369 UG-1755：評估ADG5401F故障保護，6Ω隨機存取存儲器，帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關
2021-03-23 00:21:254 ADG7421F：低壓故障保護和檢測，20?隨機存取存儲器，雙單擲開關數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144 作者：Robert Taylor1? 德州儀器
雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認識這個全稱；它通?？s寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR
2021-11-23 14:53:452827 鐵電存儲器是一種隨機存取存儲器，同時也是一種特殊工藝的非易失性的存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問，它屬...
2022-01-26 18:11:561 一般計算機系統(tǒng)所使用的隨機存取內(nèi)存主要包括動態(tài)與靜態(tài)隨機存取內(nèi)存兩種，差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，...
2022-02-07 12:29:531 國產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機存取存儲器，內(nèi)部組織為32K字，每個字8位。最大時鐘20MHz，采用最先進的CMOS技術設計和制造，以提供高速性能和低功耗。該
2022-04-24 15:59:181097 
富士通半導體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021789 VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口?？梢赃x擇塊單獨配備專用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術制造，堆疊六個SRAM芯片，采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為兩個256Kx40bit寬的獨立塊數(shù)據(jù)接口。可以使用專用的#CSn單獨選擇每個塊。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造，可堆疊四個采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨立塊。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造，可堆疊四層采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨立塊。
2022-06-08 14:18:520 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機存取存儲器8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的五個獨立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機存取存儲器。該器件采用VDIC高密度SiP技術制造，可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術，該模具堆疊八個1-Mbit MRAM模具。它由八個128K的獨立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的一個獨立模塊。
2022-06-07 16:04:271 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為一個128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨立模塊。
2022-06-08 10:18:481 W9825G6KH是一種高速同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM），由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達每秒200兆字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個人計算機行業(yè)標準，W9825G6KH
2022-09-29 11:42:064 在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運行程序的臨時存儲介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:464852 
相變隨機存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:151623 在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:5712490 在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:391354 
在IC領域，SRAM（Static Random-Access Memory）是一種靜態(tài)的隨機存取存儲器。“靜態(tài)”是相對于動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）而言，只要系統(tǒng)不斷電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以一直保持。而DRAM里面用電容儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地刷新。
2023-03-21 14:24:033512 
無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會定期進入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機存取存儲器（RAM），今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:551185 作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52630 
，非易失性存儲器在計算機關閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:282450 本文將介紹芯片設計中動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的相關知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設備中的應用。
2023-10-23 10:07:347663 后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:012866 
，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:062013 20世紀70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:272310 低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:361567 
從存儲芯片的市場表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）與NAND Flash（閃存存儲器）目前的價格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32926 英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴展其集成嵌入式糾錯碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機存取存儲器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設計初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計算需求。
2024-01-24 17:11:391317 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的工藝流程包括多個關鍵步驟。
2024-04-05 04:50:0010585 
DDR和LPDDR都是動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的類型，它們在計算機和移動設備中用于臨時存儲數(shù)據(jù)。
2024-05-12 15:19:004796 DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設計簡潔而高效，主要由一個晶體管（MOSFET）和一個電容組成，這一組合使得DRAM能夠在保持成本效益的同時，實現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)存取。
2024-09-10 14:42:493256 重新寫入數(shù)據(jù)。EPROM是隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）之間的一種折中方案，它結合了兩者的一些特性。 EPROM可以采用隨機存取方式，這意味著用戶可以在任何時候讀取存儲器中的任何位置的數(shù)據(jù)，而不需要按照特定的順序。這種特性使得EPROM在需要頻繁更新數(shù)據(jù)的應用中非常有用，例如
2024-09-18 11:13:213297 靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）是隨機存取存儲器（RAM）的一種，以其獨特的靜態(tài)存儲方式而著稱。所謂“靜態(tài)”，意味著只要保持通電狀態(tài)，SRAM內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)就可以恒常保持，無需像動態(tài)隨機存取存儲器
2024-09-26 16:25:308028 
隨機存取存儲器（Random Access Memory，簡稱RAM）是計算機和其他電子設備中用于存儲數(shù)據(jù)的一種半導體存儲器。它允許數(shù)據(jù)在任何時間被讀取或寫入，因此被稱為“隨機存取”。RAM是計算機
2024-10-14 09:51:232474 內(nèi)存儲器可以根據(jù)不同的標準進行分類。以下是一些常見的分類方式： 按存儲介質(zhì)分類 半導體存儲器 ：使用半導體材料（如硅）制成的存儲器，如靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）。 磁存儲器 ：使用磁性材料存儲數(shù)據(jù)的存儲器，如硬盤
2024-10-14 10:09:373689 ? 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應用于個人計算機、服務器、移動設備及高性能計算領域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲單元結構及制造工藝演進，并分析
2025-02-14 10:24:401449 
人工智能與高性能計算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲技術發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時代日益增長的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲技術的新興存儲技術。
2025-04-03 09:40:411711 在當今高速發(fā)展的3C領域（計算機外設、通信及消費電子），對存儲器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動態(tài)隨機存取存儲器作為核心存儲部件，其性能表現(xiàn)直接影響設備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00254 在計算機和電子設備中，存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時存放與快速交換的關鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機制，廣泛應用于電腦、服務器、移動設備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44298
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