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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導(dǎo)通電阻對同步整流器而言十分關(guān)鍵,因為多數(shù)情況下,快速恢復(fù)式整流電流通過MOSFET通道電阻所造成的功率損耗是總功...
2011-12-27 標簽:MOSFET門極驅(qū)動電壓 5.7k 0
科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSF...
低壓超級接面結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET性能
采用超級接面結(jié)構(gòu)設(shè)計不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結(jié)構(gòu)的缺點,亦能達到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 標簽:MOSFET 2.3k 0
Diodes推出微型12V P通道強化型MOSFET—DMP1245UFCL
Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升電池效率及減少電路板空間,并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求...
2011-11-29 標簽:MOSFETDiodesDMP1245UFCL 1k 0
羅姆半導(dǎo)體將推出SCH2090ke型漏源極電壓可達1200V的MOSFET
SCH2090ke是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓、低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)、實現(xiàn)整機的小型化和節(jié)能化。
羅姆半導(dǎo)體sch2200ax及?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET
sch2200ax是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓?低導(dǎo)通電阻?高速開關(guān)、實現(xiàn)整機的小型化和節(jié)能化。
2011-11-20 標簽:MOSFET羅姆半導(dǎo)體 1.8k 0
三菱電機上市漏極效率達70%的MOSFET新品RD01MUS2B
三菱電機將上市輸出功率為1W的7.2V MOSFET新產(chǎn)品RD01MUS2B,適用于商用無線傳呼機及特定小功率無線傳呼機用功率放大器。新產(chǎn)品將于2011...
Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝...
電路上電或熱插拔時會產(chǎn)生很大啟動電流和電壓波動,這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作,甚至導(dǎo)致整個系統(tǒng)的損害。傳統(tǒng)采用分立元件的保護電路具有可靠性低、維護成本高...
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET-...
羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于,與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓...
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