HBM內(nèi)存市場旺盛，2025年產(chǎn)能與市場份額將攀升

該報告顯示，2023 年 HBM 在市場中的占比僅為 2%，但預(yù)計今年將增至 5%，明年則有望突破 10%；而在市場份額上，從去年的 8%上升至今年的 ...

2024-05-06 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存HBM 2.1k 0

三星與AMD達(dá)成30億美元合作協(xié)議

三星和AMD日前宣布達(dá)成了一項價值30億美元的合作協(xié)議，引起了半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨大轟動。

2024-04-28 標(biāo)簽：amdDRAMHBM 1.5k 0

臺積電表示A16工藝不需NAEU，新一代CoWoS封裝獲重大突破

在封裝技術(shù)的研發(fā)道路上，臺積電從未停止過前進(jìn)的腳步。而除了CoWoS封裝技術(shù)的巨大進(jìn)展，該公司還首次對外公布了其A16制程工藝。

2024-04-28 標(biāo)簽：臺積電EUVCoWoS 1.7k 0

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。

2024-04-23 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 1.6k 0

SK海力士與臺積電達(dá)成研發(fā)合作，推動HBM4和下一代封裝技術(shù)發(fā)展?

據(jù)協(xié)議內(nèi)容，雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎(chǔ)裸片（Base Die）性能。HBM 由多個 DRAM 裸片（Core Die）堆疊在基礎(chǔ)裸片之上，...

2024-04-19 標(biāo)簽：DRAM封裝gpu 1.3k 0

三星計劃應(yīng)用TC-NCF工藝生產(chǎn)16層HBM4內(nèi)存

TC-NCF是有凸塊的傳統(tǒng)多層DRAM間鍵合工藝，相比無凸塊的混合鍵合技術(shù)更為成熟，然而由于凸塊的存在，采用TC-NCF生產(chǎn)的同層數(shù)HBM內(nèi)存厚度會相應(yīng)增加。

2024-04-19 標(biāo)簽：DRAM三星半導(dǎo)體HBM 1.5k 0

SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4，預(yù)計2026年投產(chǎn)

自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將...

2024-04-19 標(biāo)簽：臺積電SK海力士HBM 1.6k 0

三星聯(lián)席CEO在AI合作交流中力推HBM內(nèi)存

慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內(nèi)存，并探索AI合作可能性。然而，由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤，三星已被競爭對手SK海力士超越；位于第三位的美光近年來也...

2024-04-16 標(biāo)簽：芯片HBM三星 1.1k 0

消息稱三星Q2供應(yīng)超微HBM3E 下半年啟動大規(guī)模量產(chǎn)

HBM，即高帶寬內(nèi)存，以其獨(dú)特的“樓房設(shè)計”概念，打破了傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的設(shè)計局限，憑借出色的性能在市場中贏得了廣泛認(rèn)可。

2024-04-15 標(biāo)簽：DDR內(nèi)存HBM三星 1.6k 0

三星與SK海力士加速移動內(nèi)存堆疊技術(shù)量產(chǎn)

隨著人工智能在智能手機(jī)、筆記本等移動設(shè)備上的廣泛應(yīng)用，端側(cè)AI已經(jīng)成為行業(yè)熱議的焦點(diǎn)。為了支持端側(cè)運(yùn)行模型的高效運(yùn)行，移動DRAM的性能要求也在不斷提升。

2024-04-10 標(biāo)簽：DRAM人工智能HBM 1.7k 0

三星拿下英偉達(dá)2.5D封裝訂單

了解到，2.5D封裝技術(shù)能夠有效地將CPU、GPU、I/O接口、HBM芯片等多種芯片以橫向方式置于中間層之上。如臺積電所采取的CoWoS技術(shù)以及三星的I...

2024-04-08 標(biāo)簽：封裝技術(shù)CoWoSHBM 3.2k 0

三星電子力推AI存儲芯片和算力芯片競爭力提升

在 AI 存儲芯片方面，慶桂顯示三星組建了以DRAM產(chǎn)品與技術(shù)掌門人Hwang Sang-joon為首的HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)素提升團(tuán)隊，這是今年成立的第二...

2024-04-01 標(biāo)簽：DRAM存儲芯片HBM 1.5k 0

Omdia報告：半導(dǎo)體行業(yè)2023年收入預(yù)計5448億美元

值得關(guān)注的是，AI 和車用領(lǐng)域表現(xiàn)亮眼：英偉達(dá)在 AI 邏輯芯片領(lǐng)域以 490 億美元收入，同比增幅高達(dá) 134%，且是 2019 年的四倍之多；HBM...

2024-03-29 標(biāo)簽：存儲器AI英偉達(dá) 1.3k 0

高盛談HBM四年十倍市場 人工智能驅(qū)動HBM市場騰飛

在市場競爭方面，高盛認(rèn)為，由于HBM市場供不應(yīng)求的情況將持續(xù)存在，業(yè)內(nèi)主要玩家如SK海力士、三星和美光等將從中受益。

2024-03-29 標(biāo)簽：DRAM高盛人工智能 2.5k 0