高度:6.35 mm
類型:BeO Flanged Resistor
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
系列:RXXXX-800-1X
封裝:Bulk
商標:Vishay
2026-01-05 11:37:39
采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發(fā)的，用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結(jié)技術(shù)有助于降低導通電阻，并提高MOS管開關速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關轉(zhuǎn)換器領域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢，同時有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
2025-12-31 09:05:13
326 
（on）電阻值會隨著電流增大輕微上升，因此選擇時需要留有余量。
（3）Rds（on）低的MOSFET通常成本比較高，可以通過優(yōu)化驅(qū)動電路，改進散熱等方式，選用Rds（on）較大一些的的低成本器件。
2025-12-23 06:15:35
，廣泛應用于軍事和工業(yè)領域。今天，我們就來詳細解析這款電阻器。 文件下載： RN70E7151FBSL.pdf 一、產(chǎn)品概述 Vishay Dale的CMF系列金屬膜電阻器分為RN和RL兩種類型，分別符合
2025-12-18 17:30:02503 Wolfspeed 宣布推出最新的車規(guī)級 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺開發(fā)， 為汽車車載充電器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電子壓縮機和加熱與冷卻系統(tǒng)等應用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:14:51658 Wolfspeed 宣布推出最新的工業(yè)級 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺開發(fā)，為硬開關應用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:13:27564 E24_E96系列電阻阻值速查表
2025-11-26 16:03:02
1 安森美NTTFD1D8N02P1E N溝道MOSFET是一款雙通道25V電源夾非對稱器件。該N溝道MOSFET具有4.2mΩ HS、1.4mΩ LS和25V~DSS~~ 漏~極-源極電壓
2025-11-24 13:40:06394 
：耐壓100V功率MOSFET管，VGS耐壓約為30V。在器件處于關斷時，VGD也會到100V，是因為柵極與源極之間的柵氧化層厚度比較厚，還是說壓降主要在襯底與外延層上面？
回復：柵極與源極最大電壓
2025-11-19 06:35:56
Vishay MCB HRHA充電電阻器（用于EV混合繞線技術(shù)）具有高能量/體積比，符合AEC-Q200標準。Vishay MCB HRHA充電電阻器設計用于工業(yè)和汽車電器中的預充電、放電和有源放電
2025-11-17 10:35:21348 和低電壓系數(shù)。PEP系列推薦用于需要切換到具有相同功率限制的小尺寸器件的用戶。Vishay/Sfernice PEP功率增強型薄膜片式電阻器有0402、0603、0805和1206等尺寸可選。
2025-11-17 10:26:52402 
Vishay / Dale RCS e3防浪涌大功率厚膜片式電阻器套件提供 RCS0402和RCS0603電阻器的146個電阻值，具有出色的浪涌脈沖能力和出色的ESD浪涌特性。帶有透明分頻器/頁面
2025-11-17 10:22:37386 Vishay Semiconductors BAT165小信號肖特基二極管具有40V反向電壓 (V ~R~ ) 和750mA最大額定正向連續(xù)電流 (I ~F~ )。該器件采用符合RoHS指令的綠色
2025-11-14 16:13:43767 
Vishay / Techno TR厚膜平面電阻器是一套通孔和高壓解決方案。這些電阻器具有3000V電壓和超低電壓系數(shù)，在惡劣條件下具有出色的穩(wěn)定性。Vishay / Techno TR厚膜平面電阻器非常適合用于需要在使用高電壓的環(huán)境下運行的應用。
2025-11-14 16:07:33370 
Vishay / Techno FHV徑向厚膜平面電阻器是一套通孔、徑向引線和高壓解決方案。這些電阻器采用無感設計，具有匹配組和比例分頻器。Vishay/Techno FHV徑向厚膜平面電阻器具有 ±200ppm/°C標準的低TCR和 ±10%、 ±5%、 ±2%或 ±1%的標準容差。
2025-11-14 15:52:07395 
Vishay Semicductors VS-E7MH0112-M3 1A FRED Pt? 超快整流器的設計優(yōu)化了正向壓降性能，實現(xiàn)了超快恢復時間。該器件的平面結(jié)構(gòu)和摻鉑壽命控制確保了最佳的整體性
2025-11-14 15:29:49309 
Vishay/Spectrol 534系列7/8" (22.2mm) 多匝繞線電位計采用套管和伺服安裝設計，標準線性度為±0.25%，特殊電阻容差為1%。這些器件具有2W額定功率（+70
2025-11-14 15:17:25363 
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365 
Vishay Semiconductors SEP4512相臂高壓標準整流器具有低正向?qū)〒p耗、高浪涌電流耐能力和高結(jié)溫能力的特性。該器件具有1200V最大重復峰值反向電壓和相臂電路配置。Vishay SEP4512整流器的額定溫度范圍為-55°C至+175°C，采用TO-247AD 3L封裝。
2025-11-14 10:05:16387 
Vishay Semiconductors LVE1560E/LVE2560E橋式整流器具有低正向電壓降、低噪聲和高浪涌電流耐受能力的特性。Vishay LVE1560E/LVE2560E整流器
2025-11-14 09:57:48318 
Vishay/BC Components NTCC201E4增強型無引線NTC熱敏電阻裸片提供多功能安裝選項，頂部和底部設有觸點。這些模塊支持鋁線鍵合，兼容真空或甲酸/氮氫混合氣體中的回流焊、SAC
2025-11-14 09:22:48318 Vishay/Sprague STH SuperTan ^?^ 液態(tài)鉭電容器性能更加強大，具有軍用元器件H級抗熱沖擊和抗振動能力。該系列還具備高達300次的抗熱沖擊能力。其設計牢固性強且可靠性高
2025-11-13 16:33:32633 
Vishay BC Components NTCLE100E3徑向引線標準精密和NTCLE 203E3徑向引線精密線路NTC熱敏電阻符合RoHS指令。該熱敏電阻在寬溫度范圍內(nèi)具有高精度，在整個
2025-11-13 16:19:30735 
Vishay薄膜FC高頻射頻電阻器具有六種外殼尺寸，設計采用邊緣微調(diào)模塊和高純度氧化鋁基板。該電阻器的內(nèi)部電抗小于10mΩ，最大工作頻率范圍為40GHz。Vishay薄膜FC高頻射頻電阻器采用鈍化
2025-11-13 15:05:49319 
SiC544采用緊湊型4.5mm x 3.5mm MLP封裝。SiC544支持高達40A的每相持續(xù)電流。內(nèi)部功率MOSFET采用Vishay的先進第四代TrenchFET^?^ 技術(shù)，可最大限度地降低開關和導通損耗，實現(xiàn)行業(yè)領先的性能。
2025-11-13 15:00:01348 
Vishay SiRS5700DP N溝道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品質(zhì)因數(shù)（FOM）。Vishay
2025-11-13 11:21:53430 
設計靈活性和自動貼裝功能。CRHP系列還可進行流動焊接，并可提供卷帶包裝。Vishay/Techno CRHP高壓厚膜片式電阻器具有2MΩ 至50GΩ 的電阻范圍和-55°C至+155°C的工作溫度范圍。應用包括斷路器、照明控制、高壓電源和其他高壓應用。
2025-11-13 10:39:22388 
Vishay Semiconductors 3.0CxCA TRANSZORB^?^ 瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）是雙向表面貼裝抑制器，具有3000W峰值脈沖功耗和10/1000μs波形。這些抑制器
2025-11-13 10:32:55361 
Vishay/Dale IFDC-5050HZ屏蔽表面貼裝器件（SMD）功率電感器采用12.3mmx12.3mmx8mm封裝。這些SMD功率電感器采用屏蔽鐵氧體結(jié)構(gòu)，0A時電感范圍為3.3μH至
2025-11-13 10:19:04391 
。CHA系列電阻器具有倒裝芯片、環(huán)繞或單面端接。Vishay CHA汽車用薄膜片式電阻器適用于5G基站、無人機和汽車高級輔助駕駛系統(tǒng)（ADAS）應用。
2025-11-13 10:01:40347 Vishay/Beyschlag MMU 0102 VG03薄膜可靠MELF電阻器非常適合用于飛機、軍事和航天器電子產(chǎn)品中常見的高可靠性應用。這些電阻器通過EN 140401-803 E版標準
2025-11-13 09:19:19510 
電介質(zhì)的電容范圍為33pF至3900pF，X7R型號的電容范圍為470pF至0.1μF。Vishay/Techno MCN厚膜電容器網(wǎng)絡采用9引腳SIP封裝，具有模制環(huán)氧樹脂外殼和焊料涂層銅端子。該系列
2025-11-12 16:14:25322 
Vishay/Techno TCN厚膜電容器網(wǎng)絡具有環(huán)氧樹脂保形涂層、焊料涂層銅端子以及用于線路端子的NP0或X7R電容器。該系列具有50VDC~~ 電容電壓、±10%或±20%電容容差以及-55
2025-11-12 16:10:16368 
（遠程/無線）應用提供低直流電漏（DCL）。TX3系列具有更嚴格的測試規(guī)格，電容范圍為10μF至100μF，額定電壓為16V~DC~ 至25V~DC~ 。Vishay/Sprague TX3固體鉭表面
2025-11-12 15:36:10361 
Vishay商用級NTC SMD 0402貼片熱敏電阻由NTCSC系列組成，可在-40°C至+125°C的擴展溫度范圍內(nèi)提供穩(wěn)定、準確的溫度測量。這些元器件采用陶瓷技術(shù)和0402小尺寸封裝
2025-11-12 15:21:42472 Vishay TNPR e3 20GHz薄膜片式電阻器的工作頻率高達20GHz，英制尺寸為0201，阻抗為50 Ω 。這些電阻器在不同環(huán)境條件下具有出色的整體穩(wěn)定性，并具有先進的耐硫性，符合
2025-11-12 14:57:09340 Vishay Semiconductors TransZorb^?^ 瞬態(tài)電壓抑制器采用玻璃鈍化芯片結(jié)，耗散功率為6.5W。這些電壓抑制器具有出色的鉗位能力、非?？斓捻憫獣r間和低增量浪涌
2025-11-12 14:41:16373 
Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V（D-S）MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術(shù)。該MOSFET優(yōu)化了功率效率，R~DS(on)~ 可最大限度地降低
2025-11-12 14:12:58319 Vishay SiC32309開關可驅(qū)動每個器件高達60A的連續(xù)電流。當電路卡插入帶電背板電源時，電子保險絲開關可限制負載的浪涌電流，從而限制背板的壓降。
2025-11-12 13:55:26357 Vishay/MCB Industrie RAMK/RAME USB編碼器接口是一款設計用于Vishay MCB編碼器（AMK和RAME系列，包括霍爾效應）的電子板。該接口板只需使用隨附的USB
2025-11-12 11:51:54553 Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設計用于高效電源開關應用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18343 Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26335 
Vishay/Dale ICM5050大電流共模扼流圈是繞線鐵氧體共模扼流圈，額定工作電壓為80V~DC~ 。ICM5050系列設計具有10MΩ最小絕緣電阻，工作溫度范圍為-40°C至+125°C
2025-11-11 10:41:04400 
Semiconductors SiC674采用緊湊型5mm x 5mm MLP封裝。SiC674支持每相持續(xù)電流高達55A的穩(wěn)壓器設計。其內(nèi)部功率MOSFET采用Vishay先進的TrenchFET^?^ 技術(shù)，最大限度地降低了開關和傳導損耗，實現(xiàn)了業(yè)界領先的性能。
2025-11-11 10:25:45352 
Semiconductors SiC653A采用緊湊型5mm x 5mm MLP封裝，可讓穩(wěn)壓器每相提供高達50A的持續(xù)電流。SiC653A采用Vishay的第四代TrenchFET MOSFET技術(shù)，最大限度地降低了開關
2025-11-11 10:16:53381 
Vishay/Sfernice M61 3/8”方形單匝金屬陶瓷微調(diào)電位器有多種引腳配置可供選擇，用于手指設置。這些微調(diào)電位器通過物理操作輕松調(diào)整電阻值，組裝在PCB上后可提供穩(wěn)定性。M61系列采用
2025-11-10 11:44:43427 
Vishay SiC658A 50A VRPower ^?^ 集成功率級具備高效率和出色的散熱性能，非常適合大電流應用。Vishay SiC658A憑借先進的MOSFET技術(shù)，可確保最佳電源轉(zhuǎn)換并
2025-11-10 11:35:58464 
Vishay/Dale XT11表面貼裝晶體采用尺寸為1.6mm x 12mm x 0.39mm的微型SMD封裝。規(guī)格包括24MHz至60MHz頻率范圍 、8pF 負載電容、10μW驅(qū)動電平
2025-11-10 10:47:49337 
Vishay/BC Components器件由焊接連接的均質(zhì)陶瓷PTC組成，封裝在UL 94V-0認證的PPS-GF外殼中。PTCES系列包括標準240J和高能340J選項，可提供大量的浪涌功率循環(huán)。
2025-11-10 10:38:57361 
Vishay / Roederstein MKP1848e DC-Link薄膜電容器已通過AEC-Q200認證，可在高達+125°C的溫度下運行。這些電容器具有高紋波電流能力、低ESR、低ESL，并
2025-11-10 10:37:17416 
，其芯體材料經(jīng)過改進，芯體損耗比之前的IHXL-5A型號降低了20%。此系列Vishay/Dale商用電感器的金屬合金結(jié)構(gòu)提供出色的磁屏蔽性和高導熱性，可最大限度地減少熱點。此系列電感器表面平坦，可安裝
2025-11-10 09:42:04422 
Vishay RNC55金屬膜電阻器符合MIL-PRF-55182標準，具有-40dB低額定噪聲。環(huán)氧樹脂涂層為這些電阻器提供了卓越的防潮性能，其他特點包括經(jīng)過驗證的故障率、受控的溫度系數(shù)、月度
2025-11-10 09:23:43395 
Vishay 汽車0201厚膜片式電阻是e3標準厚膜電阻器，符合汽車環(huán)境AEC-Q200要求。規(guī)格包括0201尺寸、10Ω 至1MΩ 電阻范圍、0.05W額定耗散功率、30V工作電壓額定值以及-55°至+155°的工作溫度范圍。Vishay汽車0201厚膜片式電阻適用于汽車、電信和工業(yè)應用。
2025-11-09 17:32:45982 
Vishay Semiconductors VEMD4210FX02 環(huán)境光傳感器是一款高速、高靈敏度的 PIN 光電二極管。它是一款微型表面貼裝器件 (SMD)，敏感區(qū)域為0.42mm^2
2025-11-09 16:31:17528 
）MOSFET分立器件產(chǎn)品組合具有強大的競爭力和先進的技術(shù)特性，能夠全面滿足高功率密度、高開關頻率以及高可靠性電源應用的需求。該系列產(chǎn)品矩陣涵蓋 650?V、 750?V、 1200?V 和 1400
2025-10-21 10:12:15390 
Vishay 宣布，推出新系列一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容，該系列產(chǎn)品具有低介質(zhì)損耗因子(DF)和低直流偏壓的特性，適用于工業(yè)和醫(yī)療應用。
2025-09-30 10:56:06816 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗，導通電
2025-09-18 18:19:141109 9月15日，“比亞迪e-Bus平臺3.0發(fā)布暨全新客車上市”發(fā)布會在杭州舉行，正式揭幕第三代電動客車技術(shù)平臺，推出電動客車首個千伏平臺，推動實現(xiàn)“電比油強”，并同步推出基于該平臺打造的全新電動客車
2025-09-17 16:42:49987 ，持續(xù)迭代升級IGBT和MOSFET技術(shù)平臺，通過精密的芯片結(jié)構(gòu)設計、優(yōu)化的制造工藝和先進的封裝方案，打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件產(chǎn)品。這些產(chǎn)品旨在滿足嚴苛
2025-09-16 14:56:051645 
FS4056E系列單節(jié)線線充電IC
2025-09-08 18:54:030 SiC MOSFET器件的短路耐受能力，在高壓和低壓應用是有所不同的，在耐受時間上通常在?2-7μs?范圍內(nèi)。多數(shù)規(guī)格書標稱的短路時間是供應商在評估器件初期，使用單管封裝測試的，2-3μs;到模塊
2025-09-02 14:56:561098 
NuMicro? Cortex-M0/M4系列可以提供哪些USB器件示例代碼？
2025-08-19 07:05:27
MCX E系列是恩智浦豐富的MCX產(chǎn)品組合中特別注重可靠性與安全性的系列。隨著該系列的推出，恩智浦進一步豐富了其5V兼容的MCU產(chǎn)品線，為從3V到5V的設計提供一致的開發(fā)體驗，幫助工程師在復雜環(huán)境中打造高可靠性的系統(tǒng)。
2025-08-16 17:36:553804 
近日，派恩杰半導體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導通電阻RDS(on)最低可達7mΩ，達到國際領先水平。相比
2025-08-05 15:19:011208 
2025 年 6 月 25 日,紫光閃芯正式發(fā)布新一代面向企業(yè)級市場的SATA SSD E1200產(chǎn)品系列,憑借性能顯著躍升與企業(yè)級高可靠性設計,為數(shù)據(jù)中心、云計算、邊緣計算等場景的高性能存儲需求
2025-06-26 16:57:15713 作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團隊持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列
2025-06-11 08:59:592500 
HPM6P00、HPM5E00系列SoC的燒寫及其它操作，新增HPM6E00、HPM5E00固件;新增verify-checksum及query-rtecomman
2025-06-04 08:28:151268 
的“熱點”特性！這種自冷卻機制的同等重要的結(jié)果是便于并聯(lián) MOSFET 以提升某種器件的電流性能。雙極型三極管對于并聯(lián)非常敏感，要采取預防措施以平分電流(發(fā)射極穩(wěn)定電阻、快速響應電流感應反饋環(huán)路
2025-06-03 15:39:43
近日，索尼（中國）有限公司正式發(fā)布新款雙芯超旗艦頭戴降噪耳機——WH-1000XM6。
2025-05-20 09:47:351797 MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點，因此被廣泛的應用于開關電源、電機控制、電動工具等
2025-05-06 17:13:58
一系列(電壓，電流)坐標點形成的一個二維區(qū)域，開關器件正常工作時的電壓和電流都不會超過該區(qū)域。簡單地講，只要器件工作在SOA區(qū)域內(nèi)就是安全的，超過這個區(qū)域就存在危險。SOA（Safe operating
2025-04-23 14:49:27
引言
隨著電力半導體器件的發(fā)展[1-2]，已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場合但快速性較好的功率場效應晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945 
飛兆半導體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
納芯微正式發(fā)布全新一代CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列，該系列產(chǎn)品是對納芯微已量產(chǎn)的CSP MOS的完美升級與補充。新一代CSP MOS進一步優(yōu)化了性能表現(xiàn)，顯著
2025-03-12 10:33:112854 近日，海信電視舉行“巔峰畫質(zhì) 影游旗艦”新品發(fā)布會，正式發(fā)布E8Q旗艦系列電視新品，搭載全球首顆信芯AI畫質(zhì)芯片H7、全新升級的黑曜屏Ultra、330Hz系統(tǒng)級高刷、U+Mini LED光暈控制系統(tǒng)、影院級帝瓦雷聲學系統(tǒng)五大行業(yè)首發(fā)科技，為極致影游愛好者打造電視畫質(zhì)的巔峰之作。
2025-03-11 15:38:301443 英飛凌(Infineon)近日宣布，擴大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
隨著市場對高性能功率半導體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險絲、電機驅(qū)動、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡盟擴大開關庫存儲備，包括領先品牌和自有品牌 Multicomp Pro 系列，以滿足市場需求。
2025-02-18 16:31:29792 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BXK9Q29-60E N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-12 14:46:290 蘋果公司即將迎來其智能手機產(chǎn)品線的新成員——新款iPhone SE。據(jù)消息透露，這款新設備最早將于下周在蘋果官方網(wǎng)站上發(fā)布，并計劃在本月晚些時候正式上市銷售。
2025-02-08 16:52:271503 碳化硅革新電力電子，以下是關于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹，結(jié)合其技術(shù)原理、關鍵步驟與應用價值，助力電力電子領域的革新。
2025-02-05 14:34:481658 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導體領域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58994 SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進的功率半導體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降低導通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545890 
安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡盟近日宣布，其產(chǎn)品線新增了Diotec Semiconductor公司的分立半導體和相關外設系列。目前，這些新增產(chǎn)品已正式上架并可供全球客戶訂購
2025-01-22 11:15:191032 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應用設計。
2025-01-22 11:03:221221 
安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡盟宣布其電源產(chǎn)品系列新增威世科技（Vishay Intertechnology）的全新 microBRICK? 穩(wěn)壓器，這是市面上體積最小的直流/直流穩(wěn)壓器模塊。
2025-01-22 10:43:27884 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN169 從GD32E230系列移植到GD32E235系列.pdf》資料免費下載
2025-01-21 17:46:352 大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572634 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN205 GD32E51x與GD32E50x系列間的差異.pdf》資料免費下載
2025-01-17 16:24:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GD32E50x的器件限制.pdf》資料免費下載
2025-01-17 16:06:090 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GD32E235與GD32E230系列間的差異.pdf》資料免費下載
2025-01-17 14:32:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《從GD32E230系列移植到GD32E235系列.pdf》資料免費下載
2025-01-17 14:31:101 BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 基本碳化硅MOSFET在充電樁電源單級拓撲實測效率高于進口器件
2025-01-13 09:58:291463 
的MOSFET技術(shù)，這是一種由半導體功率元件構(gòu)成的無觸點開關器件。與傳統(tǒng)繼電器相比，它無需通過物理觸點來實現(xiàn)電路的接通與斷開，而是通過微弱的控制信號來驅(qū)動功率半導體器件MOSFET。這一創(chuàng)新設計不僅實現(xiàn)了無火花、無噪聲的電路切換，還從根本上避免了傳統(tǒng)繼電器中因
2025-01-08 14:12:551094
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