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在整個(gè)應(yīng)力作用下，性能略有下降。正如預(yù)期的那樣，跨導(dǎo)和漏電流隨著時(shí)間的推移而減小。電子遷移率下降對溫度的影響
技術(shù)資料#LMG3411R070 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護(hù)的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，L...
2025-02-26 標(biāo)簽：過流保護(hù)GaN電力電子系統(tǒng) 724 0
長期以來，在功率應(yīng)用方案中，熱管理一直是挑戰(zhàn)。當(dāng)項(xiàng)目有空間放置大型的散熱器時(shí)，從電路板和半導(dǎo)體器件上將廢熱導(dǎo)出較為容易。然而，隨著輸出功率提升以及功率密...
氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，不僅臨界擊穿場強(qiáng)大、飽和速度高，而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值，在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重...
如今，我們已經(jīng)無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個(gè)方面越來越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過程中，功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。
GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計(jì)的此類設(shè)備，其中許多每天運(yùn)行數(shù)小時(shí)，因此節(jié)省的能源將是巨大的。
在使用太陽能作為可再生能源方面，我們面臨著兩大主要挑戰(zhàn) – 效率和成本。雖然在過去數(shù)年內(nèi)有了顯著改進(jìn)，但在將陽光轉(zhuǎn)換為電能時(shí)，采用當(dāng)今最新光伏(PV)技...
2023-02-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器逆變器GaN 711 0
毫無疑問，寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費(fèi)類及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。
2024-05-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器晶體管GaN 707 0
技術(shù)資料#LMG3612 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成...
48V高效降壓電源方案：英諾賽科推出2kW四相交錯(cuò)設(shè)計(jì)
英諾賽科針對48V架構(gòu)開發(fā)了兩款行業(yè)領(lǐng)先的降壓電源方案（四相2kW交錯(cuò)降壓電源方案），為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。 英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方...
GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增，也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美（onse...
報(bào)告內(nèi)容包含： 效率和功率密度推動變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能 驅(qū)動器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管） 驅(qū)動器進(jìn)化以支持 ...
GaN FET(場效應(yīng)晶體管)中集成電流傳感的優(yōu)勢
本文重點(diǎn)介紹了一項(xiàng)新發(fā)展：將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)中，且無需外部供電。我們將深入探討這一解決...
2024-08-23 標(biāo)簽：傳感器場效應(yīng)晶體管GaN 695 0
技術(shù)文檔：LMG3616 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 650V 270mΩ GaN FET
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成...
2025-02-24 標(biāo)簽：GaN柵極驅(qū)動器開關(guān)模式電源 689 0
氮化鎵的市場在哪些領(lǐng)域？封裝技術(shù)是怎樣的？
氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導(dǎo)熱系數(shù)高、開關(guān)頻率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。 其中，高開關(guān)頻率意味著應(yīng)用電路...
基于D1A32 GaN器件設(shè)計(jì)的功放，在1.3-1.8GHz內(nèi), 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...
技術(shù)資料#LMG3522R050 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報(bào)告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健? LMG352...
2025-02-24 標(biāo)簽：電感電源轉(zhuǎn)換器GaN 681 0
為什么GaN被譽(yù)為下一個(gè)主要半導(dǎo)體材料？
擁有能夠在高頻下高功率運(yùn)行的半導(dǎo)體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢，但有一個(gè)主要缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力：缺乏 P -類型。
2024-02-29 標(biāo)簽：CMOSNMOS半導(dǎo)體材料 676 0
來源：電子工程專輯 比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時(shí)對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中，將更有優(yōu)勢，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。...
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