英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲(chǔ)器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項(xiàng)，為各類(lèi)嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲(chǔ)支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:01
36 探索FM24V05：高性能I2C F - RAM的卓越之選 在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，存儲(chǔ)器的選擇至關(guān)重要，它直接關(guān)系到系統(tǒng)的性能、可靠性和使用壽命。今天，我們將深入探討一款出色的串行存儲(chǔ)器
2025-12-31 16:40:23730 探索Atmel AT27BV010：高性能OTP EPROM的卓越之選 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，選擇合適的只讀存儲(chǔ)器（ROM）至關(guān)重要。Atmel AT27BV010作為一款高性能、低功耗、低電壓
2025-12-31 16:10:0988 FM25L04B：高性能4-Kbit串行F-RAM的卓越之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，非易失性存儲(chǔ)器的選擇至關(guān)重要，它直接影響著系統(tǒng)的性能、可靠性和使用壽命。今天，我們來(lái)深入了解一款備受關(guān)注的產(chǎn)品
2025-12-31 16:05:1888 探索Atmel AT27C256R：高性能OTP EPROM的卓越之選 在電子工程師的設(shè)計(jì)工具箱中，尋找一款可靠、高效且性能卓越的存儲(chǔ)器至關(guān)重要。Atmel AT27C256R作為一款低功耗、高性能
2025-12-25 17:10:19315 的 NVMeRAID0 橫向擴(kuò)展能力，通過(guò)多通道NVMe控制器并行訪問(wèn)多個(gè)SSD，實(shí)現(xiàn)以下技術(shù)特性：
?多 SSD 帶寬聚合，讀寫(xiě)性能接近線性提升
?跨盤(pán)條帶（Striping）調(diào)度優(yōu)化，減少跨盤(pán)等待
2025-12-19 18:45:35
CW32F030 的 FLASH 存儲(chǔ)器支持擦寫(xiě) PC 頁(yè)保護(hù)功能。
當(dāng)用戶(hù)程序運(yùn)行 FLASH 時(shí)，如果當(dāng)前程序指針 PC 正好位于待擦寫(xiě)的 FLASH 地址頁(yè)范圍內(nèi)，則該擦寫(xiě)操作失敗，同時(shí)
2025-12-11 07:38:50
探索DLP4621-Q1：汽車(chē)外部照明的高性能解決方案 在汽車(chē)電子領(lǐng)域，照明系統(tǒng)的性能和創(chuàng)新一直是關(guān)注的焦點(diǎn)。DLP4621-Q1作為一款適用于汽車(chē)外部照明的數(shù)字微鏡器件，為汽車(chē)前照燈系統(tǒng)
2025-12-10 16:14:06424 
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類(lèi)嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置的監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)會(huì)通過(guò)“本地存儲(chǔ) + 遠(yuǎn)程備份”的雙層架構(gòu)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)留存，再通過(guò)“裝置本地基礎(chǔ)分析 + 上位機(jī) / 云端深度分析” 的分級(jí)模式完成數(shù)據(jù)解讀，整體流程符合 GB/T
2025-12-05 17:58:363240 
概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶(hù)使用，可用來(lái)存儲(chǔ)應(yīng)用程序和用戶(hù)數(shù)據(jù)。
芯片支持對(duì) FLASH 存儲(chǔ)器的讀、擦除和寫(xiě)操作，支持擦寫(xiě)保護(hù)和讀保護(hù)。
芯片內(nèi)置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
存儲(chǔ)技術(shù)，云海AI存儲(chǔ)不采用 PMEM 硬件，具備更強(qiáng)通用性的同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了更低存儲(chǔ)成本。 IO500是全球高性能計(jì)算HPC領(lǐng)域最權(quán)威、最具影響力的存儲(chǔ)系統(tǒng)性能評(píng)測(cè)標(biāo)準(zhǔn)之一，評(píng)測(cè)維度涵蓋了高性能存儲(chǔ)系統(tǒng)的多個(gè)關(guān)鍵能力，包括帶寬性能、元數(shù)據(jù)性能、混合負(fù)載、并行性和
2025-11-27 14:51:40277 
功耗。
4. 高集成度
內(nèi)置Flash存儲(chǔ)器（程序存儲(chǔ)）和SRAM（數(shù)據(jù)存儲(chǔ)），減少對(duì)外部存儲(chǔ)器的依賴(lài)。
集成電源管理單元（PMU），支持寬電壓工作范圍（如1.8V~5.5V）。
部分型號(hào)集成硬件加密模塊
2025-11-26 06:33:59
在各類(lèi)存儲(chǔ)設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275 安森美 (onsemi) CAT24C32B電子擦除可編程只讀存儲(chǔ)器是一種32KB設(shè)備，支持標(biāo)準(zhǔn) (100kHz)、快速 (400kHz) 和快速+ (1MHz) I^2^C協(xié)議。該EEPROM
2025-11-25 09:42:51297 
型號(hào)：FZH120C廠商：深圳市方中禾科技有限公司（Premier Chip Limited）FZH120C是一種存儲(chǔ)器交換LED顯示控制的驅(qū)動(dòng)芯片，可以選擇多重的ROW/COM模式（32ROW
2025-11-21 09:18:03
智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和端側(cè)AI應(yīng)用快速發(fā)展，PSRAM偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，正成為越來(lái)越多嵌入式系統(tǒng)的優(yōu)選方案，如何選擇一個(gè)高性能、小尺寸與低功耗的psram芯片是一個(gè)值得思考的問(wèn)題。由EMI自主研發(fā)
2025-11-18 17:24:35255 片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置的暫態(tài)數(shù)據(jù)補(bǔ)傳通過(guò) 本地緩存存儲(chǔ)、觸發(fā)條件識(shí)別、協(xié)議級(jí)斷點(diǎn)續(xù)傳、數(shù)據(jù)完整性校驗(yàn) 等多重機(jī)制協(xié)同實(shí)現(xiàn)，確保通信中斷期間的高頻暫態(tài)波形（如短路、雷擊等事件數(shù)據(jù)）在網(wǎng)絡(luò)恢復(fù)后完整、準(zhǔn)確
2025-11-09 16:43:521103 后視鏡折疊器是汽車(chē)兩側(cè)可收縮的后視鏡裝置，分為手動(dòng)和電動(dòng)兩種類(lèi)型。該裝置主要用于車(chē)輛通過(guò)狹窄路段或停靠時(shí)節(jié)省空間，避免因外部沖擊造成鏡體損壞。其折疊功能提升車(chē)輛通過(guò)性，減少泊位空間占用。微碩
2025-11-07 14:18:20392 
在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴(lài)的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 、BBSRAM、NVSRAM及NOR存儲(chǔ)器件，專(zhuān)為應(yīng)對(duì)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式系統(tǒng)及高性能存儲(chǔ)應(yīng)用的嚴(yán)苛需求而設(shè)計(jì)。旨在通過(guò)其高性能、高可靠性及廣泛的適用性，為下一代存儲(chǔ)架構(gòu)提供支撐。
2025-11-05 15:31:48285 SSD 性能強(qiáng)化 ：選擇讀寫(xiě)速度≥500MB/s 的工業(yè)級(jí) SSD（如三星 870 QVO 工業(yè)版），其隨機(jī)寫(xiě)入性能（4K QD16）可達(dá) 20K IOPS 以上，可支撐每周波 1024 點(diǎn)采樣的高并發(fā)寫(xiě)入需求。 外接存儲(chǔ)擴(kuò)展 ：通過(guò) USB 3.2 Gen2 或 SATA 接口連接獨(dú)立存儲(chǔ)設(shè)備（如西部
2025-11-05 14:45:16184 在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為眾多高性能存儲(chǔ)解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28280 外部 UPS（不間斷電源）在電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置中的核心作用是 **“市電異常時(shí)無(wú)縫切換供電，確保裝置不掉電、數(shù)據(jù)不中斷”**—— 通過(guò)內(nèi)置蓄電池組存儲(chǔ)電能，在市電正常時(shí)穩(wěn)壓供電并充電，市電掉電
2025-11-05 11:02:50240 大家好，本團(tuán)隊(duì)此次分享的內(nèi)容為可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)全復(fù)用高性能池化層設(shè)計(jì)思路，核心部分主要由以下3個(gè)部分組成；
1.SRAM讀取模塊；——池化使用的存儲(chǔ)為SRAM
基于SRAM讀與寫(xiě)時(shí)序，約束池化模塊讀與寫(xiě)
2025-10-29 07:10:56
在需要高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹(shù)立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 和0x90000000起始的64k空間范圍內(nèi)時(shí)，內(nèi)核會(huì)訪問(wèn)ITCM和DTCM；如果不在上述空間范圍內(nèi)，內(nèi)核會(huì)通過(guò)sysmem接口訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器。這里通過(guò)sysmem接口擴(kuò)展內(nèi)存空間是簡(jiǎn)單方便的方法。
2025-10-24 08:12:53
QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲(chǔ)功能的高效芯片。QSPI（四線串行外設(shè)接口）是一種高速串行通信接口，用于連接外部設(shè)備；而PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）則結(jié)合了快速隨機(jī)訪問(wèn)與動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)的特性。
2025-10-23 15:40:17379 PSRAM之所以被稱(chēng)為"偽靜態(tài)"存儲(chǔ)器，主要是因?yàn)槠洳捎妙?lèi)SRAM的接口協(xié)議：只需要提供地址和讀寫(xiě)命令就可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存取，無(wú)需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00296 構(gòu)建。ATSAM4C32的最大工作速度為120MHz，具有2MB嵌入式閃存、304KB SRAM，以及每個(gè)內(nèi)核一個(gè)片上緩存。雙Arm Cortex-M4架構(gòu)支持在單個(gè)器件中集成應(yīng)用層、通信層和安全功能，能夠通過(guò)16位外部總線接口擴(kuò)展程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2025-10-14 16:08:36384 
外部flash或者內(nèi)置的片上flash，都是編譯器通過(guò)調(diào)用寫(xiě)好的FLM文件來(lái)實(shí)現(xiàn)下載，單片機(jī)內(nèi)部的安裝pack包就會(huì)有（官方實(shí)現(xiàn)），外部flash的情況比較復(fù)雜，例如用的哪種flash，用的什么接口，都是不定的，沒(méi)有辦法寫(xiě)好一個(gè)通用的下載算法，這里也只是介紹一個(gè)通用的方法，實(shí)際需要按情況修改。
2025-10-09 17:38:541349 
游戲數(shù)據(jù)庫(kù)對(duì)速度、可靠性和可擴(kuò)展性有極高要求。隨著在線游戲的發(fā)展，開(kāi)發(fā)者越來(lái)越依賴(lài)NVMe SSD存儲(chǔ)來(lái)提供服務(wù)器租用和服務(wù)器托管解決方案。本文將指導(dǎo)您了解為游戲數(shù)據(jù)庫(kù)選擇高性能NVMe SSD存儲(chǔ)
2025-09-30 16:03:57933 橫河GP10/GP20便攜式無(wú)紙記錄儀通過(guò)內(nèi)部存儲(chǔ)器與外部存儲(chǔ)介質(zhì)結(jié)合的方式實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)冗余，確保測(cè)量數(shù)據(jù)的安全性和可訪問(wèn)性。外部存儲(chǔ)介質(zhì)的具體使用需參考設(shè)備接口規(guī)格，通常支持USB閃存盤(pán)或外部硬盤(pán)等常見(jiàn)存儲(chǔ)設(shè)備，用戶(hù)可通過(guò)觸摸屏操作將數(shù)據(jù)直接導(dǎo)出至外部介質(zhì)。
2025-09-07 14:54:57700 
近日，曙光存儲(chǔ)支持西湖大學(xué)高性能計(jì)算中心部署完成全新存儲(chǔ)系統(tǒng)，為AI研發(fā)、科學(xué)計(jì)算和信息化平臺(tái)等提供存力支持。性能實(shí)測(cè)顯示，該系統(tǒng)單節(jié)點(diǎn)帶寬可達(dá)150GB/s，是國(guó)際友商的近4倍，充分滿足AI科研需求，超額完成交付目標(biāo)。
2025-08-25 11:48:561066 在萬(wàn)物互聯(lián)與智能終端飛速發(fā)展的時(shí)代，存儲(chǔ)器件的性能、可靠性與小型化成為設(shè)備創(chuàng)新的關(guān)鍵支撐。RSUNTECH重磅推出的RSUN2M串行閃存存儲(chǔ)器，以卓越性能、極致設(shè)計(jì)與全面保障，為各類(lèi)智能設(shè)備注入高效
2025-08-19 15:23:271742 
的深海，揭開(kāi)那些隱藏在高性能計(jì)算背后的神秘面紗。1.取指令（Fetch）程序計(jì)數(shù)器（PC）：CPU通過(guò)程序計(jì)數(shù)器獲取下一條指令的內(nèi)存地址。指令讀?。簭?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器或緩存中讀
2025-08-13 11:58:55612 
HPM6200EVK是上海先楫半導(dǎo)體推出的基于RISC-V架構(gòu)的高性能微控制器評(píng)估板，專(zhuān)為HPM6200系列MCU設(shè)計(jì)，主頻達(dá)600 MHz，能助力快速開(kāi)發(fā)電機(jī)控制、工業(yè)自動(dòng)化等高性能嵌入式
2025-08-11 09:15:59
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 SSD2351芯片：高性能存儲(chǔ)控制器的技術(shù)解析** ? SSD2351是一款由行業(yè)領(lǐng)先廠商推出的高性能固態(tài)硬盤(pán)（SSD）主控芯片，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心、企業(yè)存儲(chǔ)和高性能計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)
2025-07-15 14:50:20455 和128Mb，采用BGA24L超薄封裝，同時(shí)也支持KGD產(chǎn)品形式。該系列產(chǎn)品可為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、穿戴電子產(chǎn)品和端側(cè)AI產(chǎn)品打造高性能存儲(chǔ)解決方案。 紫光國(guó)芯 PSRAM產(chǎn)品在進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)芯片尺寸緊湊的同時(shí)，將產(chǎn)品速度提升至1066Mbps，可實(shí)現(xiàn)最高17.06Gb/s的大帶寬性能，為客戶(hù)提供更高性?xún)r(jià)比
2025-07-01 16:42:501443 處理器芯片nRF5340設(shè)計(jì)的緊湊型模塊——PTR5302。這款模塊具有高性能、低功耗、雙內(nèi)核的特點(diǎn)，將為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用帶來(lái)更加強(qiáng)大的無(wú)線連接能力和更高的性能表現(xiàn)。PTR5302采用了Nordic的超低
2025-06-28 21:42:03
?：通過(guò)簡(jiǎn)單的外部電阻設(shè)置，即可實(shí)現(xiàn)輸出電壓的調(diào)整，滿足不同系統(tǒng)的電壓需求。
強(qiáng)大的保護(hù)功能
?短路和熱保護(hù)?：SL3065內(nèi)置短路和熱保護(hù)電路，有效提升了系統(tǒng)的可靠性，防止因異常情況導(dǎo)致的損壞
2025-06-17 15:50:50
時(shí)間和離散時(shí)間∑-Δ型ADC不僅受到與采樣相關(guān)的抖動(dòng)的影響，其反饋環(huán)路也可能受到抖動(dòng)的嚴(yán)重干擾。離散時(shí)間和連續(xù)時(shí)間調(diào)制器中DAC元件的線性度是實(shí)現(xiàn)高性能的關(guān)鍵。通過(guò)與運(yùn)算放大器(opamp)并聯(lián)可以
2025-06-05 11:20:18
CSS6404LS-LI通過(guò) >500MB/s帶寬、105℃高溫運(yùn)行及μA級(jí)休眠功耗三重突破，成為高清語(yǔ)音設(shè)備的理想存儲(chǔ)器
2025-06-04 15:45:23566 
ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號(hào)DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN通信端口，支持
2025-05-12 16:08:28889 
? ? ? ?MCU的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)通過(guò)整合不同性能與功能的存儲(chǔ)單元，優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場(chǎng)景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次： 一、寄存器層（最高速） 定位?：集成于CPU內(nèi)核中，直接參與運(yùn)算
2025-05-09 10:21:09618 本文主要介紹了醫(yī)療器械專(zhuān)用集成化高性能TSIF集成濾波器。隨著醫(yī)療衛(wèi)生服務(wù)體系的發(fā)展，醫(yī)療器械不斷更新迭代，預(yù)計(jì)至2027年，醫(yī)療設(shè)備投資規(guī)模將穩(wěn)健增長(zhǎng)25%以上。為適應(yīng)智能化、5G遠(yuǎn)程醫(yī)療、微型化
2025-05-07 17:21:54
0 CYPD3177-24LQXQT 是否實(shí)現(xiàn)內(nèi)部存儲(chǔ)器？（例如 內(nèi)存）？
BCR 數(shù)據(jù)表中似乎沒(méi)有提及這一點(diǎn)。
2025-05-07 07:23:10
STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲(chǔ)器（保存FSBL和app），因?yàn)閑MMC不支持內(nèi)存映射，那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時(shí)地址選擇哪里？還有
2025-04-28 08:02:23
高性能運(yùn)算放大器SC7301替換AD811醫(yī)療超聲波應(yīng)用方案
2025-04-27 09:47:31600 
ZYSJ-2476B 高性能智能主板，采用瑞芯微 RK3576 高性能 AI 處理器、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器 NPU，
Android 14.0/debian11/ubuntu20.04 操作系統(tǒng)
2025-04-23 10:55:27
STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲(chǔ)器（保存FSBL和app），因?yàn)閑MMC不支持內(nèi)存映射，那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時(shí)地址選擇哪里？還有
2025-04-22 11:31:33
UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法，閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)與使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法， 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
3.3 存儲(chǔ)器映射 前文所述，寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲(chǔ)設(shè)備。那么，當(dāng)我們需要訪問(wèn)它們的時(shí)候，我們需要知道它們的存儲(chǔ)地址。 3.3.1 存儲(chǔ)器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:091376 
非易失性存儲(chǔ)器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 單片機(jī)與存儲(chǔ)器的關(guān)系像什么？單片機(jī)里的存儲(chǔ)都是一樣的嗎？為什么有的單片機(jī)既有EEPROM又有Flash？
2025-04-10 10:06:011434 
貝嶺（BELLING）作為知名的電子元件制造商，始終致力于為市場(chǎng)提供高性能、高可靠性的集成電路解決方案。BL24CM1A-PARC是貝嶺公司推出的一款高性能EEPROM存儲(chǔ)器，憑借其低功耗、高集成度
2025-04-09 15:47:21692 和音頻應(yīng)用提供了有效的解決方案。 *附件：支持DDR存儲(chǔ)器、內(nèi)置充電器和RTC的RAA215300高性能9通道PMIC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 輸入工作
2025-04-09 15:31:25657 
便攜式醫(yī)療鐵電存儲(chǔ)器SF25C20(FM25V20A)的替換方案
2025-04-07 09:46:03626 
人工智能與高性能計(jì)算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長(zhǎng)的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)的新興存儲(chǔ)技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411709 、可編程增益放大器PGA、模擬比較器ACMP、溫度傳感器。
其中12bitA/D轉(zhuǎn)換器可以
于采集外部傳感器信號(hào)，降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)成本。
芯片內(nèi)集成的溫度傳感器則可實(shí)現(xiàn)對(duì)外部環(huán)境溫度實(shí)時(shí)監(jiān)控。集
成看門(mén)狗定時(shí)器
2025-03-31 10:35:37
高性能可編程交流電源在醫(yī)療設(shè)備測(cè)試中扮演著關(guān)鍵角色，主要用于模擬真實(shí)電網(wǎng)環(huán)境、驗(yàn)證設(shè)備安全性和可靠性，并滿足嚴(yán)格的醫(yī)療行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（如IEC60601、ANSI/AAMIES60601等）。醫(yī)療設(shè)備電源
2025-03-28 11:37:11623 
替換FM25V20A醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備可使用鐵電存儲(chǔ)器SF25C20
2025-03-28 10:31:41717 
RZ/T2L 是一款高性能 MPU，可通過(guò) EtherCAT 實(shí)現(xiàn)高速、高精度的實(shí)時(shí)控制。 RZ/T2L 搭載最大頻率為 800MHz 的 Arm? Cortex?-R52 內(nèi)核以及與 CPU 緊密
2025-03-14 15:07:56907 
本書(shū)主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
性鐵電存儲(chǔ)器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應(yīng)用介紹
2025-03-06 10:06:581473 
鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析
2025-03-03 10:25:451304 DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡(jiǎn)稱(chēng)DS199x）是堅(jiān)固的讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫(kù)，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲(chǔ)器和可選的計(jì)時(shí)功能為存儲(chǔ)和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06821 
鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 多相電源因其高效率、高功率密度、優(yōu)秀的熱管理和快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)等優(yōu)勢(shì)，在多個(gè)行業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用，比如：高性能計(jì)算（HPC）、通信基站、智能駕駛、ASIC 或處理器的內(nèi)核電源以及服務(wù)器的存儲(chǔ)器應(yīng)用等。
2025-02-24 10:34:221868 
MHz，提供強(qiáng)大的處理能力，適用于高性能應(yīng)用場(chǎng)景?。
2、大容量存儲(chǔ)器?：具有2 MB的雙區(qū)Flash存儲(chǔ)器和1 MB的RAM，包括192 KB的TCM RAM、864 KB的用戶(hù)SRAM和4 KB
2025-02-21 14:59:12
? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn)，并分析
2025-02-14 10:24:401444 
MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46
MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:42:49
? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置（存儲(chǔ)器），其特點(diǎn)是在沒(méi)有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲(chǔ)器的類(lèi)型、特點(diǎn)及用途。 什么是非易失性存儲(chǔ)器
2025-02-13 12:42:142470 
數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲(chǔ)器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54
產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），專(zhuān)為高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理而設(shè)計(jì)。該器件具有快速的訪問(wèn)時(shí)間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10
產(chǎn)品概述Adesto AT45DB321E 是一款高性能的串行閃存存儲(chǔ)器，具有 32Mb 的存儲(chǔ)容量，采用 SPI 接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。該產(chǎn)品專(zhuān)為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供快速的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)能力
2025-02-09 22:26:30
MX25U12832FMI02 產(chǎn)品概述MX25U12832FMI02 是由 Macronix 生產(chǎn)的一款高性能 NOR Flash 存儲(chǔ)器，專(zhuān)為需要大容量存儲(chǔ)和快速讀取的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該
2025-02-09 10:21:26
NAND Flash 存儲(chǔ)器，專(zhuān)為移動(dòng)設(shè)備和嵌入式應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有高存儲(chǔ)密度和優(yōu)越的讀寫(xiě)性能，目前市場(chǎng)上有 4,000 個(gè) MT29F8G08ABBCAH4
2025-02-09 09:59:55
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類(lèi)。按照存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類(lèi)。
2025-02-08 11:24:513961 
在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）與只讀存儲(chǔ)器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲(chǔ)器的技術(shù)特性、分類(lèi)及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲(chǔ)器的歸屬問(wèn)題，即它是否屬于RAM或ROM，同時(shí)詳細(xì)闡述閃速存儲(chǔ)器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 存儲(chǔ)器則通過(guò)引入創(chuàng)新的擦除編程電路技術(shù)和高速靈敏度放大器，實(shí)現(xiàn)了對(duì)所有存儲(chǔ)單元的同時(shí)、快速擦除。這種高效的擦除速度，使得閃速存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)更新和維護(hù)方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，因此被形象地稱(chēng)為“閃速”。
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤(pán)，作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見(jiàn)應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001452 高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說(shuō)的主存儲(chǔ)器（RAM）有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中，Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間，用于存儲(chǔ)CPU近期訪問(wèn)過(guò)的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問(wèn)速度。
2025-01-29 11:48:003395 ，具有非常低的系統(tǒng)應(yīng)用成本，內(nèi)部集成的 NVM 存儲(chǔ)器自動(dòng)完成數(shù)據(jù)的裝載與發(fā)射，不需要外部 MCU，僅少量外圍無(wú)源器件即可組成一個(gè)有源 RFID 無(wú)線數(shù)據(jù)收發(fā)系統(tǒng)。NVM 存儲(chǔ)器可以存儲(chǔ)寄存器配置
2025-01-24 10:48:52
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-881: 通過(guò)LIN—協(xié)議4進(jìn)行Flash/EE存儲(chǔ)器編程.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-14 16:12:440 彈性云服務(wù)器通過(guò)多種存儲(chǔ)方式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和文件，包括云硬盤(pán)、對(duì)象存儲(chǔ)服務(wù)、分布式文件系統(tǒng)和數(shù)據(jù)庫(kù)服務(wù)。云硬盤(pán)提供高性能的塊存儲(chǔ)，適用于需要頻繁讀寫(xiě)的場(chǎng)景；對(duì)象存儲(chǔ)適合大量非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如圖片、視頻
2025-01-13 09:50:27759 舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)有哪些？
2025-01-10 09:12:15901 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-162：通過(guò)外部存儲(chǔ)器總線將ADSP-BF535 Blackfin處理器與高速轉(zhuǎn)換器連接.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:24:490 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-271: 高速緩沖存儲(chǔ)器在Blackfin處理器中的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:18:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220：將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 16:12:110 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-286：SDRAM存儲(chǔ)器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 15:47:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-213：Blackfin處理器通過(guò)異步存儲(chǔ)器接口進(jìn)行主機(jī)通信.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 10:09:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-181：通過(guò)外部存儲(chǔ)器總線將ADSP-BF535 Blackfin處理器與單芯片CIF數(shù)碼相機(jī)OV6630連接.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 09:49:160
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論