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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極性,柵極,漏極,源極,它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極性,柵極,漏極,源極,它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。
FET電路工作原理
一般在網(wǎng)上只有三極管放大電路的原理,而FET的工作原理很少提及,現(xiàn)在我簡(jiǎn)單地分析一下它的放大原理:電路中柵極的直流電位VG是電源電壓VDD被偏壓電阻R3和R2分壓后的電位,即:VG=R2/(R1+R2)*VDD。這與三極管發(fā)射極接地的放大電路基極直流電位相同。但是由于雙極型晶體管中有基極電流流動(dòng),所以實(shí)際基極電位要比電源被R2和R3分壓要低一些(晶體管是電流控制電流,F(xiàn)ET是電壓控制電流)。但對(duì)于FET,由于柵極沒有電流流過,所以實(shí)際的柵極電位就是分壓公式所求得的值。源極的直流電位VS比VG高出柵極源極間電壓VGS的值,即: VS=VG+VGS 實(shí)際上,VGS是以源極為基準(zhǔn)的,像N溝JFET那樣,當(dāng)源極電位比柵極高應(yīng)該給VGS置以負(fù)號(hào)。因此,VS等于將VGS加到VG上時(shí),就成為: VS=VG-VGS 雙極晶體管VBE=0.6V或者0.7V,是能夠相互置換的。但是對(duì)于FET來說,當(dāng)器件型號(hào)和工作點(diǎn)(ID)不同時(shí),VGS的值是不同的。流過源極的直流電流Is可以由下式求得: Is=VS/RS=(VG-VGS)/RS 漏極的直流電位VD是從電源電壓VDD減去RD上的電壓降的部分。如果漏極電流的直流成分為ID,則有: VD=VDD-ID*RD 由于FET的柵極上沒有電流流過,ID=IS,所以上式也可以寫成: VD=VDD-Is*RD 下面來求它的交流放大倍數(shù)。
由輸入Vi引起的源極電流表的交流變化量#is為: #is=vi/RS 高漏極電流的交流變化量為#id,那么可以認(rèn)為vd的交流變化量#vd就是#id在漏極電阻RD上的電壓降,即: #vd=#id*RD 又因?yàn)槁O電流和源極電流相等,所以#vd為: #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外,交流輸出電壓vo是被輸出電容C2隔斷VD的直流成分后的成分,也就是vd的交流成分#vd,即: Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不難求得:交流放大倍數(shù)Av為: Av=vo/vi=RD/RS
一文讀懂場(chǎng)效應(yīng)管的分類、結(jié)構(gòu)以及原理
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,是較新型的半導(dǎo)體材料,利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制晶體管的電流,因而得名。
2017-03-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管FET 13.2萬 0
eFuse基于一個(gè)簡(jiǎn)單概念,即通過測(cè)量已知電阻器上的電壓來檢測(cè)電流,然后在電流超過設(shè)計(jì)限值時(shí),通過場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 切斷電流。
2023-11-01 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管NVM 3.6萬 0
場(chǎng)效應(yīng)管原理通俗理解 場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)怎么看 場(chǎng)效應(yīng)管是做什么用的
場(chǎng)效應(yīng)管(英語:field-effect transistor,縮寫:FET)是一種通過電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子器件。
2023-07-28 標(biāo)簽:開關(guān)電源FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.8萬 0
為了理解IGBT進(jìn)入退飽和的過程機(jī)理,我們有必要簡(jiǎn)單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別:簡(jiǎn)單來看,IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個(gè)P+...
場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理、放大電路及作用
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—J...
2023-02-24 標(biāo)簽:放大電路場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 1.5萬 0
Flash 分為 NAND flash和 NOR flash。均是使用浮柵場(chǎng)效應(yīng)管(FloatingGate FET) 作為基本存儲(chǔ)單元來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的,浮...
2023-09-09 標(biāo)簽:NAND場(chǎng)效應(yīng)管FlaSh 1.3萬 0
TL062系列高速J-FET輸入雙運(yùn)算放大器的數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2020-04-30 標(biāo)簽:放大器晶體管FET
AN49503A工業(yè)電池監(jiān)控芯片的充電放電FET電路立即下載
類別:電源電路圖 2020-06-22 標(biāo)簽:芯片FET電池監(jiān)控
FET是什么?FinFET的詳細(xì)資料簡(jiǎn)介免費(fèi)下載立即下載
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2019-06-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體FETMOS
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)的工作原理總結(jié)立即下載
類別:電子元器件應(yīng)用 2012-11-15 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FET
電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),主要用于放大弱信號(hào),主要是無線信號(hào),放大模擬和數(shù)字信號(hào)。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是一種使用電場(chǎng)效應(yīng)改變器件電性能的晶體...
2022-04-16 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管電壓控制 3.7萬 0
三極管 全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào), 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。...
基于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的大功率寬頻帶線性射頻放大器設(shè)計(jì)
大功率寬頻帶線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對(duì)抗、雷達(dá)、探測(cè)等重要的通訊系統(tǒng)中,其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項(xiàng)非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著...
2020-04-07 標(biāo)簽:放大器FETMOS場(chǎng)效應(yīng)管 7495 0
現(xiàn)在;一臺(tái)臺(tái)電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當(dāng)個(gè)開關(guān)。 由于用處不同;每個(gè)廠家都對(duì)...
2010-12-14 標(biāo)簽:FET 7111 0
怎樣使用瞬態(tài)輕觸開關(guān)來打開或關(guān)閉大的高壓大電流設(shè)備
恭喜,您完成了!您可以將此新電路與繼電器一起使用,以使用非常小的開關(guān)來控制高壓大電流負(fù)載!每次按下開關(guān),電路都會(huì)改變狀態(tài)。一次按一下即可打開所有內(nèi)容,然...
2019-11-23 標(biāo)簽:FETPNP晶體管按鈕開關(guān) 5690 0
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布,該公司2021年12...
FET的主要參數(shù) FET的特點(diǎn)與雙極型晶體三極管相比,場(chǎng)效應(yīng)
2009-09-16 標(biāo)簽:FET 4651 0
為什么可以認(rèn)為Vgs電壓是不變的? Vgs電壓,也就是場(chǎng)效應(yīng)管(FET)的柵源電壓,在某些情況下可以被認(rèn)為是恒定的。這是因?yàn)樵贔ET工作的過程中,柵電極...
2023-09-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FET 4331 0
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