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標(biāo)簽 > GaN
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analog devices方案:在LTspice仿真中使用GaN FET模型
近年來,工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性,能夠在較高開關(guān)頻率...
?STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動器深度解析與設(shè)計指南
STMicroelectronics STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動器設(shè)計用于N溝道增強模式GaN,高側(cè)驅(qū)動器部分可承受高達220V電壓軌。這些驅(qū)...
?STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動器設(shè)計用于N溝道增強模式GaN,高側(cè)驅(qū)動器部分可承受高達220V電壓軌。這些驅(qū)...
PI技術(shù)白皮書 1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)中的應(yīng)用
白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢,展示了其經(jīng)過實際應(yīng)用驗證的可靠性以及滿足800...
2025-10-14 標(biāo)簽:PI數(shù)據(jù)中心SiC 265 0
解析GaN-MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計
GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計中,p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案,分別適用于不同的應(yīng)用...
TMS320F280037C微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計,包...
TMS320F280038C-Q1微控制器數(shù)據(jù)手冊總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計,包...
TMS320F28003x系列微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計,包...
TMS320F28003x系列微控制器數(shù)據(jù)手冊的全文總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計,包...
GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載
類別:電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體 169 0
GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓撲結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)效率高達95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載
類別:電子資料 2025-01-22 標(biāo)簽:拓撲結(jié)構(gòu)GaNAHB 603 0
Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書,深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)
該公司正在與英偉達(NVIDIA)合作開發(fā)800VDC供電架構(gòu);新發(fā)布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術(shù)相較于650V GaN和1200V S...
納芯微與聯(lián)合電子、英諾賽科簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡稱:納芯微)、聯(lián)合汽車電子有限公司(以下簡稱:聯(lián)合電子)與英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱:英諾賽科)...
近日,亞洲電力電子領(lǐng)域年度盛會 ——PCIM Asia Shanghai 2025,在上海新國際博覽中心盛大啟幕。
用專為硅 MOSFET 設(shè)計的控制器來驅(qū)動 GaN FET
作者: Pete Bartolik 工具 在電力應(yīng)用中,氮化鎵 (GaN) 器件比傳統(tǒng)硅 MOSFET 器件具有顯著的性能和效率優(yōu)勢。氮化鎵器件能夠滿足...
基于物理引導(dǎo)粒子群算法的Si基GaN功率器件特性精準(zhǔn)擬合
? ? ? ?在高壓功率電子領(lǐng)域,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)肖特基勢壘二極管(SBD)因其優(yōu)異的性能與成本優(yōu)勢展現(xiàn)出巨大潛力。然而,Si與GaN材...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在智能化時代,電機應(yīng)用需求走向高效率、高功率密度、快動態(tài)響應(yīng)。而GaN功率芯片具備低開關(guān)損耗、高頻等特性,在電機應(yīng)用中,低...
第三代700V GaN上市!英諾賽科上半年營收大增43.4%,機器人和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用破局
8月28日,英諾賽科發(fā)布2025年半年報,英諾賽科營收達到5.53億元,比去年同期增長43.4%;毛利達到3780萬元,從上年的同期虧損轉(zhuǎn)為盈利;毛利率...
2025-09-14 標(biāo)簽:機器人數(shù)據(jù)中心GaN 7.9k 0
芯導(dǎo)科技亮相2025半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展
9月4日,第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展在無錫太湖國際博覽中心隆重開幕。本次展會以“半導(dǎo)體嘉年華”為主題,匯聚了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游眾多企業(yè),共...
毛利轉(zhuǎn)正、模組成最大業(yè)務(wù),英諾賽科GaN產(chǎn)業(yè)化迎來拐點?
2025年上半年,英諾賽科實現(xiàn)營收5.53億元,同比增長43.4%。 這是英諾賽科自上市以來保持的又一次高速增長,背后是GaN應(yīng)用從消費電子延展到數(shù)據(jù)中...
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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GS61008P-MR | 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價格
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