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重磅!英偉達800V高壓直流架構(gòu)革新AI數(shù)據(jù)中心,三大功率GaN大廠新品揭秘
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 GaN作為一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來在功率半導(dǎo)體市場備受關(guān)注,從消費電子快充領(lǐng)域崛起,到如今的AI服務(wù)器、人形機器人等...
瑞薩電子發(fā)布新一代650V GaN FET:用獨特D-MODE賦能高功率場景
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文 / 吳子鵬)隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子和消費電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展,第三代半導(dǎo)體 ——GaN(氮化鎵)正迎來前所未有的增長...
GaN代工格局生變?臺積電退場,納微轉(zhuǎn)單力積電謀新局
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道?近期,納微半導(dǎo)體宣布將與力積電合作,共同推進業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。 ? 納微半導(dǎo)體在公告中指出,力積電有著先進的18...
英飛凌 120 W USB PD用于多端口充電應(yīng)用的XDPS2221E控制器和CoolGaN?開關(guān)
在多端口USBPD充電應(yīng)用中,英飛凌推出了一款高效、創(chuàng)新的120WUSB電源傳輸(PD)評估板,采用XDP數(shù)字電源XDPS2221E控制器和CoolGa...
基于板級封裝的異構(gòu)集成作為彌合微電子與應(yīng)用差距的關(guān)鍵方法,結(jié)合“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”理念,通過SiP技術(shù)集成多材料(如Si、GaN、光子器件等)裸片...
基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計
鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔憂,當前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長,尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微...
通常來講,充電器輸出功率的增加,充電器的體積也要相應(yīng)擴大。因為內(nèi)置GaN芯片的使用,快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點,所以快充充電器比...
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈...
2025-07-11 標簽:半橋場效應(yīng)晶體管GaN 136 0
GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載
類別:電子資料 2025-01-24 標簽:GaN功率半導(dǎo)體 125 0
GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓撲結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)效率高達95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載
類別:電子資料 2025-01-22 標簽:拓撲結(jié)構(gòu)GaNAHB 432 0
大連理工大學(xué):科研團隊在氮化鎵高溫三維磁傳感芯片領(lǐng)域取得突破性進展
近期,光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院黃火林教授團隊在第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)磁傳感器領(lǐng)域取得重要進展,在國際上率先研制出可穩(wěn)定工作在1.9 K~673K極寬...
小功率高效率E-GaN開關(guān)電源管理方案:U8723AH+U7116W
小功率高效率E-GaN開關(guān)電源管理方案:U8723AH+U7116W小功率開關(guān)電源的效率是一個重要的設(shè)計指標,它決定了電源的功耗和發(fā)熱量。為了提高效率,...
2025-07-10 標簽:開關(guān)電源GaN 143 0
重磅!英偉達800V高壓直流架構(gòu)革新AI數(shù)據(jù)中心,三大功率GaN大廠新品揭秘
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 GaN作為一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來在功率半導(dǎo)體市場備受關(guān)注,從消費電子快充領(lǐng)域崛起,到如今的AI服務(wù)器、人形機器人等...
瑞薩電子推出全新GaN FET,增強高密度功率轉(zhuǎn)換能力, 適用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)應(yīng)用
基于成熟的SuperGaN技術(shù),650V第四代增強型產(chǎn)品 憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 瑞薩電子今日宣布推出三款新型高壓650V GaN ...
2025-07-09 標簽:功率轉(zhuǎn)換AIGaN 173 0
瑞薩電子發(fā)布新一代650V GaN FET:用獨特D-MODE賦能高功率場景
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文 / 吳子鵬)隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子和消費電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展,第三代半導(dǎo)體 ——GaN(氮化鎵)正迎來前所未有的增長...
瑞薩電子推出全新GaN FET,增強高密度功率轉(zhuǎn)換能力,適用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)應(yīng)用
可信賴、易于驅(qū)動的高壓氮化鎵,提供更高效率 2025年7月1日,中國北京訊- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布推出三款新型高...
2025-07-08 標簽:功率轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)中心AI 215 0
英飛凌12英寸氮化鎵晶圓可擴展生產(chǎn)步入正軌,四季度可交付樣品
7 月 5 日消息,英飛凌德國當?shù)貢r間 7 月 3 日宣布,其在 300mm晶圓上的可擴展氮化鎵 (GaN) 生產(chǎn)已步入正軌,首批樣品將于 2025 年...
PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路,驅(qū)...
GaN代工格局生變?臺積電退場,納微轉(zhuǎn)單力積電謀新局
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炎熱的夏天,總是需要一些沖散酷暑的小電器,給生活制造驚喜??蛻糇罱鼰豳u的制冷杯,被稱為夏日“行走的小冰箱”,受到了許多上班族和戶外一族的喜愛,充電部分采...
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
---|---|---|---|
GS61008P-MR | 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價格
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