據(jù)韓國媒體 Hankyung 近日報道，全球存儲龍頭企業(yè) SK 海力士與三星電子在近期舉辦的投資者活動上透露，現(xiàn)有的 DRAM 產(chǎn)能中已有兩成為 HBM 內(nèi)存所用。

這類內(nèi)存的售價遠高于主流 DRAM，而由于制作 TSV 工藝的良率問題，對晶圓的消費量更是達到普通內(nèi)存的 2-3 倍。因此，內(nèi)存廠商需提高 HBM 產(chǎn)量以應對日益增長的市場需求。

在此背景下，三星電子代表預測，無論是 HBM 還是主流 DRAM（如標準 DDR5），年內(nèi)價格都不會有明顯下滑。SK 海力士也重申，按照現(xiàn)有產(chǎn)能規(guī)劃，到今年年底，他們已為 2025 年的 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能做好了充分準備。

三星電子方面表示，其 HBM 訂單狀況與競爭對手相似，目前已全部售出，且預計明年不會出現(xiàn) HBM 內(nèi)存供應過剩的現(xiàn)象。同時，該公司還宣布將于明年完成 HBM4 內(nèi)存的研發(fā)工作，并于 2026 年實現(xiàn)量產(chǎn)，并計劃在其中引入混合鍵合技術(shù)。

然而，SK 海力士對此持有不同看法，他們認為在 HBM4 內(nèi)存中采用混合鍵合的可能性較小。此外，兩家公司均對企業(yè)級固態(tài)硬盤市場保持樂觀態(tài)度，三星電子代表認為這一領(lǐng)域的需求增長將是長期趨勢。