英特爾完成高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)，將用于14A制程

半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）于去年底在社交媒體上發(fā)布照片，揭示已向英特爾提供第一套高數(shù)值孔徑EUV系統(tǒng)的關(guān)鍵部件。如今英特爾宣布已完成組裝，這無(wú)疑...

2024-04-19 標(biāo)簽：英特爾EUV半導(dǎo)體設(shè)備 1.1k 0

臺(tái)積電營(yíng)收強(qiáng)勢(shì)攀升，AI/HPC業(yè)務(wù)表現(xiàn)搶眼

從客戶構(gòu)成來(lái)看，臺(tái)積電在2023年的營(yíng)收中，蘋果占據(jù)了25%的份額，穩(wěn)居第一。

2024-04-11 標(biāo)簽：臺(tái)積電蘋果AI 920 0

美國(guó)BIS更新出口管制新規(guī)，強(qiáng)化半導(dǎo)體出口監(jiān)管

首先，對(duì)EUV掩膜基板追加管制。特別是專供EUV光刻制程之用的掩膜基板現(xiàn)已正式納入出口控制范圍，相關(guān)出口皆需遵循嚴(yán)格的許可要求。

2024-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體EUV掩膜 1.9k 0

英特爾芯片制造業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)用EUV工具，虧損加劇

該企業(yè)宣布其制造部門于2023年度產(chǎn)生70億美元的運(yùn)營(yíng)虧損，相比去年同期的52億美元有所擴(kuò)大；另一方面，盡管該部門2023年呈現(xiàn)出189億美元的銷售收入...

2024-04-03 標(biāo)簽：英特爾制造業(yè)EUV 681 0

美國(guó)商務(wù)部更新半導(dǎo)體出口管制細(xì)則

實(shí)際上，浙商電子的研究報(bào)告指出，美方此次出口管制的核心轉(zhuǎn)變?cè)谟诩訌?qiáng)了對(duì)EUV掩?；宓墓芸?，明晰了集成電路的性能關(guān)鍵參數(shù)定義及計(jì)算方法，強(qiáng)化了對(duì)集成電路...

2024-04-03 標(biāo)簽：芯片集成電路EUV 1.8k 0

光刻膠技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)共性難題解決新方向

隨著半導(dǎo)體制造工藝節(jié)點(diǎn)不斷發(fā)展至100納米甚至更小的10納米級(jí)別，如何制作出尺寸精度高、表面特征優(yōu)秀、線邊緣粗糙度低的光刻圖形已逐漸成為整個(gè)行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。

2024-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造EUV光刻膠 1.1k 0

Intel揭示全新工藝路線圖：14A技術(shù)有望2026年問(wèn)世

根據(jù)英特爾的新規(guī)劃，Intel 14A工藝有望在2026年與我們見面，而更先進(jìn)的Intel 14A-E工藝則預(yù)計(jì)將在2027年問(wèn)世。

2024-03-12 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電晶圓代工 2.1k 0

三星清空ASML股份，11年盈利超16倍

根據(jù)資料顯示，在2012年，為了支持ASML EUV光刻機(jī)的研發(fā)與商用，并獲得EUV光刻機(jī)的優(yōu)先供應(yīng)，在2012年，英特爾、臺(tái)積電、三星均斥資入股了AS...

2024-02-23 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUVASML 1.6k 0

佳能推出5nm芯片制造設(shè)備，納米壓印技術(shù)重塑半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局?

佳能近日表示，計(jì)劃年內(nèi)或明年上市使用納米壓印技術(shù)的光刻設(shè)備FPA-1200NZ2C。對(duì)比已商業(yè)化的EUV光刻技術(shù)，雖然納米壓印的制造速度較傳統(tǒng)方式緩慢，...

2024-01-31 標(biāo)簽：佳能EUV納米壓印 2k 0

半導(dǎo)體行業(yè)能否走出低谷，中國(guó)影響幾何？

英特爾和臺(tái)積電都在技術(shù)上投入資金。三星和其他內(nèi)存制造商必須跟上技術(shù)節(jié)點(diǎn)的轉(zhuǎn)變，即使同時(shí)保持產(chǎn)能遠(yuǎn)離市場(chǎng)。他們需要跟上技術(shù)的步伐，以在摩爾定律的基礎(chǔ)上保持...

2024-01-29 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電光刻機(jī) 1.3k 0

臺(tái)積電在2nm制程技術(shù)上展開防守策略

臺(tái)積電的2nm技術(shù)是3nm技術(shù)的延續(xù)。一直以來(lái)，臺(tái)積電堅(jiān)定地遵循著每一步一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)策略，穩(wěn)扎穩(wěn)打，不斷突破。

2024-01-25 標(biāo)簽：晶圓代工芯片制造EUV 1.1k 0

ASML第四季度銷售額超預(yù)期，中國(guó)市場(chǎng)份額下滑

得益于極致紫外線（EUV）設(shè)備搶手，ASML第四季度訂單預(yù)估額高達(dá)91.9億歐元（折合99.8億美元），比第三季度的26.02億歐元足足翻了近三番。根據(jù)...

2024-01-25 標(biāo)簽：紫外線EUVASML 1k 0

那個(gè)晶圓廠，真的會(huì)建嗎？

在2023年12月舉辦的“Semicon Japan”演講中，SEMI演講者預(yù)計(jì)2025年相關(guān)投資額將達(dá)到1,250億美元。

2024-01-18 標(biāo)簽：晶圓電力設(shè)備晶圓代工 788 0

SK海力士擬將無(wú)錫C2工廠升級(jí)為第四代D-ram工藝，并引進(jìn)EUV技術(shù)

Sk海力士期望通過(guò)在無(wú)錫工廠完成第四代D-RAM制造環(huán)節(jié)中的部分工藝流程，隨后將芯片運(yùn)回韓國(guó)總部利川園區(qū)進(jìn)行EUV處理，最后送回?zé)o錫工廠進(jìn)行后續(xù)操作。盡...

2024-01-16 標(biāo)簽：芯片EUVSK海力士 1.9k 0