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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT是絕緣柵雙極型晶體管(IsolatedGateBipolarTransistor),它是八十年代初誕生,九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合電力電子器...
2012-11-06 標(biāo)簽:IGBT 1.4k 0
現(xiàn)如今為了達(dá)到節(jié)能和環(huán)保的目的,汽車技術(shù)正朝著車輛節(jié)能化、能源多元化、動(dòng)力電氣化及排放清潔化的方向發(fā)展。發(fā)展代用節(jié)能汽車、代用燃料汽車與電動(dòng)汽車已是大勢(shì)...
薩科微推出IGBT40T120FL系列,引領(lǐng)電力電子行業(yè)發(fā)展
深圳市薩科微半導(dǎo)體公司公司,是以研究制造第三代半導(dǎo)體新材料碳化硅功率器件元器件發(fā)展起來的公司,薩科微slkoric于2022年獲授“國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)”...
安世半導(dǎo)體攜多款先進(jìn)產(chǎn)品和解決方案亮相PCIM Asia 2024
8月28日至30日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商安世半導(dǎo)體在PCIM Asia 2024展會(huì)上大放異彩,展示了其強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新成果。此次參展,安...
2024-09-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT安世半導(dǎo)體 1.4k 0
納芯微推出智能隔離柵極驅(qū)動(dòng)器NSI67X0系列
納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動(dòng) NSI67X0 系列,該系列適用于驅(qū)動(dòng) SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件,兼具車規(guī)等級(jí)(...
2024-12-09 標(biāo)簽:傳感器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1.4k 0
飛虹半導(dǎo)體FHA75T65A IGBT單管在壓焊機(jī)的應(yīng)用
壓焊機(jī)的電流控制電路可以使用國(guó)產(chǎn)優(yōu)質(zhì)IGBT單管FHA75T65A來代換FGH75N65SHDT型號(hào)參數(shù)。
1979年,MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法...
2022-10-14 標(biāo)簽:IGBT 1.4k 0
飛兆半導(dǎo)體的1200V溝槽型場(chǎng)截止IGBT提供更快速的開關(guān)性能和改進(jìn)的可靠性
飛兆半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的高性能電源和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案的提供商,其推出一系列1200 V溝槽型場(chǎng)截止IGBT。以硬開關(guān)工業(yè)應(yīng)用為目標(biāo),如太陽能逆變器、不間...
2013-12-05 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體IGBT 1.4k 0
傾佳電子力推國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊的“硬剛”之路與“徹底替代IGBT模塊”戰(zhàn)略分析
傾佳電子力推國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊的“硬剛”之路與“徹底替代IGBT模塊”戰(zhàn)略分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連...
人工智能架構(gòu)將推動(dòng)未來硅基IGBT和碳化硅材料的改進(jìn)
直到最近,電力轉(zhuǎn)換行業(yè)在效率、尺寸、重量和成本方面的進(jìn)步主要都是由半導(dǎo)體晶體管技術(shù)的改進(jìn)推動(dòng)的。為了實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn),新型晶體管的工程目標(biāo)很明確:提高額定電...
變頻驅(qū)動(dòng)器VFD/ IGBT逆變器的過壓保護(hù)6KV
在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中,變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)/逆變器通常安裝在電動(dòng)機(jī)的前端,以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。根據(jù)不同的輸入電壓要求,逆變器通常分為低壓(110、22...
Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊,其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件,包括VS-GT100TS065S、VS-GT1...
創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí),青銅劍科技出席電氣化交通前沿技術(shù)論壇
7月7日至8日,由清華大學(xué)、英國(guó)諾丁漢大學(xué)與中車株洲電力機(jī)車研究所聯(lián)合主辦,深圳青銅劍科技股份有限公司等企業(yè)支持的電氣化交通前沿技術(shù)論壇在清華大學(xué)成功舉...
第三代半導(dǎo)體測(cè)試的突破 — Micsig光隔離探頭
第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界...
意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片,保護(hù)功率轉(zhuǎn)換和IGBT、SiC和GaN晶體管柵極驅(qū)動(dòng)
意法半導(dǎo)體發(fā)L6983i10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊,以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢(shì)。
2023-05-19 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體DC-DCIGBT 1.4k 0
數(shù)明半導(dǎo)體高壓、高速M(fèi)OSFET/IGBT 驅(qū)動(dòng)器通過AEC-Q100認(rèn)證
為滿足汽車市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品可靠性和安全性的需求,數(shù)明半導(dǎo)體近期推出車規(guī)級(jí)高壓、高速M(fèi)OSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片SiLM21814-AQ,該產(chǎn)品通過AEC-Q...
2023-06-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT數(shù)明半導(dǎo)體 1.4k 0
陜西省質(zhì)量促進(jìn)會(huì)蒞臨龍騰半導(dǎo)體參觀指導(dǎo)
近日,陜西省質(zhì)量促進(jìn)會(huì)執(zhí)行會(huì)長(zhǎng)王會(huì)長(zhǎng)一行蒞臨龍騰半導(dǎo)體參觀指導(dǎo)。公司董事長(zhǎng)徐西昌及相關(guān)負(fù)責(zé)人熱情接待,圍繞質(zhì)量管理、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)學(xué)研融合等核心議題,深度...
如何為電路設(shè)計(jì)選擇適合的IGBT? 什么是IGBT?其工作原理是什么?為什么大家要選擇IGBT?它的優(yōu)勢(shì)是什么?一系列疑問的拋出,在3月5日第十五屆國(guó)...
2010-03-11 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)IGBT 1.4k 0
IR擴(kuò)充堅(jiān)固可靠的600V溝道超高速IGBT系列
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日擴(kuò)充600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,這些經(jīng)過優(yōu)化的新器件...
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