羅姆半導體將推出SCH2090ke型漏源極電壓可達1200V的MOSFET

羅姆半導體將推出的SCH2090ke是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓、低導通電阻、高速開關(guān)、實現(xiàn)整機的小型化和節(jié)能化。

?SCH2090ke封裝圖片：

?SCH2090ke尺寸圖片：

SCH2090ke尺寸圖片

SCH2090ke特性：

特長?-N-ch SiC功率MOSFET
-低導通電阻
-高溫時的導通電阻增加小
-高速開關(guān)

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MOSFET(230956) MOSFET(230956)
SCH2090ke(5886) SCH2090ke(5886)

增強型MOS管和耗盡型MOS管之間的區(qū)別

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選型手冊：VS3618AS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

2025-12-08 11:10:47

237

選型手冊：VS6604GP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配中低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(

2025-12-08 10:59:34

252

選型手冊：VS3622AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

2025-12-08 10:32:52

241

選型手冊：VS4401AKH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_

2025-12-05 11:41:32

236

選型手冊：VS3508AP P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導體推出的VS3508AP是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負電源切換、電源路徑管理等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強型功率

2025-12-05 09:51:31

284

選型手冊：VS3508AP-K P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導體推出的VS3508AP-K是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負電源切換、負載開關(guān)等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強型功率

2025-12-05 09:38:27

258

選型手冊：VS2646ACL N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=4

2025-12-04 09:43:35

202

選型手冊：VS3610AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

2025-12-04 09:22:59

258

VS3615GE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS

2025-12-03 09:53:50

217

選型手冊：VS40200AT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負載開關(guān)等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供

2025-12-03 09:48:43

296

選型手冊：VS1602GMH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負載開關(guān)等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適

2025-12-03 09:23:07

264

選型手冊：VS4610AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：

2025-12-02 09:32:01

253

選型手冊：VS4620GP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(o

2025-12-01 15:07:36

169

選型手冊：VS4401ATH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負載開關(guān)等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V

2025-12-01 11:10:07

189

選型手冊：VS3620GEMC N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{D

2025-12-01 11:02:50

237

選型手冊：VS8402ATH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

管理、高功率負載開關(guān)等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：80V，適配中壓供電場景；導通

2025-11-28 12:10:55

175

選型手冊：VS3618BE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）

2025-11-28 12:07:44

160

選型手冊：VS4620GEMC N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(

2025-11-28 12:03:51

204

選型手冊：VS3510AP P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負電壓供電場景；導通電阻（\(R_{D

2025-11-28 11:22:59

207

選型手冊：VS3618AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

開關(guān)等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_

2025-11-27 16:52:11

394

選型手冊：VS3698AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

，適用于低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、高功率負載開關(guān)等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\

2025-11-27 16:41:49

390

選型手冊：VS3633GE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

整流、負載開關(guān)等中功率領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導

2025-11-27 14:53:22

197

選型手冊：VS3618AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

大電流領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{

2025-11-26 15:21:16

231

選型手冊：VSP007P06MS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-60V，適配低壓負電壓供電場景；導通電阻（\(

2025-11-26 15:18:29

293

選型手冊：VS4020AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(o

2025-11-26 14:55:52

232

MOT3910J 雙 N 溝道增強型 MOSFET 技術(shù)解析

均有要求的場景，在小型化布局中實現(xiàn)雙路功率控制。二、核心參數(shù)與技術(shù)價值電壓電流特性：漏源電壓（VDS）最大30V，柵源電壓（VGS）最大20V；連續(xù)漏極電流（ID

2025-10-24 11:14:37

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羅姆亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化鎵及硅基器件引領功率半導體創(chuàng)新

2025 年 9 月 24 日，在 PCIM Asia Shanghai 展會現(xiàn)場，羅姆（ROHM）攜多款功率半導體新品及解決方案精彩亮相。展會上羅姆重點展示了EcoSiC?碳化硅（SiC）模塊

2025-09-29 14:35:18

12442

基本半導體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎上，通過創(chuàng)新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。

2025-09-15 16:53:03

976

派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢

1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低

2025-09-03 11:29:40

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新品 | 針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

新品針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK2B模塊，采用六單元配置，通過AQG324認證。一個模塊采用

2025-07-31 17:04:34

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瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應用

近期，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬顆，為應用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。

2025-07-16 14:08:23

1043

羅姆發(fā)布高效能100V功率MOSFET，助力AI服務器電源管理升級

近日，羅姆半導體集團(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET，專為AI服務器的48V電源熱插拔電路設計。旨在提升數(shù)據(jù)中心的效率和可靠性，滿足日益增長的人工智能計算需求。根據(jù)羅姆的介紹

2025-06-11 10:35:57

903

聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET

，聞泰科技半導體業(yè)務近期推出領先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業(yè)注入強勁新動能。

2025-05-14 17:55:02

1060

納微半導體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準，以滿足最嚴苛汽車及工業(yè)應用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應用的IEC合規(guī)性。

2025-05-14 15:39:30

1341

基本半導體推出新一代碳化硅MOSFET

近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等

2025-05-09 11:45:40

1018

AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET，專為高功率應用能效優(yōu)化而生

（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品，旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品在高負載條件下能夠保持較低導通損耗的同時，其開關(guān)品質(zhì)因數(shù)

2025-05-07 10:56:10

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龍騰半導體推出1200V 50A IGBT

在功率器件快速發(fā)展的當下，如何實現(xiàn)更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋，成為行業(yè)關(guān)注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系統(tǒng)化設計能力，為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅(qū)動力。

2025-04-29 14:43:47

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