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HBM4

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2025年4月,國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC正式發(fā)布了新一代高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)HBM4。HBM4在帶寬、通道數(shù)、電源效率等方面進(jìn)行了顯著改進(jìn),將為生成式AI、高性能計(jì)算(HPC)、高端顯卡和服務(wù)器等領(lǐng)域帶來(lái)革命性的變化。

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GPU猛獸襲來(lái)!HBM4、AI服務(wù)器徹底引爆!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)日前,多家服務(wù)器廠商表示因AI服務(wù)器需求高漲拉高業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。隨著AI服務(wù)器需求旺盛,以及英偉達(dá)GPU的更新?lián)Q代,勢(shì)必帶動(dòng)HB...

2025-06-02 標(biāo)簽:gpuAI服務(wù)器HBM4 5851 0

GPU集成12顆HBM4,臺(tái)積電CoWoS-L、CoW-SoW技術(shù)演進(jìn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)日前消息,臺(tái)積電計(jì)劃于2027年量產(chǎn)CoW-SoW(晶圓上系統(tǒng))封裝技術(shù),該技術(shù)是將InFO-SoW(集成扇出晶圓上系統(tǒng))...

2024-09-13 標(biāo)簽:臺(tái)積電gpuCoWoS 4799 0

400層閃存、HBM4、122TB SSD等,成為2025年存儲(chǔ)市場(chǎng)牽引力

400層閃存、HBM4、122TB SSD等,成為2025年存儲(chǔ)市場(chǎng)牽引力

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)在人工智能、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、智能終端等應(yīng)用的帶動(dòng)下,存儲(chǔ)新技術(shù)新產(chǎn)品加速到來(lái)。例如數(shù)據(jù)中心市場(chǎng),不僅是高帶寬HB...

2024-12-16 標(biāo)簽:閃存SSDHBM4 3233 0

HBM4到來(lái)前夕,HBM熱出現(xiàn)兩極分化

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)高帶寬存儲(chǔ)器HBM由于生成式AI的到來(lái)而異軍突起,成為AI訓(xùn)練不可或缺的存儲(chǔ)產(chǎn)品。三大HBM廠商SK海力士、三星電子、美光...

2024-09-23 標(biāo)簽:HBMHBM4 3111 0

特斯拉欲將HBM4用于自動(dòng)駕駛,內(nèi)存大廠加速HBM4進(jìn)程

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)近日據(jù)韓媒報(bào)道,特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采購(gòu)意向,并要求這兩家公司提供通用HBM4芯片樣品。特斯拉此次欲...

2024-11-28 標(biāo)簽:自動(dòng)駕駛HBM4 2682 0

三星攜手臺(tái)積電,共同研發(fā)無(wú)緩沖HBM4 AI芯片技術(shù)

據(jù)最新報(bào)道,三星電子與臺(tái)積電攜手共謀AI芯片的未來(lái),雙方正緊密合作開發(fā)下一代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)芯片,旨在鞏固并加強(qiáng)各自在快速增長(zhǎng)的人工智能芯片市場(chǎng)...

2024-09-06 標(biāo)簽:三星電子臺(tái)積電存儲(chǔ)器 2042 0

2025年HBM已售罄,存儲(chǔ)大廠加快HBM4進(jìn)程

2025年HBM已售罄,存儲(chǔ)大廠加快HBM4進(jìn)程

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)近日,繼閃迪、長(zhǎng)江存儲(chǔ)向渠道發(fā)布了漲價(jià)通知后,美光科技向客戶發(fā)出的漲價(jià)函在渠道曝光。漲價(jià)函顯示,美光觀察到各個(gè)業(yè)務(wù)部門的需...

2025-03-30 標(biāo)簽:存儲(chǔ)HBMHBM4 1952 0

三星電子組建HBM4團(tuán)隊(duì),旨在縮短開發(fā)周期,提升競(jìng)爭(zhēng)力

據(jù)此,現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將主要負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化,而今年三月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專攻下一代技術(shù)——HBM4。

2024-05-11 標(biāo)簽:DRAM三星電子HBM 1741 0

HBM4進(jìn)一步打破內(nèi)存墻,Rambus控制器IP先行

HBM4進(jìn)一步打破內(nèi)存墻,Rambus控制器IP先行

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)2022年11月發(fā)布的GPT-3使用1750億個(gè)參數(shù),而今年5月發(fā)布的最新版本GPT-4o則使用超過(guò)1.5萬(wàn)億個(gè)參數(shù)。在過(guò)...

2024-11-19 標(biāo)簽:HBM4 1730 0

SK海力士探索無(wú)焊劑鍵合技術(shù),引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正積極探索前沿技術(shù),以推動(dòng)高帶寬內(nèi)存(HBM)的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最新業(yè)界消息,...

2024-07-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)SK海力士 1494 0

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    74LS00
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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
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adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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