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HBM4需求激增,英偉達與SK海力士攜手加速高帶寬內存技術革新
隨著生成式AI技術的迅猛發(fā)展和大模型參數量的急劇增加,對高帶寬、高容量存儲的需求日益迫切,這直接推動了高帶寬內存(HBM)市場的快速增長,并對HBM的性...
韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推...
近日,韓國三星電子公司透露了一個引人矚目的消息,有可能在不久的將來向美國的人工智能巨頭英偉達提供其先進的高帶寬存儲器(HBM)。這一消息無疑為科技界帶來...
SK海力士截至2024年9月30日的2024財年第三季度財務報告顯示,公司2024財年第三季度結合并收入為17.5731萬億韓元,營業(yè)利潤為7.03萬億...
三星透露HBM3E芯片英偉達認證取得進展,預計Q4向客戶供應
據一位高級管理人員透露,三星電子在英偉達AI內存芯片認證方面取得了新進展,這一消息促使這家韓國科技巨頭的股價攀升了3.6%。 三星正積極爭取其...
據存儲器業(yè)內人士透露,隨著規(guī)格的升級,2025年HBM(高帶寬存儲器)價格預計將呈現上揚趨勢。這一預測基于HBM在高性能計算領域的廣泛應用及其不斷提升的...
SK海力士在今年的第三季度實現了銷售額和利潤的雙重突破,均創(chuàng)下了歷史新高。這一優(yōu)異的業(yè)績表現,不僅成功扭轉了去年同期的虧損局面,更是為公司的未來發(fā)展注入...
存儲市場面臨多重挑戰(zhàn),NAND與DRAM價格承壓
從需求端審視,通貨膨脹的壓力以及AI個人電腦應用場景的匱乏,共同制約了大規(guī)模升級周期的到來。在供應端,主要制造商在第三季度全面恢復了滿負荷生產,而其他供...
美光預測AI需求將大幅增長,計劃2025年投產EUV DRAM
隨著人工智能技術日益普及,從云端服務器拓展至消費級設備,對高級內存的需求持續(xù)攀升。鑒于此趨勢,美光科技已將其高帶寬內存(HBM)的全部產能規(guī)劃至2025...
Teradyne的首席執(zhí)行官Greg Smith表示:“得益于高帶寬內存(HBM)以及人工智能應用對計算需求的增長,半導體測試業(yè)務中的內存收入表現繼續(xù)超...
SK海力士第三季度業(yè)績創(chuàng)歷史新高,高帶寬內存與HBM需求旺盛
受高帶寬內存和HBM市場的強勁需求推動,SK海力士在今年第三季度的銷售額、營業(yè)利潤和凈利潤均達到了歷史新高。這一業(yè)績表現有望消除市場對半導體行業(yè)可能再次...
市場調研機構集邦科技對HBM(高帶寬存儲器)的長期發(fā)展持樂觀態(tài)度。據其預測,明年HBM3e將占據整體HBM市場的近九成份額,這將推動HBM產品的平均售價...
三星電子正面臨嚴峻挑戰(zhàn),特別是在其半導體業(yè)務領域。除了代工業(yè)務停滯的問題,該公司在高帶寬存儲器(HBM)市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關注。據業(yè)內人士透露,...
近日,市場調研機構TrendForce在“AI時代半導體全局展開──2025科技產業(yè)大預測”研討會上發(fā)布了一項重要預測。據該機構指出,隨著全球前三大HB...
韓華精密機械公司正式宣告,已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲器(HBM)生產中的核心設備——TC鍵合測試設備。 針對10月16日部分媒體所報...
據業(yè)內人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內存(HBM)最大產能目標進行了調整。原定的每月20萬顆產能目標已被下調至每月17萬顆,降幅超過10%。
AI芯片需求在人工智能浪潮中持續(xù)攀升,近期消息顯示,不僅HBM(高帶寬存儲器)出現供不應求、原廠積極擴產的情況,英偉達Blackwell架構的GPU也面...
據業(yè)內人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內存(HBM)最大產能目標進行了調整,下調幅度超過10%,從原先計劃的每月20萬顆減至17萬顆。這一變...
人工智能(AI)與機器學習(ML)正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展,驅動著各行各業(yè)的革新。隨著模型復雜度與數據量的激增,實時處理海量數據的需求對底層硬件基礎設...
據媒體報道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術的生產外包給臺積電,并計劃采用12nm至6nm的先進制程技術。同...
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