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?DRV3220-Q1 汽車級(jí)三相柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-16 13:52 ? 次閱讀
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DRV3220-Q1 橋式驅(qū)動(dòng)器專用于汽車三相無(wú)刷直流電機(jī)控制應(yīng)用。該器件為標(biāo)準(zhǔn)級(jí) N 溝道 MOSFET 晶體管提供六個(gè)專用驅(qū)動(dòng)器。帶有集成 FET 的升壓轉(zhuǎn)換器提供過(guò)載電壓,即使在低至 4.75 V 的低電池電壓下,也能完全控制功率級(jí)。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度適用于大電流應(yīng)用,并可編程以限制峰值輸出電流。

該器件集成了強(qiáng)大的 FET 保護(hù)和系統(tǒng)監(jiān)控功能,例如 Q&A 看門狗以及 I/O 電源ADC 基準(zhǔn)電壓的電壓監(jiān)控器。集成的內(nèi)部診斷功能可以通過(guò) SPI 接口訪問(wèn)和編程。
*附件:drv3220-q1.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車應(yīng)用:
    • 器件溫度等級(jí) 1:–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度
  • 用于電機(jī)控制的三相橋式驅(qū)動(dòng)器
  • 適用于 12V 和 24V 應(yīng)用
  • 集成升壓轉(zhuǎn)換器,柵極驅(qū)動(dòng)至 4.75 V
  • 驅(qū)動(dòng) 6 個(gè)獨(dú)立的 N 溝道功率 MOSFET
  • 用于大電流 FET 的強(qiáng) 1A 柵極驅(qū)動(dòng)
  • 可編程死區(qū)時(shí)間
  • PWM 頻率高達(dá) 20 kHz
  • 支持 100% 占空比作
  • 短路保護(hù)
    • VDS 監(jiān)控(可調(diào)節(jié)檢測(cè)級(jí)別)
  • 過(guò)壓和欠壓保護(hù)
  • 過(guò)熱警告和關(guān)閉
  • 通過(guò) SPI 進(jìn)行復(fù)雜的故障檢測(cè)和處理
  • 系統(tǒng)監(jiān)督
  • 可編程內(nèi)部故障診斷
  • 睡眠模式功能
  • 熱增強(qiáng)型 48 引腳 HTQFP PowerPAD IC 封裝(7 mm × 7 mm 機(jī)身)

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

?1. 核心特性?

  • ?汽車級(jí)認(rèn)證?
    • AEC-Q100 Grade 1(-40°C至125°C環(huán)境溫度)
    • 適用于12V/24V電池系統(tǒng),支持4.75V至40V寬電壓輸入
  • ?驅(qū)動(dòng)能力?
    • 集成6路N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng),支持1A峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流
    • 內(nèi)置升壓轉(zhuǎn)換器(輸出4.75V過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓)
  • ?保護(hù)功能?
    • VDS監(jiān)測(cè)可調(diào)短路保護(hù)、過(guò)壓/欠壓保護(hù)
    • 熱警告(165°C)及關(guān)斷(195°C)
    • SPI可編程故障診斷與系統(tǒng)監(jiān)控(看門狗、電源監(jiān)測(cè)等)

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

?參數(shù)??規(guī)格?
?封裝?48引腳HTQFP PowerPAD?(7mm×7mm)
?PWM頻率?最高20kHz(支持100%占空比)
?死區(qū)時(shí)間?可編程,精度±15%
?靜態(tài)電流?睡眠模式30μA,待機(jī)模式8.5mA

?3. 典型應(yīng)用?

  • ?汽車電子?:電動(dòng)轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)、電子制動(dòng)、變速箱控制
  • ?工業(yè)電機(jī)?:三相無(wú)刷直流(BLDC)/永磁同步(PMSM)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
  • ?高可靠性場(chǎng)景?:符合ISO 26262功能安全要求

?4. 功能架構(gòu)?

  • ?控制接口?
    • 支持3路或6路PWM輸入,兼容SPI配置(4MHz時(shí)鐘
    • 集成VCC3(3.3V)和VCC5(5V)穩(wěn)壓器供外部MCU使用
  • ?柵極驅(qū)動(dòng)?
    • 可編程驅(qū)動(dòng)電流(4檔位:0.15A/0.65A/1.1A/1.9A)
    • 傳播延遲典型值200ns(負(fù)載10nF時(shí))
  • ?升壓電路?
    • 內(nèi)置開(kāi)關(guān)管(Rdson 0.25Ω),支持22μH電感+肖特基二極管拓?fù)?/li>

?5. 保護(hù)機(jī)制?

  • ?電壓監(jiān)控?
    • ADREF/VDDIO過(guò)壓閾值:3.3V模式(3.696V-3.894V),5V模式(5.6V-5.9V)
    • 電池欠壓關(guān)斷:4.5V(恢復(fù)4.6V)
  • ?故障診斷?
    • 通過(guò)ERR引腳和SPI寄存器(STAT0-STAT9)實(shí)時(shí)反饋故障類型
    • 支持VGS異常檢測(cè)(高壓側(cè)>8.5V或低壓側(cè)<2V觸發(fā))

?6. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

  • ?PCB布局建議?
    • 功率回路優(yōu)先使用短而寬的走線
    • 升壓電路元件(L1/D1)靠近器件放置以減小寄生電感
    • PowerPAD需通過(guò)多過(guò)孔連接至底層地平面散熱
  • ?外圍元件選型?
    • 柵極電阻(Rgate)根據(jù)EMI和開(kāi)關(guān)損耗需求調(diào)整
    • VCC5需1μF陶瓷電容,VCC3需0.1μF陶瓷電容去耦
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