DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:29
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DRAM： 我們再說說DRAM。DRAM全稱Dynamic Random Access Memory，翻譯過來為動(dòng)態(tài)隨機(jī)讀取存儲(chǔ)器。
2022-10-06 13:05:009039 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。 技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體
2023-08-08 14:24:121855 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:365076 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌，存儲(chǔ)器封測廠受到客戶要求降價(jià)，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測售價(jià)5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271445 
9月14日，臺(tái)資動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM）廠南亞科技今天宣布，自15日起暫停供貨華為，未來將依照相關(guān)規(guī)定向美方申請恢復(fù)供貨。
2020-09-15 09:43:093357 想了解DRAM 的EFA測試，以及她的測試程序如何，學(xué)習(xí)的技巧等
2020-11-13 13:53:41
：名詞解釋如下DRAM--------動(dòng)態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式SRAM--------靜態(tài)的隨機(jī)存儲(chǔ)器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且
2012-08-15 17:11:45
才會(huì)停止DRAM的投資。從目前各新興存儲(chǔ)器的技術(shù)進(jìn)展來看，讀寫速度都已紛紛進(jìn)入10ns的目標(biāo)區(qū)，而且不需要更新電流(refresh current)，對功耗問題大有好處。況且這些技術(shù)也都可以3D堆疊
2018-10-12 14:46:09
、SDRAM、EDO RAM都屬于DRAM（Dynamic RAM）,即動(dòng)態(tài)內(nèi)存。所有的DRAM基本單位都是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成。請看下圖： [/hide]
2009-10-21 18:27:06
復(fù)雜一些。DRAM的存取速度一般比SRAM要慢?！ ?b class="flag-6" style="color: red">DRAM推薦型號 SRAM與DRAM的區(qū)別 SRAM 1.速度快 2.不需要刷新可保持?jǐn)?shù)據(jù) 3.無需MCU帶特殊接口 4.容量
2020-12-10 15:49:11
一種特定的類型：DRAM。DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種基于充電電容器的存儲(chǔ)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)起來非?？烨冶阋?。它還允許高密度。但是DRAM并非沒有缺陷。DRAM中的一位可以存儲(chǔ)為電容器上是否存在電荷
2020-09-25 08:01:20
先準(zhǔn)備在DVSDK的基礎(chǔ)上移植u-boot,由于更換了DDR，因此要修該DDR的參數(shù)，但我找不到dram_init函數(shù)在哪一個(gè)文件里：搜索了一下有下面幾個(gè)文件比較像，但我不知到時(shí)哪一個(gè)，請各位幫忙
2020-08-17 11:19:18
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)的內(nèi)容可通過指令隨機(jī)讀寫訪問
2022-01-26 06:05:59
DDR4，開發(fā)版使用的是DDR3。DRAM：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，內(nèi)部存儲(chǔ)單元的以電容電荷表示數(shù)據(jù)，1代表有電荷，0代表無數(shù)據(jù)。DRAM結(jié)構(gòu)簡答，所以成本低，集成度高。但是存取速度不如SRAM。? 2.DDR?常見頻率100MHZ，133MHZ，166M，200MHz。?計(jì)算容量：行地址位row=
2022-02-07 06:15:06
使用NI的 FPGA，開辟了一個(gè)1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個(gè)MCK一個(gè)地址的刷新DRAM中的數(shù)據(jù)，也就是每個(gè)地址刷新時(shí)間不到17微秒，一開始出現(xiàn)一個(gè)數(shù)據(jù)都寫不進(jìn)去，我
2018-11-07 23:57:30
HY57V161610E是海力士半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款16MB存儲(chǔ)容量的同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM），它由2個(gè)512K×16bit存儲(chǔ)體組成。
2021-05-20 08:02:37
在過去兩年中，全球DRAM制造商一直在以近乎滿負(fù)荷的速度運(yùn)營著自己的內(nèi)存芯片廠，從而導(dǎo)致了DRAM價(jià)格的持續(xù)上漲。在IC Insights近期發(fā)布的報(bào)告中披露，DRAM平均售價(jià)（ASP）在2018年
2018-10-18 17:05:17
MT47H64M16NF-25E:M動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：規(guī)格：存儲(chǔ)器類型易失存儲(chǔ)器格式DRAM技術(shù)SDRAM - DDR2存儲(chǔ)容量1Gb （64M x 16）存儲(chǔ)器接口并聯(lián)時(shí)鐘頻率400MHz寫
2020-06-30 16:26:14
求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動(dòng)態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來
2015-11-04 10:09:56
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
（StaticRandom-AccessMemory）即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，所謂“靜態(tài)”是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就可以一直保持，但是掉電之后就會(huì)丟失。與DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存...
2021-08-12 06:14:59
Direct Rambus DRAM的信號連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號線是漏極開路輸出以及時(shí)鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的?！ D Direct Rambus DRAM
2008-12-04 10:16:36
[資訊] DRAM挺過7月 有望旺到后年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）價(jià)格年初以來維持強(qiáng)勢，但封測廠強(qiáng)調(diào)，7月爾必達(dá)新增產(chǎn)能是否可以去化是重要觀察期，一旦能順利消化，DRAM產(chǎn)業(yè)榮景將能持續(xù)到明、后年
2010-05-10 10:51:03
的時(shí)鐘周期傳輸?shù)刂窋?shù)據(jù)。這樣就可以節(jié)省一半的針腳實(shí)現(xiàn)和SRAM的同樣功能，這種技術(shù)即多路技術(shù)（multiplexing）?？梢酝瓿赏?6K SRAM一樣的工作。DRAM減少地址引腳的主要原因是以下幾個(gè)
2010-07-15 11:40:15
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
的是SDRAM和DDR，DDR2。按照發(fā)展的歷程，很正常的想到，越后的內(nèi)存會(huì)比前代內(nèi)存速度更快。DDR全名為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，這里就可以看出，DDR比SDRAM快了兩倍的速率，實(shí)現(xiàn)的原理這篇文檔
2021-12-17 07:44:44
來源：電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報(bào)告，2006年第二季全球DRAM銷售額較第一季成長15.5%。主要原因來自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43:30
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
，其中訪問時(shí)間的選擇、等待狀態(tài)以及刷新方法是至關(guān)重要的。DRAM控制器必須正確響應(yīng)80C186XL的所有總線周期，必須能將DRAM的部周期和其它訪問周期分辨出來，其訪問速度必須足夠快，以避免不必要
2011-02-24 09:33:15
1.SDRAM引入1.1 常見存儲(chǔ)器介紹：DRAM介紹同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(synchronous dynamic random-access memory，簡稱SDRAM)，有一個(gè)同步接口的動(dòng)態(tài)
2022-05-16 15:03:13
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
MT48LC16M16A2P-6A:G是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，包含268435456位。它內(nèi)部配置為具有同步接口的四組DRAM（所有信號都記錄在時(shí)鐘信號CLK的正邊緣
2023-02-02 13:49:53
MT48LC4M32B2P-6A:L是一款高性能的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），由MICRON制造，專為滿足各種電子設(shè)備的內(nèi)存需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和穩(wěn)定性，適用于多種應(yīng)用場景。目前
2025-02-14 07:28:17
什么是DRAM DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很
2010-01-07 10:00:451514 什么是EDO DRAM/All-in-One
EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出DRAM。對DRAM的訪問模式進(jìn)行一些改進(jìn)，縮短內(nèi)存有效訪問
2010-02-05 09:34:05887 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機(jī)存貯器)是指通過指令可以隨機(jī)地、個(gè)別地對每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問、訪問所需時(shí)間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3315009 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器"。。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，
2010-03-24 16:17:212726 DRAM市場上行趨勢將延續(xù)三年
行業(yè)研究公司DRAMeXchange周二表示，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)電子晶片市場在錄得歷史最大跌幅後預(yù)計(jì)將連續(xù)三年
2010-03-25 17:17:07746 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:361316 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）在主要廠商賣壓消化以及傳統(tǒng)旺季需求推升下，10月下旬合約價(jià)止穩(wěn)，集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange 昨日公布10月下旬合約價(jià)維持持平，是今年
2011-10-27 10:07:46463 利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類產(chǎn)品線，各產(chǎn)品線主要終端應(yīng)用產(chǎn)品各自不同。加總Mobile DRAM、Specialty DRAM與Graphics DRAM等3大產(chǎn)品總市場需求，DIGITIMES預(yù)估
2011-10-28 09:39:003713 主攻個(gè)人計(jì)算機(jī)市場的標(biāo)準(zhǔn)型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）近期呈現(xiàn)強(qiáng)勁的拉貨力道，本月價(jià)格可望強(qiáng)彈；應(yīng)用行動(dòng)裝置的儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）因補(bǔ)貨需求落空，價(jià)格看跌。
2012-05-07 10:47:51820 
問題1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM？ 答：名詞解釋如下 DRAM--------動(dòng)態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式 SRAM--------靜態(tài)的隨機(jī)存儲(chǔ)器，
2012-11-13 15:08:224319 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（Dynamic Random-Access Memory，DRAM）是常見的內(nèi)存元件。在處理器相關(guān)運(yùn)作中，DRAM 經(jīng)常被用來當(dāng)作資料與程序的主要暫存空間。相對于硬盤或是快閃內(nèi)存
2018-07-14 05:15:004683 
在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個(gè) Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
2017-03-17 16:12:145616 
什么是DRAM？ DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電
2017-10-13 20:02:46
10 FPGA中的存儲(chǔ)塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問的存儲(chǔ)塊（DRAM），這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:063688 
許多高性能儀器使用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)作為本地存儲(chǔ)器，DRAM是一種高密度、高帶寬的存儲(chǔ)器。選擇具有DRAM的NI FlexRIO FPGA模塊， 您便可自由地將此類本地存儲(chǔ)納入您
2017-11-17 17:28:151539 
DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)對設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2018-06-07 22:10:0095076 OFweek垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元，能夠顯著降低動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復(fù)雜性。這是一種靜態(tài)的內(nèi)存單元，無需刷新操作;兼容于現(xiàn)有晶圓廠的制造設(shè)備，也無需任何新的材料或工藝。
2018-06-07 03:06:002565 
本文作者曾經(jīng)為計(jì)算機(jī)主板制造公司撰寫關(guān)于自動(dòng)超頻(overclock)的BIOS，發(fā)現(xiàn)微處理器由于受限于主存儲(chǔ)器的性能而必須降低頻率頻率來維持計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定性，因而探索一種可提升DRAM單元訪問
2018-02-02 05:33:101191 
RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間
2018-09-21 22:27:011143 
Random Access Memory的縮寫，即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。
2019-02-04 11:40:009511 DRAM是Dynamic random access memory 的縮寫，稱為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。主要運(yùn)用在對功耗要求不太高、系統(tǒng)緩存要求容量比較大速度要求比較快的系統(tǒng)。
2020-07-16 10:39:175876 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:192373 SRAM的S是Static的縮寫，全稱是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫，全稱是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這兩者有什么區(qū)別呢？首先我們看看SRAM的結(jié)構(gòu)，你可以網(wǎng)上搜索一下有很多資料介紹SRAM的，比較出名的是6場效應(yīng)管組成一個(gè)存儲(chǔ)bit單元的結(jié)構(gòu)：
2020-08-22 09:21:0021410 
基礎(chǔ)。 1995年IBM、摩托羅拉及好萊塢等三家大企業(yè)提供基金進(jìn)行高密、高速低耗MRAM芯片的開發(fā),其技術(shù)指標(biāo)及產(chǎn)品目標(biāo)要求如下: 技術(shù)指標(biāo): 具有sram芯片的隨機(jī)存取速率; 具有DRAM芯片的大容量存儲(chǔ)密度; 具有EEPROM芯片存入數(shù)據(jù)的非易失性。 產(chǎn)品目標(biāo): 取代計(jì)算機(jī)的DRAM內(nèi)存，
2020-09-07 18:19:336600 
在上周舉辦的IEDM 2020上，IMEC展示了一種新穎的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）單元架構(gòu)，該架構(gòu)實(shí)現(xiàn)了兩種銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管（IGZO-TFT），并且沒有存儲(chǔ)電容器。
2020-12-21 10:51:562637 這些年來，記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)了各種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，這些標(biāo)準(zhǔn)也都各自進(jìn)一步發(fā)展出不同世代的版本。本文將回顧不同DRAM架構(gòu)的特色，點(diǎn)出這些架構(gòu)的共同趨勢與瓶頸，并會(huì)提出IMEC為了將DRAM性能推至極限而采取的相關(guān)發(fā)展途徑。
2021-01-22 10:12:356282 
均有重大突破。 ? 美光表示，對比上一代的 1z DRAM 制程，1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%。 美光計(jì)劃于今年將 1α 節(jié)點(diǎn)全面導(dǎo)入其 DRAM 產(chǎn)品線，從而更好地支持廣泛的 DRAM 應(yīng)用領(lǐng)域——為包括移動(dòng)設(shè)備和智能車輛在內(nèi)的各種應(yīng)用提供更強(qiáng)的性能。 美光的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方
2021-01-27 13:56:032777 美光本周二公布其用于DRAM的1α新工藝，該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%，功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存，未來或?qū)⒌采w美光所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442841 自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-RAM）技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢，SRAM的快速讀寫性能以...
2022-01-26 18:32:390 一般計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所使用的隨機(jī)存取內(nèi)存主要包括動(dòng)態(tài)與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種，差異在于DRAM需要由存儲(chǔ)器控制電路按一定周期對存儲(chǔ)器刷新，...
2022-02-07 12:29:531 韓國貿(mào)易部周五發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，8月份動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的發(fā)貨量較上年同期下降24.7%，而上個(gè)月下降了7%。
2022-09-20 11:53:571476 DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DRAM、FPM DRAM、Mobile DRAM等等。
2023-01-12 09:12:4810600 
在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:5712490 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:391354 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:035687 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
2023-08-03 12:27:032067 
本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:347663 20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:272310 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:0011547 SNIA的Arthur Sainio、Tom Coughlin和Jim Handy表示，如SK海力士和美光研發(fā)的鉿鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存，盡管已達(dá)到現(xiàn)代DRAM速度，但目前尚不知曉何種新興內(nèi)存技術(shù)會(huì)脫穎而出，從而取代DRAM在PC和服務(wù)器中的地位。
2024-02-22 15:08:043197 在科技日新月異的今天，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，其技術(shù)革新一直備受矚目。近日，據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露，韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士，都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486 在當(dāng)前的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片市場中，一個(gè)引人注目的趨勢正在悄然成形。業(yè)界專家紛紛指出，隨著高帶寬存儲(chǔ)（HBM）等先進(jìn)DRAM技術(shù)的投資熱潮，通用型DRAM（Dynamic Random-Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的供應(yīng)可能會(huì)陷入短缺的境地。
2024-06-26 11:46:262041 隨著全球科技行業(yè)的不斷發(fā)展，尤其是人工智能（AI）領(lǐng)域的迅猛崛起，存儲(chǔ)芯片市場正迎來新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。據(jù)行業(yè)分析師的最新預(yù)測，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）價(jià)格在接下來的半年里將持續(xù)上漲，這一趨勢源于多方面的因素共同推動(dòng)。
2024-07-01 09:31:03959 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)和快速訪問數(shù)據(jù)，是計(jì)算機(jī)主內(nèi)存的主要組成部分。以下是對DRAM在計(jì)算機(jī)中的詳細(xì)解析。
2024-07-24 17:04:425950 在數(shù)字時(shí)代，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）扮演著至關(guān)重要的角色。它們存儲(chǔ)著我們的數(shù)據(jù)，也承載著我們的記憶。然而，要正確地操作DRAM并確保其高效運(yùn)行，了解其背后的時(shí)序和操作機(jī)制是必不可少的。
2024-07-26 11:39:052036 
今天我們來聊聊在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域中非常關(guān)鍵的技術(shù)——DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理。
2024-07-26 11:40:184492 
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中廣泛使用的內(nèi)存類型之一。它以其高速、大容量和相對低成本的特點(diǎn)，在數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下將詳細(xì)介紹DRAM的分類、特點(diǎn)以及技術(shù)指標(biāo)。
2024-08-20 09:35:348864 近日，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）市場傳來重磅消息，由于服務(wù)器需求持續(xù)強(qiáng)勁及產(chǎn)能排擠效應(yīng)顯著，多家大廠決定在第三季度對DDR5內(nèi)存價(jià)格進(jìn)行新一輪調(diào)整。據(jù)供應(yīng)鏈最新消息，三星電子與SK海力士這兩大DRAM巨頭已正式發(fā)出通知，宣布DDR5內(nèi)存的單季價(jià)格將實(shí)現(xiàn)15%以上的顯著上漲。
2024-08-21 15:40:011224 ）技術(shù)實(shí)現(xiàn)，而不是像系統(tǒng)主存那樣使用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）技術(shù)。SRAM具有訪問速度快但成本較高的特點(diǎn)，這使得高速緩沖存儲(chǔ)器能夠在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中提供接近CPU速度的數(shù)據(jù)訪問能力。
2024-09-10 14:09:284406 DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計(jì)簡潔而高效，主要由一個(gè)晶體管（MOSFET）和一個(gè)電容組成，這一組合使得DRAM能夠在保持成本效益的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)存取。
2024-09-10 14:42:493256 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static Random Access Memory，簡稱SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，簡稱DRAM）是兩種不同類
2024-09-26 16:35:459136 DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)。它由許多存儲(chǔ)單元組成，每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)一位或多位數(shù)據(jù)。DRAM的主要特點(diǎn)是集成度高、成本低，但讀寫速度相對較慢，并且需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)。
2024-10-12 17:06:114113 本文介紹了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器DRAM的基本結(jié)構(gòu)與工作原理，以及其在器件縮小過程中面臨的挑戰(zhàn)。 DRAM的歷史背景與發(fā)展 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器（Dynamic Random Access Memory，簡稱
2024-12-17 14:54:315739 
在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域（計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信及消費(fèi)電子），對存儲(chǔ)器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器作為核心存儲(chǔ)部件，其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00254 在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）依然是計(jì)算系統(tǒng)中最核心的存儲(chǔ)組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲(chǔ)方案，但二者憑借成熟的設(shè)計(jì)與明確
2025-12-02 13:50:46869
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