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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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12月28日,深圳市名家匯科技股份有限公司(以下簡稱“名家匯”)披露發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金預(yù)案,擬通過發(fā)行股份的方式購買悅金產(chǎn)投所持有的愛特微(...
又一波半導(dǎo)體企業(yè)正在沖刺科創(chuàng)板
上交所網(wǎng)站信息顯示,中國科學(xué)院沈陽科學(xué)儀器股份有限公司(以下簡稱“中科儀”)的科創(chuàng)板上市申請已于12月28日獲受理;炬芯科技股份有限公司(以下簡稱“炬芯...
無錫利普思半導(dǎo)體有限公司(簡稱利普思半導(dǎo)體)近日完成Pre-A輪融資,由正泰集團領(lǐng)投、水木易德跟投,融資金額達4000萬元。利普思半導(dǎo)體成立于2019年...
我國首個特高壓柔性直流工程投產(chǎn),創(chuàng)19項世界第一
12月27日上午,由南方電網(wǎng)公司投資建設(shè)的國家西電東送重點工程烏東德電站送電廣東廣西特高壓多端柔性直流示范工程(簡稱昆柳龍直流工程,下同)正式啟動投產(chǎn)送...
2020-12-31 標(biāo)簽:芯片智能電網(wǎng)IGBT 3.1k 0
12月30日,比亞迪晚間公告稱,擬籌劃控股子公司比亞迪半導(dǎo)體分拆上市,并授權(quán)公司及比亞迪半導(dǎo)體管理層啟動分拆比亞迪半導(dǎo)體上市的前期籌備工作。
在近段時間由于疫情的影響,醫(yī)院醫(yī)療設(shè)備大批量運行。在眾多醫(yī)療設(shè)備中涉及到很多的精密電子設(shè)備。而在醫(yī)院建設(shè)過程中,大多數(shù)通風(fēng)口設(shè)計都是采用變頻風(fēng)機及空調(diào)。...
IGBT是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見的器件,可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導(dǎo)體所推出的TO247-4L IGBT將可為相關(guān)應(yīng)用提供更高的效能與更佳的成本...
中國最大的車規(guī)級IGBT廠商比亞迪半導(dǎo)體分拆上市加速
據(jù)媒體報道,近日,比亞迪發(fā)布投資者調(diào)研公告,回答了中信證券等調(diào)研者關(guān)于IGBT、比亞迪半導(dǎo)體等相關(guān)的問題。 IGBT業(yè)務(wù)市場化進展備受市場關(guān)注,比亞迪透...
功率半導(dǎo)體器件企業(yè)宏微科技沖刺科創(chuàng)板
12月22日,上交所網(wǎng)站信息顯示,江蘇宏微科技股份有限公司(以下簡稱“宏微科技”)的科創(chuàng)板上市申請已獲受理。
據(jù)媒體今日報道,比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀日前表示,比亞迪車規(guī)級的IGBT已經(jīng)走到5代,碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代,第4代正在開發(fā)當(dāng)中。目前在規(guī)劃自...
國產(chǎn)IGBT廠商斯達半導(dǎo)外購芯片的原因分析
12月22日,江蘇宏微科技股份有限公司(以下簡稱“宏微股份”)的科創(chuàng)板申報材料獲得上交所受理,公司擬募資5.58億元,分別投向新型電力半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)基地...
近日,據(jù)日經(jīng)報道,東芝和富士電機將合計投資2000億日元(合19億美元),以提高電動汽車的節(jié)能芯片的產(chǎn)量,以適應(yīng)世界各國政府向電動汽車和卡車的急劇轉(zhuǎn)變。
導(dǎo)語:對于目前中國新能源車企極高的市值,很多人都認(rèn)為存在泡沫,但顯然比亞迪是其中的一個例外。 在2019年年初新能源補貼政策大退坡之后,不少業(yè)內(nèi)人士都看...
IGBT工作中的特性: IGBT 的靜態(tài)特性, 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關(guān)特性。 (1)光電流特性: IGBT 的光電流特性就是指...
比亞迪的IGBT芯片專利,通過添加導(dǎo)電類型的附加區(qū),使得含有該IGBT芯片的功率器件承受反偏時,附加區(qū)能夠通過耗盡擴展,將柵極溝槽包圍在耗盡區(qū)中,為其增...
IGBT芯片經(jīng)歷了7代升級,它的發(fā)展趨勢將會如何
IGBT芯片:產(chǎn)品升級趨勢。IGBT芯片經(jīng)歷了7代升級:襯底從PT穿通,NPT非穿通到FS場截止,柵極從平面到Trench溝槽。隨著技術(shù)的升級,通態(tài)功耗...
IGBT的封裝失效機理 輸出功率器件的可信性就是指在要求標(biāo)準(zhǔn)下,器件進行要求作用的工作能力,一般用使用期表明。因為半導(dǎo)體材料器件主要是用于完成電流量的轉(zhuǎn)...
據(jù)媒體報道,在整條產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能吃緊的情況下,半導(dǎo)體晶圓制造、封裝、元器件等多個環(huán)節(jié)紛紛開始漲價。瑞薩、恩智浦等元器件大廠均發(fā)布了漲價函,目前缺貨嚴(yán)重,明年...
隨著新能源汽車的逐漸升溫,碳化硅摩拳擦掌,似乎要挑戰(zhàn)逆變器功率器件IGBT 的霸主地位。市場方面,領(lǐng)頭羊 CREE 與大眾等數(shù)家公司簽署長期供貨協(xié)議,并...
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