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LM74610-Q1 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車?yán)硐攵O管控制器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-10 14:26 ? 次閱讀

LM74610-Q1 是一款控制器器件,可與 N 溝道 MOSFET 配合使用。 反極性保護(hù)電路。它旨在驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET 以模擬電源串聯(lián)時(shí)的理想二極管整流器。其獨(dú)特優(yōu)勢 方案中,它不以 ground 為參考,因此 Iq 為零。

LM74610-Q1 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供柵極驅(qū)動(dòng),并為 快速響應(yīng)內(nèi)部比較器,可在極性反接時(shí)對 MOSFET 柵極放電。 如果相反,這種快速下拉功能會(huì)限制反向電流的數(shù)量和持續(xù)時(shí)間 極性被感知。該器件設(shè)計(jì)還符合 CISPR25 5 類 EMI 規(guī)范和汽車 使用合適的 TVS 二極管ISO7637瞬態(tài)要求。
*附件:lm74610-q1.pdf

特性

  • 適用于汽車應(yīng)用
  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),結(jié)果如下:
    • 超過 HBM ESD 分類 2 級(jí)
    • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
  • 最大反向電壓為 45 V
  • 陽極端子無正電壓限制
  • 用于外部 N 溝道
    MOSFET 的電荷泵柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 比肖特基
    二極管/PFET 解決方案更低的功耗
  • 低反向漏電流
  • 零智商
  • 對反極性的快速 2μs 響應(yīng)
  • –40°C 至 +125°C 工作環(huán)境溫度
  • 可用于 OR-ing 應(yīng)用
  • 符合 CISPR25 EMI 規(guī)范
  • 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)
    要求
  • 無峰值電流限制

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?類型?:Zero IQ反向極性保護(hù)智能二極管控制器
  • ?特點(diǎn)?:
    • AEC-Q100認(rèn)證,適用于汽車應(yīng)用
    • 零靜態(tài)電流(Zero IQ)
    • 內(nèi)部電荷泵門驅(qū)動(dòng)外部N-MOSFET
    • 快速2μs反向極性響應(yīng)
    • 低反向泄漏電流
    • -40°C至+125°C工作溫度范圍

2. 應(yīng)用場景

  • 高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)
  • 信息娛樂系統(tǒng)
  • 工業(yè)電動(dòng)工具
  • 傳輸控制單元(TCU)
  • 電池OR-ing應(yīng)用

3. 主要特性

  • ?最大反向電壓?:45V
  • ?無正向電壓限制?:Anode端子
  • ?電荷泵門驅(qū)動(dòng)?:外部N-MOSFET
  • ?低正向電壓降?:相較于肖特基二極管
  • ?EMI合規(guī)性?:符合CISPR25 Class 5標(biāo)準(zhǔn)
  • ?瞬態(tài)要求?:符合汽車ISO 7637標(biāo)準(zhǔn)

4. 電氣特性

  • ?最小啟動(dòng)電壓?:0.48V(外部MOSFET體二極管)
  • ?電荷泵電容閾值?:
    • Vcap上閾值:6.3V
    • Vcap下閾值:5.15V
  • ?門驅(qū)動(dòng)電流?:
    • 上升電流:8.9-9.4μA
    • 下降電流:6.35-6.8μA(正向電壓)
    • 快速下拉電流:160mA(反向電壓)
  • ?反向恢復(fù)時(shí)間?:2.2-5μs
  • ?占空比?:98%(典型值,25°C)

5. 功能描述

  • ?工作原理?:
    • 初始上電時(shí),電流通過MOSFET體二極管,為電荷泵電容充電。
    • 電容電壓達(dá)到上閾值后,MOSFET導(dǎo)通,提供低阻通路。
    • 電容電壓下降至下閾值時(shí),MOSFET關(guān)斷,體二極管再次導(dǎo)通。
  • ?反向極性保護(hù)?:
    • 檢測到反向電壓時(shí),Gate Pull Down引腳快速下拉MOSFET門極,限制反向電流。
  • ?無地參考?:設(shè)計(jì)使得控制器與二極管類似,無需地參考。

6. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:VSSOP(8引腳)
  • ?尺寸?:3.00mm × 5.00mm

7. 典型應(yīng)用

  • ?反向極性保護(hù)?:與N-MOSFET和TVS二極管配合使用,保護(hù)電池或其他電源免受反向電壓損害。
  • ?OR-ing應(yīng)用?:在冗余電源系統(tǒng)中,替代肖特基二極管,減少正向電壓降,提高效率。

8. 設(shè)計(jì)考慮

  • ?MOSFET選擇?:需考慮最大漏極電流、漏源擊穿電壓、柵閾值電壓和導(dǎo)通電阻。
  • ?電容選擇?:建議使用220nF至4.7μF的X7R/COG陶瓷電容。
  • ?TVS二極管選擇?:根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的擊穿電壓和鉗位電壓。

9. 布局指南

  • ?推薦布局?:VIN端子應(yīng)使用低ESR陶瓷旁路電容,MOSFET源極和漏極應(yīng)使用粗跡線,電荷泵電容應(yīng)遠(yuǎn)離MOSFET以降低熱效應(yīng)。

10. 文檔與支持

  • 提供數(shù)據(jù)手冊、應(yīng)用指南、相關(guān)文檔鏈接和社區(qū)資源。
  • 可通過TI社區(qū)獲取快速的設(shè)計(jì)幫助和技術(shù)支持。

LM74610-Q1是一款專為汽車和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的反向極性保護(hù)智能二極管控制器,通過結(jié)合外部N-MOSFET,實(shí)現(xiàn)了低損耗、高效率的反向極性保護(hù)解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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