SK海力士計劃推動Solidigm在美IPO

據(jù)韓國經(jīng)濟日報和科技媒體Blocks&Files的最新報道，全球半導(dǎo)體巨頭SK海力士正考慮將其NAND閃存與固態(tài)硬盤子公司Solidigm在美國...

2024-07-29 標(biāo)簽：NAND閃存固態(tài)硬盤SK海力士 1.2k 0

西部數(shù)據(jù)分拆存儲業(yè)務(wù)：閃存與傳統(tǒng)硬盤的分離

自2021年起，西部數(shù)據(jù)及合作方鎧俠一直著手探討合并事宜，以便共同掌控占據(jù)全世界NAND閃存市場三分之一份額的市場份額。然而，2023年10月的合并協(xié)商...

2024-03-06 標(biāo)簽：驅(qū)動器NAND閃存西部數(shù)據(jù) 1.2k 0

西部數(shù)據(jù)計劃剝離NAND與SSD業(yè)務(wù)，估值或達(dá)數(shù)百億美元

近日，西部數(shù)據(jù)宣布了一項重大戰(zhàn)略調(diào)整，計劃將其NAND閃存和固態(tài)硬盤（SSD）業(yè)務(wù)從現(xiàn)有架構(gòu)中剝離出來，形成兩個獨立的業(yè)務(wù)部門。此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注...

2024-08-22 標(biāo)簽：SSDNAND閃存固態(tài)硬盤 1.2k 0

TrendForce預(yù)測2025年DRAM與NAND閃存產(chǎn)業(yè)營收將創(chuàng)歷史新高

根據(jù)市場調(diào)研公司TrendForce最新公布的一份深入詳盡的研究報告，得益于對位元需求持續(xù)攀升，市場供求狀況得到顯著改善從而帶動產(chǎn)品價格穩(wěn)步上升，再加上...

2024-07-24 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存HBM 1.2k 0

鎧俠2023財年營收10766億日元，同比下滑16%，連續(xù)兩年虧損

　由于產(chǎn)品平均售價大幅度下滑，鎧俠在2023財政年度錄得凈虧損高達(dá)2437億日元（約合人民幣113.32億元），較去年同期擴大了105.6%，凈虧損率高...

2024-05-16 標(biāo)簽：操作系統(tǒng)NAND閃存固態(tài)硬盤 1.2k 0

三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)

近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。

2024-04-23 標(biāo)簽：NAND閃存PCIe固態(tài)硬盤 1.2k 0

SK海力士將在2025年底量產(chǎn)400+層堆疊NAND

近日，韓國權(quán)威媒體ETNews爆出猛料，SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進(jìn)程，并且已經(jīng)設(shè)定了明確的發(fā)展時間表——計劃在2025年底之前...

2024-08-01 標(biāo)簽：NAND閃存SK海力士 1.2k 0

江波龍子公司確認(rèn)參展2024臺北國際電腦展

元信電子將展示江波龍的多種企業(yè)級存儲解決方案，如96GB DDR5 RDIMM內(nèi)存條以及采用國產(chǎn)128層TLC NAND閃存顆粒的ORCA 4836/U...

2024-05-27 標(biāo)簽：NAND閃存固態(tài)硬盤江波龍 1.2k 0

三星承諾持續(xù)深耕中國市場，致力于成為中國人民首選的企業(yè)

早前有報道指出，三星正積極擴大在華手機產(chǎn)能，JDM產(chǎn)品產(chǎn)量由4400萬臺增至6700萬臺，全球手機生產(chǎn)目標(biāo)亦由原先的2.53億臺調(diào)升至2.7億臺，其中2...

2024-05-27 標(biāo)簽：NAND閃存折疊屏手機三星 1.2k 0

Q313 NAND閃存需求或低于預(yù)期

據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱，由于高端智能手機的銷量疲軟，導(dǎo)致第三季度對NAND閃存的需求可能會弱于預(yù)期。 7月份NAND的價格下降了5%左右，并可能在8到9月份繼續(xù)下降。

2013-07-30 標(biāo)簽：智能手機SSDNAND閃存 1.2k 0

傳蘋果已暫停采用長江存儲NAND閃存芯片的計劃

10月17日消息，據(jù)《日經(jīng)新聞》報道，雖然蘋果此前已確認(rèn)正在測試在iPhone產(chǎn)品中導(dǎo)入中國長江存儲（YMTC）的NAND Flash閃存芯片，但是現(xiàn)在...

2022-10-25 標(biāo)簽：芯片NAND閃存長江存儲 1.2k 0

三星喊NAND季季漲價20% 幅度超預(yù)期有利群聯(lián)、威剛等運營

　據(jù)多名半導(dǎo)體業(yè)界消息人士稱，三星繼本季度將nand閃存價格上調(diào)10至20%后，決定明年第一季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand...

2023-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子NAND閃存 1.2k 0

存儲技術(shù)革新之戰(zhàn) 閃存與內(nèi)存巨頭競相突破

三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達(dá)到1b nm級別，并計劃在今年內(nèi)啟動1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。

2024-04-16 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND閃存 1.2k 0

東芝首款64層3D NAND SSD——TR200上市

近日，東芝首款64層3D NAND SSDTR200 SATA固態(tài)硬盤系列正式上市。TR200系列可提供給個人電腦和筆記本電腦更強的性能表現(xiàn)，并且滿足用...

2017-10-31 標(biāo)簽：東芝NAND閃存 1.2k 0

長江存儲在美起訴美光 指控侵犯8項3D NAND專利

長江存儲在專利侵害訴訟場主張說：“此次訴訟是為了中斷美光公司廣泛而無許可地使用長江低利的專利革新?！遍L江存儲訴訟稱，美光使用長江存儲的專利技術(shù)，從與長江...

2023-11-12 標(biāo)簽：美光NAND閃存長江存儲 1.2k 0

2017年全球存儲器市場預(yù)估同比增長10%

IC Insights預(yù)計2017年存儲器價格還將上漲，從而推動全球存儲器市場規(guī)模達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的853億美元，同比增長10%。該機構(gòu)同時認(rèn)為，今后幾年存儲...

2016-12-22 標(biāo)簽：dram存儲器NAND閃存 1.2k 0

美光DRAM與NAND閃存產(chǎn)品線豐富，QLC顆粒已占總量2/3

　在產(chǎn)品方面，美光引領(lǐng)行業(yè)實現(xiàn)32Gb單層架構(gòu)的128GB服務(wù)器內(nèi)存，并預(yù)計在未來六個月內(nèi)帶來數(shù)億美元的營收。此外，在高速性能更高的MRDIMM領(lǐng)域，美...

2024-03-22 標(biāo)簽：服務(wù)器美光NAND閃存 1.2k 0

中芯國際“NAND閃存器件及其形成方法”專利獲授權(quán)

中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)?！蹦壳爸饕糜跀?shù)碼相機等的閃存卡...

2023-10-17 標(biāo)簽：中芯國際存儲器NAND閃存 1.2k 0