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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
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ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲(chǔ)技術(shù),因?yàn)樗且环N高性能存儲(chǔ)器(可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM),可擴(kuò)展至10nm以下,并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋...
?Everspin和Globalfoundries將其MRAM協(xié)議擴(kuò)展到12nm工藝
MRAM是基于電子自旋而不是電荷的下一代存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM通常被稱為存儲(chǔ)器的圣杯,具有快速,高密度和非易失性的特點(diǎn),可以在單個(gè)芯片中替代當(dāng)今使用的所有類(lèi)...
在不久的將來(lái),我們將看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出現(xiàn)在諸如物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、微控制器(MCU)、汽車(chē)、邊緣運(yùn)算和人工智能(AI)等應(yīng)用中。...
2020-03-25 標(biāo)簽:MRAM 770 0
everspin生態(tài)系統(tǒng)和制造工藝創(chuàng)新
Everspin與GlobalFoundries有著悠久的合作歷史,而且十多年來(lái),通過(guò)不斷改進(jìn),對(duì)其工廠進(jìn)行微調(diào)優(yōu)化。能迅速積累并將這些經(jīng)驗(yàn)傳授給Glo...
格芯表示要做MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者 以推動(dòng)潛在的新計(jì)算架構(gòu)等新技術(shù)發(fā)展
2018年8月份AMD宣布將7nm CPU訂單全都交給臺(tái)積電,雙方的合作關(guān)系這兩年非常密切。與之相比,AMD的前女友GF公司現(xiàn)在與X86 CPU代工漸行...
Globalfoundries提供eMRAM 計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)流片
Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術(shù),該公司正在與幾個(gè)客戶合作,計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)流片。
臺(tái)工研院MRAM技術(shù),比臺(tái)積電和三星更穩(wěn)定
臺(tái)工業(yè)技術(shù)研究院10日于美國(guó)舉辦的國(guó)際電子元件會(huì)議(IEDM)中發(fā)表鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)、磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)等6篇技術(shù)論文。其中,從研究成...
電子存儲(chǔ)器迎來(lái)革新,RRAM和MRAM的優(yōu)勢(shì)是什么
在最近的一年,固態(tài)硬盤(pán)和內(nèi)存的漲勢(shì)卻是讓很多廠商都掙得盆滿缽滿的,就連美光也一反頹勢(shì),取得了相當(dāng)不錯(cuò)的成績(jī)。
隨著制造成本下降以及其他存儲(chǔ)器技術(shù)面臨可擴(kuò)展性挑戰(zhàn),嵌入式MRAM正在獲得更多考慮。
28nm節(jié)點(diǎn)可能是eFlash最后一個(gè)經(jīng)濟(jì)高效的節(jié)點(diǎn) 格芯欲用22FDXeMRAM技術(shù)取代
格芯的戰(zhàn)略是為快速增長(zhǎng)市場(chǎng)中的客戶提供高度差異化、高附加值的解決方案,而踐行這一承諾的實(shí)際成果就是我們的22nmFD-SOI(22FDX)嵌入式MRAM...
下一代非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模在5年內(nèi)翻至26倍
在美國(guó)舉行的“MRAM開(kāi)發(fā)者日”活動(dòng)上,Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術(shù)和市場(chǎng)的最新趨勢(shì)。
未來(lái)五年預(yù)計(jì)上漲40倍的MRAM,正在收割下一代非易失性存儲(chǔ)市場(chǎng)?
8月5日,在美國(guó)舉行的MRAM開(kāi)發(fā)者日活動(dòng)上,Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術(shù)和市場(chǎng)的最新趨勢(shì)...
人工智能與大數(shù)據(jù)對(duì)芯片的處理能力提出了越來(lái)越嚴(yán)苛的要求,芯片的運(yùn)算能力和存儲(chǔ)能力正在成為瓶頸,這也是各家半導(dǎo)體公司競(jìng)相開(kāi)發(fā)新的硬件平臺(tái)、計(jì)算架構(gòu)與設(shè)計(jì)路...
三星大規(guī)模量產(chǎn)下一代內(nèi)存芯片MRAM,更凸顯互補(bǔ)優(yōu)勢(shì)
據(jù)報(bào)道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上,開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
新興記憶體已初露曙光 長(zhǎng)期或影響DRAM、NAND閃存?
依據(jù)von Neumann架構(gòu),計(jì)算機(jī)中記憶體和控制單元是分離的,這也是目前計(jì)算機(jī)及相關(guān)的半導(dǎo)體零件制造的指導(dǎo)方針。但是在目前海量資料的處理與儲(chǔ)存上,這...
內(nèi)存市場(chǎng)轉(zhuǎn)向成效浮現(xiàn) 三星、Intel促嵌入式MRAM普及
在內(nèi)存市場(chǎng),業(yè)界普遍認(rèn)為,在前沿SoC(片上系統(tǒng))和大規(guī)模微控制器(MCU)中的邏輯嵌入式非易失性存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)可謂非常活躍。到目前為止,處理器內(nèi)核的程序...
三星開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)MRAM記憶體,結(jié)合DRAM和NAND閃存特性
三星已將下一代嵌入式半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品MRAM納入生產(chǎn)制造范疇,并在韓國(guó)器興廠區(qū)率先進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。MRAM號(hào)稱是次世代記憶體,是繼半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM和...
MRAM的嵌入式和獨(dú)立式存儲(chǔ)器會(huì)開(kāi)始分流
幾乎所有的新興存儲(chǔ)器出道時(shí)都宣稱與CMOS工藝兼容,意思是可以做邏輯工藝的嵌入式存儲(chǔ)器。
強(qiáng)化嵌入式MRAM技術(shù)發(fā)展 開(kāi)拓多元需求帶動(dòng)市場(chǎng)起飛
在商品化方面,目前MRAM已發(fā)展到第三代,具有非揮發(fā)性、讀寫(xiě)速度快、能耗低、制程仍有持續(xù)微縮空間等優(yōu)點(diǎn)。就產(chǎn)品發(fā)展上,MRAM可分為獨(dú)立式(stand-...
MRAM存儲(chǔ)器在未來(lái)將得到更多的應(yīng)用
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,可與其他的NVM技術(shù)相媲美,如閃存,英特爾的Optane,以及FRAM和RRAM (圖1)。每種NVM都有自己的優(yōu)缺點(diǎn)。雖...
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