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MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。

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電子存儲器迎來革新，RRAM和MRAM的優(yōu)勢是什么

在最近的一年，固態(tài)硬盤和內存的漲勢卻是讓很多廠商都掙得盆滿缽滿的，就連美光也一反頹勢，取得了相當不錯的成績。

2019-11-12 標簽：MRAM RRAM 1.2萬 0

嵌入式MRAM有什么解決方案

隨著制造成本下降以及其他存儲器技術面臨可擴展性挑戰(zhàn)，嵌入式MRAM正在獲得更多考慮。

2019-09-16 標簽：嵌入式 MRAM 1.1k 0

28nm節(jié)點可能是eFlash最后一個經(jīng)濟高效的節(jié)點格芯欲用22FDXeMRAM技術取代

格芯的戰(zhàn)略是為快速增長市場中的客戶提供高度差異化、高附加值的解決方案，而踐行這一承諾的實際成果就是我們的22nmFD-SOI（22FDX）嵌入式MRAM...

2019-09-04 標簽：eFlash MRAM 格芯 8.8k 0

下一代非易失性存儲器市場規(guī)模在5年內翻至26倍

在美國舉行的“MRAM開發(fā)者日”活動上，Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術和市場的最新趨勢。

2019-08-15 標簽：存儲器 MRAM 3.4k 0

未來五年預計上漲40倍的MRAM，正在收割下一代非易失性存儲市場？

8月5日，在美國舉行的MRAM開發(fā)者日活動上，Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術和市場的最新趨勢...

2019-08-08 標簽：閃存存儲器 MRAM 1.1萬 0

新型存儲器的發(fā)展方向在哪里

人工智能與大數(shù)據(jù)對芯片的處理能力提出了越來越嚴苛的要求，芯片的運算能力和存儲能力正在成為瓶頸，這也是各家半導體公司競相開發(fā)新的硬件平臺、計算架構與設計路...

2019-08-06 標簽：芯片存儲器 MRAM 9.7k 0

三星大規(guī)模量產下一代內存芯片MRAM，更凸顯互補優(yōu)勢

據(jù)報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上，開始大規(guī)模生產和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。

2019-03-25 標簽：三星電子 MRAM 3.7k 1

新興記憶體已初露曙光長期或影響DRAM、NAND閃存？

依據(jù)von Neumann架構，計算機中記憶體和控制單元是分離的，這也是目前計算機及相關的半導體零件制造的指導方針。但是在目前海量資料的處理與儲存上，這...

2019-03-14 標簽：DRAM NAND 記憶體 6.1k 0

內存市場轉向成效浮現(xiàn) 三星、Intel促嵌入式MRAM普及

在內存市場，業(yè)界普遍認為，在前沿SoC（片上系統(tǒng)）和大規(guī)模微控制器（MCU）中的邏輯嵌入式非易失性存儲器的開發(fā)可謂非?；钴S。到目前為止，處理器內核的程序...

2019-03-13 標簽：閃存三星電子 intel 1.1萬 0

三星開始大規(guī)模生產MRAM記憶體，結合DRAM和NAND閃存特性

三星已將下一代嵌入式半導體存儲器產品MRAM納入生產制造范疇，并在韓國器興廠區(qū)率先進入大規(guī)模生產。MRAM號稱是次世代記憶體，是繼半導體存儲器DRAM和...

2019-03-06 標簽：三星電子存儲器 MRAM 7.4k 0

MRAM的嵌入式和獨立式存儲器會開始分流

幾乎所有的新興存儲器出道時都宣稱與CMOS工藝兼容，意思是可以做邏輯工藝的嵌入式存儲器。

2019-01-25 標簽：嵌入式 MRAM 5.1k 0

強化嵌入式MRAM技術發(fā)展開拓多元需求帶動市場起飛

在商品化方面，目前MRAM已發(fā)展到第三代，具有非揮發(fā)性、讀寫速度快、能耗低、制程仍有持續(xù)微縮空間等優(yōu)點。就產品發(fā)展上，MRAM可分為獨立式(stand-...

2019-01-05 標簽：存儲器 MRAM 3.9k 0

MRAM存儲器在未來將得到更多的應用

MRAM是一種非易失性存儲器，可與其他的NVM技術相媲美，如閃存，英特爾的Optane，以及FRAM和RRAM （圖1）。每種NVM都有自己的優(yōu)缺點。雖...

2018-12-22 標簽：存儲器 MRAM 5.4k 0

英特爾及三星展示嵌入式MRAM在邏輯芯片新技術

在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術。

2018-12-21 標簽：英特爾 MRAM 3.8k 0

英特爾及三星推出了嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝中的新技術

MRAM （Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機存取存儲），是一種非易失性存儲技術，從 1990 年代開始發(fā)展。此技術...

2018-12-20 標簽：英特爾嵌入式三星電子 1.4k 0

MRAM如何在嵌入式存儲器建立橋頭堡？

嵌入式存儲器是邏輯工藝中不可或缺的一環(huán)，過去卻往往讓人忽略。但是邏輯工藝推進日益艱辛，嵌入式存儲器工藝推進的難處全浮上臺面。

2018-09-07 標簽：存儲器 MRAM 4.7k 0

聯(lián)電聯(lián)手AVALANCHE 合作開發(fā)28納米MRAM技術

據(jù)臺灣經(jīng)濟日報最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉移力矩磁阻RAM）領導者美商Avalanche共同宣布，合作技術開發(fā)MRAM及相關...

2018-08-09 標簽：聯(lián)電 MRAM AVALANCHE 3.9k 0

半導體線性演進思維下的盲點

eMRAM下半年要量產了。有趣的是這些即將要量產eMRAM的代工大廠中，其MRAM技術或多或少是購并或授權而來的。

2018-06-20 標簽：半導體 MRAM 2.8k 0

MRAM進駐MCU 28nm下將無閃存

隨著越來越多具成本效益的應用選擇磁阻隨機存取內存(MRAM)，不僅為其帶來了成長動能，業(yè)界生態(tài)系統(tǒng)也開始支持這一新興內存選擇。

2018-05-15 標簽：MCU MRAM 4.6k 0

解析新型存儲介質MRAM

為什么數(shù)據(jù)沒有保存，掉電就丟失了呢？因為我們編輯文檔等操作，都是在內存中進行的。內存是揮發(fā)性介質，掉電后數(shù)據(jù)就丟失。而硬盤是非揮發(fā)性介質，數(shù)據(jù)一旦保存，...

2018-04-16 標簽：三星電子 SSD MRAM 1.5萬 0

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