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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>科銳推出芯片型碳化硅MOSFET功率器件

科銳推出芯片型碳化硅MOSFET功率器件

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2025-12-08 09:33:11438

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安森美1200V碳化硅MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析

在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天,我們就來(lái)深入探討安森美(onsemi)推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
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安森美NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET深度解析

在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。安森美(onsemi)推出的NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET,更是在性能和可靠性方面表現(xiàn)出色。今天,我們就來(lái)詳細(xì)解析這款器件。
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onsemi NVH4L095N065SC1碳化硅MOSFET:汽車(chē)電子應(yīng)用的理想之選

在汽車(chē)電子領(lǐng)域,隨著電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)的快速發(fā)展,對(duì)功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性提出了更高的要求。碳化硅(SiC)MOSFET憑借其優(yōu)異的性能,成為了汽車(chē)電源系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。今天,我們就來(lái)詳細(xì)探討一下onsemi的NVH4L095N065SC1這款N溝道碳化硅MOSFET。
2025-12-03 14:02:34357

onsemi碳化硅MOSFET NVHL070N120M3S:性能剖析與應(yīng)用展望

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐漸嶄露頭角。今天,我們就來(lái)詳細(xì)剖析onsemi推出的一款碳化硅MOSFET——NVHL070N120M3S,看看它在實(shí)際應(yīng)用中究竟有哪些獨(dú)特之處。
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2025-11-24 04:57:29242

傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報(bào)告

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2025-11-23 11:04:372123

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電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,分銷(xiāo)代理BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率模塊,SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電
2025-11-23 10:53:151371

天潤(rùn)碳化硅器件在不同充換電場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用

從南國(guó)云南到內(nèi)蒙古礦區(qū),從東海寧波到香港特別行政區(qū),由泰天潤(rùn)自主研發(fā)的碳化硅功率器件,正在全國(guó)各地充換電設(shè)施中穩(wěn)定運(yùn)行,見(jiàn)證著國(guó)產(chǎn)芯片在技術(shù)上有重大突破。
2025-11-06 16:21:49670

半導(dǎo)體“碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)”詳解

近年來(lái),基于寬禁帶材料的器件技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅器件的實(shí)際工程應(yīng)用,受到了越來(lái)越廣泛的關(guān)注。相較傳統(tǒng)的硅基器件碳化硅MOSFET具有較小的導(dǎo)通電阻以及很快的開(kāi)關(guān)速度,與硅IGBT相比,導(dǎo)通損耗
2025-11-05 08:22:008362

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2025-10-02 09:29:39704

SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然趨勢(shì)

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2025-09-21 20:41:13419

基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上,通過(guò)創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感,使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03976

T三電平逆變器與碳化硅MOSFET:深度技術(shù)分析與應(yīng)用價(jià)值研究

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2025-09-09 09:49:454190

碳化硅功率器件的基本特性和主要類(lèi)型

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料,正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性,成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分。本文將探討碳化硅功率器件的性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2025-09-03 17:56:411427

數(shù)明半導(dǎo)體SiLM27531H柵極驅(qū)動(dòng)器在碳化硅器件中的應(yīng)用

碳化硅 MOSFET 憑借顯著的開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì),在許多大功率應(yīng)用中得到青睞。然而它的特性要求柵極驅(qū)動(dòng)電路有較高要求,以優(yōu)化碳化硅器件的開(kāi)關(guān)性能。盡管碳化硅 MOSFET 并非難以驅(qū)動(dòng),但許多常見(jiàn)的驅(qū)動(dòng)器可能會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)性能下降。
2025-09-03 17:54:014441

碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽(yáng)能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)充電器和電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
2025-08-29 14:38:016755

碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過(guò)300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等產(chǎn)業(yè)的升級(jí)。
2025-08-27 16:17:431255

森國(guó)推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國(guó)推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性,為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154

Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專(zhuān)為嚴(yán)苛的汽車(chē)環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET,可在 185°C 下持續(xù)工作,助力動(dòng)力總成系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:232327

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293

碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

的不同,碳化硅襯底可分為兩類(lèi):一類(lèi)是具有高電阻率(電阻率≥10^5Ω·cm)的半絕緣碳化硅襯底,另一類(lèi)是低電阻率(電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm)的導(dǎo)電碳化硅襯底。02
2025-07-15 15:00:19960

EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
2025-06-25 09:13:14

傾佳電子:SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲(chǔ)能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命

的核心“調(diào)度官”,負(fù)責(zé)光伏發(fā)電、電池儲(chǔ)能與電網(wǎng)電能的高效雙向流動(dòng)。傳統(tǒng)硅基IGBT器件卻日益成為制約系統(tǒng)性能提升的瓶頸——開(kāi)關(guān)損耗大、溫升高、功率密度有限。 碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的崛起,為電力電子行業(yè)帶來(lái)了革命性突破。
2025-06-25 06:45:05693

基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC
2025-06-24 17:26:28492

SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC
2025-06-19 16:57:201227

BASiC基本公司SiC MOSFET碳化硅功率模塊在商空熱泵中的技術(shù)應(yīng)用

Semiconductor推出的 BMS065MR12EP2CA2 碳化硅(SiC)MOSFET模塊,憑借其低損耗、高耐溫及高功率密度等特性,為商空熱泵的能效升級(jí)提供了創(chuàng)新解決方案。
2025-06-19 16:44:44676

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑

在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來(lái)了替代其市場(chǎng)份額的重大機(jī)遇。
2025-06-19 16:43:27782

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性
2025-06-18 17:24:241466

Nexperia碳化硅MOSFET優(yōu)化電源開(kāi)關(guān)性能

面對(duì)大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求,Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出碳化硅(SiC)MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開(kāi)關(guān)速度以及超強(qiáng)的短路耐受性,是電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)的不二選擇。
2025-06-14 14:56:401365

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,成為推動(dòng)高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件
2025-06-10 08:38:54829

碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)

傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC
2025-06-09 17:22:53857

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

傳統(tǒng)IGBT,成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場(chǎng)變革不僅意味著能效的躍升,更將重塑產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局。 傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)
2025-06-09 07:07:17727

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET
2025-06-08 11:13:471096

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

碳化硅功率器件在汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用

隨著全球汽車(chē)行業(yè)向電動(dòng)化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型,碳化硅(SiC)功率器件以其優(yōu)越的性能,正日益成為汽車(chē)電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是在電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)的各類(lèi)應(yīng)用中,SiC
2025-05-29 17:32:311082

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC)分銷(xiāo)商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行
2025-05-18 14:52:081323

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC
2025-05-10 13:38:19860

基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開(kāi)幕?;景雽?dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門(mén)極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116

破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬

致以崇高的敬意!是你們的智慧與汗水,讓中國(guó)在第三代半導(dǎo)體變革浪潮中勇立潮頭;是你們的堅(jiān)守與創(chuàng)新,為電力電子行業(yè)自主可控的宏圖鋪就基石。 傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET,
2025-05-06 10:42:25490

34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案

SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC)分銷(xiāo)商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾
2025-05-04 13:23:07838

深度分析650V國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力

深度分析B3M040065Z和B3M040065L的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力 傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅
2025-05-04 11:15:49524

基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC)分銷(xiāo)商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源,電力電子
2025-05-04 09:42:31740

基于國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

茜 微信&手機(jī):13266663313 傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片
2025-05-03 10:45:12561

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加,能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實(shí)現(xiàn)低碳經(jīng)濟(jì)的重要一環(huán)。碳化硅(SiC)功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能,正逐漸成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備的選擇,特別是在能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。本文將深入探討碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)。
2025-04-27 14:13:32899

碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討碳化硅功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用現(xiàn)狀。
2025-04-21 17:55:031081

傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與米勒鉗位解決方案

SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
2025-04-21 09:21:56868

低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機(jī)直接推向“早衰”

低質(zhì)量碳化硅MOSFET對(duì)SiC碳化硅MOSFET逆變焊機(jī)新興品類(lèi)的惡劣影響 低質(zhì)量碳化硅MOSFET的濫用,可能將這一本應(yīng)引領(lǐng)焊機(jī)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的SiC碳化硅逆變焊機(jī)新興品類(lèi)直接推向“早衰”。若放任亂象
2025-04-14 07:02:35649

除了安森美CREE等還有哪些在美國(guó)境內(nèi)流片的SiC碳化硅器件品牌

客戶群體覆蓋汽車(chē)、工業(yè)及能源領(lǐng)域。雖然部分客戶未在搜索結(jié)果中明確列出,但其2024年財(cái)報(bào)顯示碳化硅業(yè)務(wù)疲軟。 傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET
2025-04-14 05:58:12946

碳化硅功率器件的種類(lèi)和優(yōu)勢(shì)

在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門(mén)選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2025-04-09 18:02:041275

信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開(kāi)關(guān)速度以及更優(yōu)
2025-04-08 16:00:57

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用
2025-04-02 11:40:190

碳化硅VS硅基IGBT:誰(shuí)才是功率半導(dǎo)體之王?

在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊作為當(dāng)前市場(chǎng)上
2025-04-02 10:59:415531

派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品

3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車(chē)盛會(huì)——汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕,本次會(huì)上,派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品,吸引了新能源汽車(chē)、工業(yè)
2025-03-29 09:10:551741

比亞迪推出全新一代車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片

在3月17日的超級(jí)e平臺(tái)技術(shù)發(fā)布會(huì)上,比亞迪發(fā)布了劃時(shí)代超級(jí)e平臺(tái),推出閃充電池、3萬(wàn)轉(zhuǎn)電機(jī)和全新一代車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片,核心三電全維升級(jí),搭配全球首個(gè)電動(dòng)車(chē)全域千伏架構(gòu),刷新多項(xiàng)全球之最。
2025-03-24 17:10:051601

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM31智能功率模塊(IPM)系列。
2025-03-19 14:31:281103

碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&A

碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善,國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅
2025-03-13 11:12:481577

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37767

BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)隔離供電的性價(jià)比最優(yōu)解

碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢(shì)中,驅(qū)動(dòng)隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素?;景雽?dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F 通過(guò)技術(shù)整合與設(shè)計(jì)創(chuàng)新,完美適配SiC器件的需求,成為推動(dòng)硅基向碳化硅升級(jí)的核心驅(qū)動(dòng)方案。
2025-03-01 10:16:091311

超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

隨著B(niǎo)ASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開(kāi)始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441053

SiC碳化硅二極管公司成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

結(jié)合國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象,比如2024已經(jīng)有超過(guò)兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算,僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31752

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)有哪些

隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車(chē)的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電?b class="flag-6" style="color: red">器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:291399

碳化硅功率器件的特性和應(yīng)用

隨著全球能源需求的快速增長(zhǎng)和對(duì)可再生能源的重視,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過(guò)程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)越的性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si
2025-02-25 13:50:111606

國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

碳化硅行業(yè)觀察:國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來(lái),碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)雖高速增長(zhǎng),但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來(lái)多家SiC器件設(shè)計(jì)公司接連倒閉,國(guó)內(nèi)碳化硅功率
2025-02-24 14:04:38933

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

本白皮書(shū)重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專(zhuān)為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?;谠?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案,重新
2025-02-19 11:35:411716

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅
2025-02-13 21:56:24913

碳化硅戶用工商業(yè)50kW光伏并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)方案

自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住6
2025-02-13 12:17:11731

BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件
2025-02-12 06:41:45947

橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結(jié)MOSFET技術(shù)注意事項(xiàng)

楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)
2025-02-11 22:27:58829

5G電源應(yīng)用碳化硅B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET

碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC
2025-02-10 09:37:55745

高頻電鍍電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比

模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢(shì)! 傾
2025-02-09 20:17:291126

碳化硅MOSFET在家庭儲(chǔ)能(雙向逆變,中大充)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。 ? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率
2025-02-09 09:55:56854

碳化硅(SiC)MOSFET以低價(jià)策略顛覆市場(chǎng)的核心邏輯

碳化硅(SiC)MOSFET以低價(jià)策略顛覆市場(chǎng)的核心邏輯:低價(jià)SiC器件的“致命性”在于性價(jià)比的絕對(duì)碾壓
2025-02-05 14:43:171298

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹

碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 14:34:481658

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開(kāi)關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高功率應(yīng)用中會(huì)
2025-02-03 14:22:001255

碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù),從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面展開(kāi)探討。
2025-02-03 14:21:001292

碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力、高擊穿電場(chǎng)和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環(huán)境,同時(shí)保持較高的電學(xué)性能。 二、碳化硅在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用 功率器件碳化硅功率器件
2025-01-23 17:09:352663

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

*附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40

SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042

碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門(mén)襯底選擇,對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394

為何基本碳化硅MOSFET在充電樁電源單級(jí)拓?fù)鋵?shí)測(cè)效率高于進(jìn)口器件

基本碳化硅MOSFET在充電樁電源單級(jí)拓?fù)鋵?shí)測(cè)效率高于進(jìn)口器件
2025-01-13 09:58:291463

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