mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) MOSFET選型

mosfet技術(shù)

?DRV8106-Q1 汽車級(jí)半橋智能柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)?

DRV8106-Q1是一款高度集成的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 線性穩(wěn)壓器電荷泵 210 0

?DRV8434S 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8434S 是一款適用于工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。該器件完全集成了兩個(gè) N 溝道功率 MOSFET H 橋驅(qū)動(dòng)器、一個(gè)微步進(jìn)索引器和集成電...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 電流檢測(cè)輸出電流 172 0

DRV8955 50V、2.5A、四通道半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

該DRV8955為工業(yè)應(yīng)用提供四個(gè)可單獨(dú)控制的半橋驅(qū)動(dòng)器。該器件可用于驅(qū)動(dòng)多達(dá)四個(gè)螺線管負(fù)載、兩個(gè)直流電機(jī)、一個(gè)步進(jìn)電機(jī)或其他負(fù)載。每個(gè)通道的輸...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 控制器接口 177 0

?Microchip 2ASC-12A2HP SiC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與工程實(shí)踐

Microchip Technology 2ASC-12A2HP柵極驅(qū)動(dòng)器可以控制和保護(hù)大多數(shù)基于SiC MOSFET的功率系統(tǒng)。2ASC-12A2HP...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器 99 0

解析GaN-MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應(yīng)用...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 GaN 97 0

?DRV8300 100V三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8300是100V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部...

2025-10-14 標(biāo)簽：電容器 MOSFET BLDC 226 0

48V機(jī)器人關(guān)節(jié)控制器的拆解分析

最近機(jī)器人非?；?，正好關(guān)節(jié)控制器和底盤執(zhí)行器例如轉(zhuǎn)向控制等比較類似，拆解了一款，簡(jiǎn)單分析了一下。

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 控制器機(jī)器人 118 0

新潔能NCE55P30K：讓空氣檢測(cè)儀“芯”動(dòng)，守護(hù)每一次呼吸

在當(dāng)今環(huán)保意識(shí)日益增強(qiáng)的時(shí)代，空氣質(zhì)量的優(yōu)劣直接關(guān)系到人們的健康與生活質(zhì)量?？諝鈾z測(cè)儀作為監(jiān)測(cè)空氣質(zhì)量的關(guān)鍵設(shè)備，其性能的優(yōu)劣至關(guān)重要。而新潔能NCE5...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET MOS 檢測(cè)儀 44 0

DRV8935 四路半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

該DRV8935為工業(yè)應(yīng)用提供四個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器。該器件可用于驅(qū)動(dòng)多達(dá)四個(gè)電磁閥負(fù)載、兩個(gè)直流電機(jī)、一個(gè)步進(jìn)電機(jī)或其他負(fù)載。每個(gè)通道的輸出級(jí)由配置在半橋中的...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET PWM 電磁閥 272 0

UCC23511-Q1 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC23511-Q1 是一款光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET，具有 1.5A 源電流和 2A...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 光耦合器引腳 197 0

DRV8425E雙H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8424E/P、DRV8425E/P 器件是雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)直流電機(jī)或一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)。

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 直流電機(jī)電荷泵 177 0

DRV8424/DRV8425 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器總結(jié)

DRV8424/25 是適用于工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。該器件完全集成了兩個(gè) N 溝道功率 MOSFET H 橋驅(qū)動(dòng)器、一個(gè)微步進(jìn)索引器和集成電...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 電流檢測(cè)橋驅(qū)動(dòng)器 184 0

?MIC21LV33評(píng)估板技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Microchip Technology EV93M52A MIC21LV33評(píng)估板設(shè)計(jì)用于快速地演示MIC21LV33的功能和廣泛用途。MIC21LV...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 雙相同步降壓控制器 107 0

DRV8705-Q1 汽車級(jí)H橋智能柵極驅(qū)動(dòng)器總結(jié)

DRV8705-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生...

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DRV8706-Q1 汽車級(jí)H橋智能柵極驅(qū)動(dòng)器總結(jié)

DRV8706-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET emi 電磁干擾 158 0

?DRV8770 100V刷式直流柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 203 0

?UCC27614 低邊柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

該UCC27614是一款單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27614具有 10 A...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)控制環(huán)路 191 0

?DRV8231A 有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8231A器件是一款集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測(cè)反饋、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過支持 N 溝道 MOSFET 半橋和 10...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 保護(hù)電路電流檢測(cè) 192 0

?DRV8231 有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8231器件是一個(gè)集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有N溝道H橋、電荷泵、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過支持 N 溝道 MOSFET 半橋和 100% 占空比驅(qū)動(dòng)...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 電流檢測(cè)電荷泵 189 0

?DRV8328 三相無刷電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8328系列器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)...

2025-10-14 標(biāo)簽：電源 MOSFET 灌電流 192 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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