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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))
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據(jù)悉,新廠將采用EUV光刻機技術,并計劃在2025年量產(chǎn)的下一代1-gamma(nm)節(jié)點引入EUV光刻技術。鑒于DRAM行業(yè)的代際周期,新廠有望具備生...
美光HBM3E解決方案,高帶寬內(nèi)存助力AI未來發(fā)展
美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能,功耗...
SK海力士:HBM3E量產(chǎn)時間縮短50%,達到大約80%范圍的目標良率
據(jù)報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
美光科技或需賠償Netlist內(nèi)存子系統(tǒng)專利三倍
5月23日,美國得克薩斯州東區(qū)地方法院裁判小組判定美光生產(chǎn)的DRAM芯片侵犯了Netlist關于優(yōu)化檔案調(diào)用性能的兩項專利,并認定美光有意侵權(quán)。
三星電子研發(fā)16層3D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管
在今年的IEEE IMW 2024活動中,三星DRAM業(yè)務的資深副總裁Lee指出,已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM,其中美光更是發(fā)展...
三星、SK海力士對DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度
在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲,這一上漲主要歸...
三星和SK海力士未恢復增產(chǎn)并計劃限制DRAM產(chǎn)量
根據(jù)行業(yè)預估,三星和SK海力士有望在今年擴展產(chǎn)量以應對逐步好轉(zhuǎn)的半導體市場環(huán)境。然而,他們在今年一季度財政報告會上均表示,DRAM產(chǎn)量可能會受到制約。
三星電子和SK海力士對通用存儲芯片增產(chǎn)持謹慎態(tài)度
據(jù)悉,四月份8GB DDR4 DRAM的合同價格較上月增長了17%,但128GB(16G x 8)MLC通用閃存在便攜式存儲設備如閃存盤中的價格維持不變。
機構(gòu):2024年底前HBM將占先進制程比例為35%
據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce估算,市場對HBM需求呈現(xiàn)高速增長,加上HBM利潤高,故三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片
三星電子與SK海力士預測存儲芯片市場需求強烈,HBM產(chǎn)能售罄
全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價格將持續(xù)攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關芯片的強大需求。
SK海力士、三星電子:HBM內(nèi)存供應充足,明年HBM4將量產(chǎn)
這類內(nèi)存的售價遠高于主流 DRAM,而由于制作 TSV 工藝的良率問題,對晶圓的消費量更是達到普通內(nèi)存的 2-3 倍。因此,內(nèi)存廠商需提高 HBM 產(chǎn)量...
SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)
值得注意的是,目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開始量產(chǎn)1c nm(第六代10+nm級)制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報道,三星電子與SK海力士預計今年內(nèi)實現(xiàn)1c...
美光LPDDR5內(nèi)存為汽車高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)提供解決方案
長期以來,汽車功能安全主要由一級供應商和汽車主機廠商(OEM) 負責。如今,隨著車輛系統(tǒng)復雜性的提升和車內(nèi)電子元件的不斷增加,功能安全正逐漸成為半導體廠...
2024-05-14 標簽:半導體DRAMADAS系統(tǒng) 1.7k 0
SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預計2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 H...
華邦自DDR2時期就深入物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)、電信等高附加值領域,而隨著制程升級至DDR3階段,該公司開始加大對DDR3產(chǎn)能建設的投資力度。高雄工廠今年引...
2024-05-13 標簽:DRAM物聯(lián)網(wǎng)DDR2 1k 0
全球芯片供應鏈重構(gòu),美韓DRAM產(chǎn)能將擴增
盡管韓國在邏輯芯片市場的地位有所下滑,但得益于AI芯片需求的激增,DRAM市場如高帶寬存儲器(HBM)等產(chǎn)品需求旺盛,韓國DRAM產(chǎn)能將從2022年的5...
三星電子組建HBM4團隊,旨在縮短開發(fā)周期,提升競爭力
據(jù)此,現(xiàn)有的DRAM設計團隊將主要負責HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化,而今年三月份新設立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊則專攻下一代技術——HBM4。
兆易創(chuàng)新:預計2024年DRAM業(yè)務持續(xù)增長
兆易創(chuàng)新近日在業(yè)績說明會上展望了公司未來的發(fā)展藍圖。公司高管表示,面對2024年營收目標73億元的挑戰(zhàn),兆易創(chuàng)新將保持戰(zhàn)略定力,致力于擴大市場占有率和提...
2024-05-11 標簽:DRAM兆易創(chuàng)新 1.2k 0
具體而言,現(xiàn)有的DRAM設計團隊將負責HBM3E內(nèi)存的進一步研發(fā),而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。
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