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如今,越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要,因為它有助于提高功率晶體管的效率,從而減小電源的尺寸并降...
技術資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...
利用用于多相偏置解決方案的 GMR10Dx 模塊優(yōu)化工業(yè)電機控制系統(tǒng)中的功率控制器
作者:Ganmar Technologies 2024-12-12 本文探討了開發(fā)可靠安全的多相功率控制器所面臨的設計挑戰(zhàn)和主要考慮因素。文中利用具有浮...
TMS320F28P550SG C2000? 32 位 MCU技術手冊
TMS320F28P55x (F28P55x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列可擴展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率,包括但不...
基于GaN的轉換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度,最高效率為 96.8%,最低 94.5%。此外,隨著開關頻率和死區(qū)時間的增加,基于硅的轉...
基于RC熱阻SPICE模型的GaNPX?和PDFN封裝的熱特性建模
GaN Systems提供RC熱阻模型,使客戶能夠使用SPICE進行詳細的熱模擬。 模型基于有限元分析(FEA)熱模擬創(chuàng)建,并已由GaN Systems...
適用于集成驅動器的三相1.25kW、200VAC 小型 GaN逆變器參考設計
此參考設計是一款三相逆變器,在 50°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)額定功率為 1.25 kW,在 85°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)額定功率為 550 W,用于驅動 2...
PMP40988:可變頻率、ZVS、5kW、基于 GaN 的兩相圖騰柱PFC參考設計
此參考設計是一種高密度、高效率的 5kW 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 設計。該設計使用兩相圖騰柱 PFC,以可變頻率和零電壓開關 (ZVS) 運行。...
技術資料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋,具有集成驅動器、保護和電流感應功能
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關模式電源應用中的 75W 有源鉗位反激式 (ACF) 轉換器<。該LMG2...
技術資料#LMG3411R050 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-25 標簽:電子系統(tǒng)PFCGaN 620 0
傳統(tǒng)的硅基功率器件在應對這一挑戰(zhàn)時,其性能已經接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關鍵所在。
技術資料#LMG3410R050 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
憑借領先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產品組合,納微半導體以雙擎驅動的姿態(tài)在電力電子能源轉換領域高歌前進。
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