chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Vishay發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-03-08 11:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊,其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件,包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等,均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先的Trench IGBT技術(shù),為設(shè)計(jì)者提供兩種卓越的技術(shù)選項(xiàng):低VCE(ON)或低Eoff。這極大地降低了在運(yùn)輸、能源及工業(yè)應(yīng)用中大電流逆變級(jí)的導(dǎo)通或開關(guān)損耗。

此次發(fā)布的半橋器件結(jié)合了高效的Trench IGBT與具有超軟反向恢復(fù)特性的第四代FRED Pt反并聯(lián)二極管,實(shí)現(xiàn)了卓越的節(jié)能效果。模塊的小型INT-A-PAK封裝設(shè)計(jì)新穎,柵極引腳布局優(yōu)化,不僅與34mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝完全兼容,還可輕松實(shí)現(xiàn)機(jī)械插接更換。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)無(wú)疑將為電力電子領(lǐng)域的工程師們帶來(lái)更加便捷、高效的設(shè)計(jì)體驗(yàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • Vishay
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    907

    瀏覽量

    119689
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1288

    文章

    4307

    瀏覽量

    261640
  • 功率模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    632

    瀏覽量

    46746
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    長(zhǎng)晶科技FST G3.0 1200V IGBT模塊產(chǎn)品介紹

    隨著全球能源轉(zhuǎn)型的加速,光伏發(fā)電與儲(chǔ)能系統(tǒng)已成為構(gòu)建新型電力系統(tǒng)的關(guān)鍵。作為電力電子系統(tǒng)的 “核心心臟” 與 “智能開關(guān)”,功率IGBT模塊的性能直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性及綜合
    的頭像 發(fā)表于 01-14 11:19 ?1305次閱讀
    長(zhǎng)晶科技FST G3.0 1200V <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>產(chǎn)品介紹

    FRDMGD3160DSBHB評(píng)估板:設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南

    評(píng)估套件,板上搭載了兩個(gè)GD3160單通道柵極驅(qū)動(dòng)器件。該套件旨在為工程師提供一個(gè)便捷的平臺(tái),用于評(píng)估和開發(fā)與IGBT或SiC模塊相關(guān)的應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 12-25 10:55 ?348次閱讀

    探索 onsemi SNXH800H120L7QDSG IGBT 模塊:高效與可靠的完美融合

    在電子工程師的設(shè)計(jì)世界里,選擇合適的功率模塊至關(guān)重要。今天,我們就來(lái)深入了解 onsemi 的 SNXH800H120L7QDSG IGBT
    的頭像 發(fā)表于 11-27 09:33 ?657次閱讀
    探索 onsemi SNXH800H120L7QDSG <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b> <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>模塊</b>:高效與可靠的完美融合

    探索 onsemi NXH800H120L7QDSG IGBT 模塊:高效與可靠的完美結(jié)合

    在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊一直是實(shí)現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換的核心組件。今天,我們將深入探討 onsemi 推出的 NXH800H120L7QDSG
    的頭像 發(fā)表于 11-27 09:29 ?420次閱讀
    探索 onsemi NXH800H120L7QDSG <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b> <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>模塊</b>:高效與可靠的完美結(jié)合

    ?Vishay Dale IFSC-3232DB-01 屏蔽SMD功率電感器技術(shù)解析

    Vishay/Dale IFSC-3232DB-01屏蔽SMD功率電感器采用屏蔽繞線鐵氧體結(jié)構(gòu),采用SMD封裝,外形尺寸為8mm x 8mm x 4.2mm。 這些電感器在0A時(shí)的
    的頭像 發(fā)表于 11-13 09:49 ?429次閱讀

    Vishay Dale IFSC-2020DE-01 屏蔽功率電感技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    Vishay/Dale IFSC-2020DE-01屏蔽SMD功率電感器采用屏蔽繞線鐵氧體結(jié)構(gòu),采用6mmx6mmx4.5mm SMD封裝。這些
    的頭像 發(fā)表于 11-12 16:50 ?552次閱讀

    Vishay Dale IFSC-2020BZ-01 屏蔽SMD功率電感器技術(shù)解析

    Vishay/Dale IFSC-2020BZ-01屏蔽SMD功率電感器采用薄型緊湊設(shè)計(jì),尺寸為5mmx5mmx2mm。這些表面貼裝電感器效率高,采用屏蔽鐵氧體結(jié)構(gòu)。
    的頭像 發(fā)表于 11-11 15:42 ?661次閱讀
    <b class='flag-5'>Vishay</b> Dale IFSC-2020BZ-01 <b class='flag-5'>半</b>屏蔽SMD<b class='flag-5'>功率</b>電感器技術(shù)解析

    Vishay Dale IMSC1008AZ屏蔽SMD功率電感器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    Vishay/Dale IMSC1008AZ屏蔽SMD功率電感器采用薄型封裝,最大尺寸為2.5mmx2mmx1mm。這些表面貼裝電感器采用屏蔽、金屬基結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的飽和。該系列還
    的頭像 發(fā)表于 11-11 15:25 ?381次閱讀
    <b class='flag-5'>Vishay</b> Dale IMSC1008AZ<b class='flag-5'>半</b>屏蔽SMD<b class='flag-5'>功率</b>電感器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    XM3電源模塊系列CREE

    XM3電源模塊系列是 Wolfspeed(原CREE)推出的高功率碳化硅(SiC)電源模塊平臺(tái),專為電動(dòng)汽車、工業(yè)電源和牽引驅(qū)動(dòng)等高要求
    發(fā)表于 09-11 09:48

    基于LMG3422EVM-041子卡的GaN功率模塊設(shè)計(jì)與應(yīng)用

    Texas Instruments LMG3422EVM-041子卡在中配置兩個(gè)LMG3422R050 GaN FET。它具有鎖存過(guò)流保護(hù)功能和所有必要的輔助外設(shè)電路。該評(píng)估
    的頭像 發(fā)表于 09-11 09:39 ?746次閱讀
    基于LMG3422EVM-041<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>子卡的GaN<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>設(shè)計(jì)與應(yīng)用

    新品 | EconoDUAL? 3 IGBT 7 1700V 900A模塊帶EC8二極管

    新品EconoDUAL3IGBT71700V900A模塊帶EC8二極管通過(guò)EconoDUAL3TRENCHSTOPIGBT71700V
    的頭像 發(fā)表于 08-04 18:10 ?1934次閱讀
    新品 | EconoDUAL? 3 <b class='flag-5'>IGBT</b> 7 1700V 900A<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>帶EC8二極管

    Texas Instruments LMG2100R044 GaN功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)

    Texas Instruments LMG2100R044 GaN功率級(jí)是一90V連續(xù)、100V脈沖、35A
    的頭像 發(fā)表于 08-04 10:00 ?925次閱讀
    Texas Instruments LMG2100R044 GaN<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>功率</b>級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)

    新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊

    近日,英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊,旨在提升電動(dòng)汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失,還能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,標(biāo)志著電力電子技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 05-06 14:08 ?751次閱讀
    <b class='flag-5'>新型</b><b class='flag-5'>IGBT</b>和SiC<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>用于高電壓應(yīng)用的新<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC功率模塊CREE

    CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC功率模塊CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一工業(yè)級(jí)全碳
    發(fā)表于 03-17 09:59

    晶豐明源第二代高性能功率模塊解析

    功率模塊(IPM)憑借其高集成度、高可靠性、布板靈活、設(shè)計(jì)與使用便捷等諸多優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用于無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域,其中在高速風(fēng)筒中的應(yīng)用尤為突出。
    的頭像 發(fā)表于 03-07 17:37 ?2631次閱讀
    晶豐明源第二代高性能<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>解析